STP6NK50Z - STF6NK60Z
STD6NK50Z
N沟道500V - 0.98Ω - 5.6A TO- 220 / TO- 220FP / DPAK
齐纳保护的超网功率MOSFET
目标数据
TYPE
STP6NK50Z
STF6NK50Z
STD6NK50Z
s
s
s
s
s
s
V
DSS
500 V
500 V
500 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 1.2
＆ LT ; 1.2
＆ LT ; 1.2
I
D
5.6 A
5.6 A
5.6 A
Pw
90 W
25 W
90 W
3
1
2
典型
DS
（上） = 0.98
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
重复性
TO-220
TO-220FP
3
1
DPAK
描述
在超网系列是通过获得
ST的确立带钢的极端优化
基础的PowerMESH 布局。除了推
导通电阻显著下降，特别护理着以
恩，确保了很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列完井
ments ST全系列高电压MOSFET的IN-
cluding革命性的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
s
大电流，高开关速度
s
IDEAL离线电源，
转接器和PFC
s
灯光
订购信息
销售类型
STP6NK50Z
STF6NK50Z
STD6NK50ZT4
记号
P6NK50Z
F6NK50Z
D6NK50
包
TO-220
TO-220FP
DPAK
包装
管
管
磁带&卷轴
2003年10月
1/9
STP6NK50Z - STF6NK50Z - STD6NK50Z
绝对最大额定值
符号
参数
STP6NK50Z
STD6NK50Z
价值
STF6NK50Z
单位
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
j
T
英镑
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
-
5.6
3.5
22.4
90
0.72
500
500
± 30
5.6 (*)
3.5 (*)
22.4 (*)
25
0.2
3000
4.5
2500
-55到150
-55到150
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤6A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
热数据
TO-220
DPAK
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1.39
62.5
300
TO-220FP
5
100
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
6
220
单位
A
mJ
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
（ ＃ ）当安装在最小的足迹
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/9
STP6NK50Z - STF6NK50Z - STD6NK50Z
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 30V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50A
V
GS
= 10V ，我
D
= 3 A
3
3.75
0.98
分钟。
500
1
50
±10
4.5
1.2
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 8 V
,
I
D
= 3 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
待定
690
90
20
待定
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 3 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 400V ，我
D
= 5.6 A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
待定
待定
30
待定
待定
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 3 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 5.6 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（感性负载参见图5 ）
分钟。
典型值。
待定
待定
待定
待定
待定
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 5.6 A，V
GS
= 0
I
SD
= 5.6 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 30V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
待定
待定
待定
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
5.6
22.4
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
3/9
STP6NK50Z - STF6NK50Z - STD6NK50Z
图。 1 ：
非钳位电感负载测试电路
图。 2 ：
非钳位感应波形
图。 3 ：
开关时间测试电路
阻性负载
图。 4 ：
栅极电荷测试电路
图。 5 ：
测试电路感应负载开关
和二极管恢复时间
4/9
STP6NK50Z - STF6NK50Z - STD6NK50Z
TO- 220机械数据
DIM 。
分钟。
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA 。
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
16.4
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
4.40
1.23
2.40
1.27
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.645
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
mm
典型值。
马克斯。
4.60
1.32
2.72
分钟。
0.173
0.048
0.094
0.050
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
寸
典型值。
马克斯。
0.181
0.051
0.107
A
C
D1
L2
D
F1
G1
E
DIA 。
L5
L7
L6
L4
P011C
L9
F2
F
G
H2
5/9
STP6NK50Z - STF6NK50Z
STD6NK50Z
N沟道500V - 0.93Ω - 5.6A TO- 220 / TO- 220FP / DPAK
齐纳保护的超网 MOSFET
TYPE
STP6NK50Z
STF6NK50Z
STD6NK50Z
s
s
s
s
s
s
V
DSS
500 V
500 V
500 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 1.2
＆ LT ; 1.2
＆ LT ; 1.2
I
D
5.6 A
5.6 A
5.6 A
Pw
90 W
25 W
90 W
3
1
2
典型
DS
（上） = 0.93
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
重复性
TO-220
TO-220FP
3
1
DPAK
描述
在超网系列是通过获得
ST的确立带钢的极端优化
基础的PowerMESH 布局。除了推
导通电阻显著下降，特别护理着以
恩，确保了很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列完井
ments ST全系列高电压MOSFET的IN-
cluding革命性的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
s
大电流，高开关速度
s
IDEAL离线电源，
转接器和PFC
s
灯光
订购代码
产品型号
STP6NK50Z
STF6NK50Z
STD6NK50ZT4
记号
P6NK50Z
F6NK50Z
D6NK50Z
包
TO-220
TO-220FP
DPAK
包装
管
管
磁带&卷轴
2004年4月
1/12
STP6NK50Z - STF6NK50Z - STD6NK50Z
绝对最大额定值
符号
参数
STP6NK50Z
STD6NK50Z
价值
STF6NK50Z
单位
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
j
T
英镑
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
-
5.6
3.5
22.4
90
0.72
500
500
± 30
5.6 (*)
3.5 (*)
22.4 (*)
25
0.2
3000
4.5
2500
-55到150
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤
5.6A ， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
热数据
TO-220
DPAK
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1.38
62.5
300
TO-220FP
5
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
5.6
180
单位
A
mJ
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/12
STP6NK50Z - STF6NK50Z - STD6NK50Z
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50A
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.8 A
3
3.75
0.93
分钟。
500
1
50
±10
4.5
1.2
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 8 V
,
I
D
= 2.8 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
4.3
690
100
20
52
12
23.5
31
23
24.6
4.9
13.3
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至400V
V
DD
= 250 V，I
D
= 2.8 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 400V ，我
D
= 5.6 A,
V
GS
= 10V
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 5.6 A，V
GS
= 0
I
SD
= 5.6 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 48V ，T
j
= 25°C
（见测试电路，图5 ）
I
SD
= 5.6 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 48V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
254
1.2
10
360
1.9
11
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
5.6
22.4
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
3/12
STP6NK50Z - STF6NK50Z - STD6NK50Z
安全工作区TO- 220
对于TO- 220热阻抗
安全工作区TO- 220FP
热阻抗对于TO- 220FP
安全工作区DPAK
对于DPAK热阻抗
4/12
STP6NK50Z - STF6NK50Z - STD6NK50Z
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
5/12
STP6NK50Z - STF6NK50Z
STD6NK50Z
N沟道500V - 0.93Ω - 5.6A TO- 220 / TO- 220FP / DPAK
齐纳保护的超网 MOSFET
TYPE
STP6NK50Z
STF6NK50Z
STD6NK50Z
s
s
s
s
s
s
V
DSS
500 V
500 V
500 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 1.2
＆ LT ; 1.2
＆ LT ; 1.2
I
D
5.6 A
5.6 A
5.6 A
Pw
90 W
25 W
90 W
3
1
2
典型
DS
（上） = 0.93
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
重复性
TO-220
TO-220FP
3
1
DPAK
描述
在超网系列是通过获得
ST的确立带钢的极端优化
基础的PowerMESH 布局。除了推
导通电阻显著下降，特别护理着以
恩，确保了很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列完井
ments ST全系列高电压MOSFET的IN-
cluding革命性的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
s
大电流，高开关速度
s
IDEAL离线电源，
转接器和PFC
s
灯光
订购代码
产品型号
STP6NK50Z
STF6NK50Z
STD6NK50ZT4
记号
P6NK50Z
F6NK50Z
D6NK50Z
包
TO-220
TO-220FP
DPAK
包装
管
管
磁带&卷轴
2004年4月
1/12
STP6NK50Z - STF6NK50Z - STD6NK50Z
绝对最大额定值
符号
参数
STP6NK50Z
STD6NK50Z
价值
STF6NK50Z
单位
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
j
T
英镑
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
-
5.6
3.5
22.4
90
0.72
500
500
± 30
5.6 (*)
3.5 (*)
22.4 (*)
25
0.2
3000
4.5
2500
-55到150
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤
5.6A ， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
热数据
TO-220
DPAK
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1.38
62.5
300
TO-220FP
5
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
5.6
180
单位
A
mJ
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/12
STP6NK50Z - STF6NK50Z - STD6NK50Z
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50A
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.8 A
3
3.75
0.93
分钟。
500
1
50
±10
4.5
1.2
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 8 V
,
I
D
= 2.8 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
4.3
690
100
20
52
12
23.5
31
23
24.6
4.9
13.3
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至400V
V
DD
= 250 V，I
D
= 2.8 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 400V ，我
D
= 5.6 A,
V
GS
= 10V
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 5.6 A，V
GS
= 0
I
SD
= 5.6 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 48V ，T
j
= 25°C
（见测试电路，图5 ）
I
SD
= 5.6 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 48V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
254
1.2
10
360
1.9
11
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
5.6
22.4
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
3/12
STP6NK50Z - STF6NK50Z - STD6NK50Z
安全工作区TO- 220
对于TO- 220热阻抗
安全工作区TO- 220FP
热阻抗对于TO- 220FP
安全工作区DPAK
对于DPAK热阻抗
4/12
STP6NK50Z - STF6NK50Z - STD6NK50Z
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
5/12
用户指南
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0.9 -A恒流电源带PFC的100W的LED
照明应用
1
介绍
在UCC28810EVM - 002是针对LED照明应用的恒流非隔离式电源。它
将通用电源（90 VRMS至264 VRMS ）转换为0.9的恒定电流转换成一个100瓦的负载。这
评估模块将允许客户评估在典型LED照明应用的UCC28810 / 11。
2
描述
评估模块使用两阶段的方法来控制输出电流。
第一级是一个过渡模式PFC电路。这可确保设计符合谐波电流或
功率因数要求所列的各种标准，如EN61000-3-2 。 PFC电路转换
AC输入为稳定的直流电压。该直流电压可以通过以下两种方式之一来配置。该
该模块的默认配置是升压跟随器型PFC 。升压跟随器PFC就是
在PFC调节的输出直流电压跟踪AC输入峰值电压。第二构造需要
移除一些组件和不断变化的电阻值，请参阅下面的更多细节。这第二个
配置消除了PFC电路的跟踪单元。然后PFC的直流输出电压将
调节到在396伏直流电的区域的固定值。
在第二阶段也采用转换模式，而是被配置为降压转换器。它把PFC
输出电压为固定的恒定电流。该电路能够提供0.9甲成100W的负载。它
也可以接受PWM调光输入。可替换地，用户可以使用PWM电路模块上看到
的调光功能。
该模块可与大多数高亮度LED的（ HB - LED） ，与0.9 ，总字符串操作
间55 V和110伏电压降
2.1
典型应用
AC输入的一般照明应用中使用HB- LED的
工业，商业和住宅照明灯具
户外照明：街道，道路，停车场，建筑和装饰LED照明灯具
2.2
特点
90 VRMS至264 VRMS操作
升压跟随器或固定输出PFC级
PFC关闭
输出电流禁用
外部或内部PWM调光
2
0.9 -A恒流电源带PFC的100W的LED照明应用
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电气性能规格
3
电气性能规格
表1. UCC28810EVM - 002电气性能规格
符号
输入CHARACTERSTICS
V
IN
I
IN
PF
输入电压
输入电流
功率因数
P
OUT
= 80瓦到100瓦
90
0.175
0.95
0.97
264
1.1
V
RMS
A
RMS
参数
条件
民
喃
最大
单位
输出CHARACTERSTICS
PFC级
V
OUT
P
OUT
I
OUT
PFC输出电压
输出功率
输出电流
线路调整
频率
系统CHARACTERSTICS
η
满载效率
门槛
频带
占空比
(1)
235
45
0.84
60
90%
0.72
200
0%
93%
80
0.9
415
100
0.96
0.03
128
VDC
W
A
千赫
LED驱动阶段
PWM调光
(1)
1.3
1000
90%
V
Hz
PWM调光信号被反相， 0％的占空比为100 ％的LED电流。
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0.9 -A恒流电源带PFC的100W的LED照明应用
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概要
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概要
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+
图1. UCC28810EVM - 002 PFC级原理图
4
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EAOUTGDRV
VSENSE VDD
GND
VINS
图2. UCC28810EVM - 002降压级原理图
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0.9 -A恒流电源带PFC的100W的LED照明应用
ISENSE
TZE
5
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