三菱RF MOSFET模块
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA07H3340M
框图
2
3
330-400MHz 7W 12.5V便携式/移动电
描述
该RA07H3340M是一个7瓦的射频MOSFET放大器模块
对于工作在330-到12.5伏便携/移动无线电
400 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压(V
GG
= 0V)时,只有很小的漏电流流入漏极
与RF输入信号衰减高达60分贝。输出功率
和漏电流增加的栅极电压增加。有
周围2.5V (最低),输出功率和漏栅电压
目前的大幅增加。额定输出功率
在3V (典型值)和3.5V (最大)变为可用。在
V
GG
= 3.5V ,典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制,但可能
还通过将漏极静态用于线性调制
电流与栅极电压和控制输出功率与
输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.5V, V
GG
=0V)
P
OUT
>7W @ V
DD
=12.5V, V
GG
= 3.5V ,P
in
=20mW
η
T
>40 %@ P
OUT
= 7W (V
GG
控制) ,V
DD
= 12.5V ,P
in
=20mW
宽带频率范围: 330-400MHz
低功耗控制电流I
GG
= 1mA(典型值),在V
GG
=3.5V
模块尺寸: 30 ×10× 5.4毫米
线性操作有可能通过设置静态漏电流
与栅极电压和控制输出功率与
输入功率
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入(P
in
)
栅极电压(V
GG
) ,功率控制
漏极电压(V
DD
) ,电池
RF输出(P
OUT
)
射频接地(CASE )
订货信息:
订单号
RA07H3340M-E01
RA07H3340M-01
(日本 - 包装无干燥器)
供货形式
防静电托盘,
25模块/托盘
RA07H3340M
三菱电机
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2002年12月23日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
RA07H3340M
等级
13.2
4
30
10
-30至+90
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
最大额定值
(T
例
= + 25 ° C,除非指定OTH erwise )
符号
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例( OP )
T
英镑
参数
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
条件
V
GG
<3.5V
V
DD
<12.5V ,P
in
=0mW
f=330-400MHz,
Z
G
=Z
L
=50
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
例
= + 25 ° C,Z
G
=Z
L
= 50Ω ,除非另有规定)
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
ρ
in
I
GG
—
—
频带
输出功率
总有效率
2
nd
谐波
输入VSWR
栅电流
稳定性
负载VSWR容差
V
DD
= 7.2-15V ,P
in
= 10-30mW ,P
OUT
<8W (V
GG
控制) ,
负载电压驻波比= 4 :1的
V
DD
= 13.2V ,P
in
= 20毫瓦,P
OUT
= 7.0W (V
GG
控制) ,
负载电压驻波比= 20 :1的
P
OUT
= 7W (V
GG
控制) ,
V
DD
=12.5V,
P
in
=20mW
1
无寄生振荡
没有退化或
破坏
V
DD
=12.5V,V
GG
= 3.5V ,P
in
=20mW
条件
民
330
7
40
典型值
最大
400
单位
兆赫
W
%
-25
4:1
dBc的
—
mA
—
—
所有参数,条件,收视率,并限制如有变更,恕不另行通知。
RA07H3340M
三菱电机
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2002年12月23日
静电敏感器件
观察处理注意事项
三菱RF功率模块
RA07H3340M
2
nd
, 3
rd
谐波与频率的关系
典型性能
(T
例
= + 25 ° C,Z
G
=Z
L
= 50Ω ,除非另有规定)
输出功率,总有效率,
和输入VSWR与频率的关系
14
输出功率P
OUT
(W)
输入VSWR
ρ
in
(-)
12
10
8
6
4
2
ρ
in
@P
OUT
=7W
V
DD
=12.5V
P
in
=20mW
P
OUT
@V
GG
=3.5V
140
120
总有效率
η
T
(%)
100
η
T
@P
OUT
=7W
-20
谐波( DBC)
-30
-40
-50
-60
3
@P
OUT
=7W
rd
V
DD
=12.5V
P
in
=20mW
nd
80
60
40
20
2
@P
OUT
=7W
0
0
320 330 340 350 360 370 380 390 400 410
频率f( MHz)的
-70
320 330 340 350 360 370 380 390 400 410
频率f( MHz)的
输出功率,功率增益和
漏极电流与输入功率
50
输出功率
P
OUT
( dBm的)
功率增益的Gp (分贝)
Gp
输出功率,功率增益和
漏极电流与输入功率
50
漏电流I
DD
(A)
输出功率
P
OUT
( dBm的)
功率增益的Gp (分贝)
Gp
P
OUT
5
P
OUT
5
4
3
2
I
DD
f=360MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=3.5V
40
30
20
I
DD
4
3
2
40
30
20
10
0
-15
-10
-5
0
5
10
0
-15
-10
-5
0
5
f=330MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=3.5V
1
0
1
0
20
10
15
20
10
15
输入功率P
in
( dBm的)
输入功率P
in
( dBm的)
输出功率,功率增益和
漏极电流与输入功率
50
输出功率
P
OUT
( dBm的)
功率增益的Gp (分贝)
40
30
20
I
DD
Gp
P
OUT
5
4
3
2
f=400MHz,
V
DD
=12.5V,
V
GG
=3.5V
10
0
-15
-10
-5
0
5
1
0
10
15
20
输入功率P
in
( dBm的)
输出功率和漏电流
与漏极电压
20
输出功率P
OUT
(W)
15
f=330MHz,
V
GG
=3.5V,
P
in
=20mW
P
OUT
漏电流I
DD
(A)
输出功率和漏电流
与漏极电压
4
漏电流I
DD
(A)
输出功率P
OUT
(W)
3
20
f=360MHz,
V
GG
=3.5V,
P
in
=20mW
P
OUT
4
漏电流I
DD
(A)
15
3
10
I
D D
2
10
I
DD
2
5
1
5
1
0
2
4
6
8
10
12
漏极电压V
DD
(V)
14
16
0
0
2
4
6
8
10
12
漏极电压V
DD
(V)
14
16
0
RA07H3340M
三菱电机
3/9
漏电流
I
DD
(A)
2002年12月23日