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RT9173C
性价比高, 2A吸入/源总线终端稳压器
概述
该RT9173C是一个简单,具成本效益和高速
线性调节器设计成产生终止电压
在双倍数据速率( DDR)存储器系统遵守
JEDEC的SSTL_2和SSTL_18或其他特定
如HSTL, SCSI-2和SCSI-3等设备的接口
要求。该稳压器能够积极下沉
或输出高达2A而又调节输出电压,以
在40mV以内。输出端接电压驾驶室紧紧
稳压道1 / 2V
DDQ
通过两个外部分压器
电阻器或所需的输出电压可以是亲编程
从外部迫使REFEN引脚电压。
该RT9173C还集成了一个高速差分
放大器,以提供在线路/负载瞬态超快响应。
其他功能还包括极低的初始失调电压,
出色的负载调节,电流双方向限制
和片上热关断保护。
该RT9173C可在SOP- 8 (裸露焊盘)
表面贴装封装。
特点
理想的DDR -I , DDR- II和DDR - III V
TT
应用
漏极和源极2A的连续电流
集成的功率MOSFET
生成终端电压SSTL_2 ,
SSTL _18 , HSTL , SCSI - 2和SCSI - 3接口
高精度输出电压在满负荷
通过两个外部电阻调节输出
低外部元件数量
关闭挂起到内存( STR )功能
与高阻抗输出
限流保护
芯片上的热保护
可在
SOP- 8 (裸露
PAD)包
V
IN
和V
CNTL
无电源时序问题
符合RoHS标准, 100 %无铅(Pb ) - 免费
应用
台式电脑,笔记本电脑和工作站
显卡的显存终止
机顶盒,数字电视,打印机
嵌入式系统
主动终止巴士
DDR -I , DDR- II和DDR - III内存系统
订购信息
RT9173C
套餐类型
SP : SOP - 8 (裸露焊盘选项1 )
工作温度范围
P:无铅与商业标准
G:绿色(无卤素与商业用
CIAL标准)
注意:
立锜无铅和绿色的产品有:
符合RoHS标准,电流要求兼容
IPC / JEDEC J- STD- 020的求。
适用于锡铅或无铅焊接工艺。
100 %雾锡( Sn)镀层。
销刀豆网络gurations
( TOP VIEW )
VIN
GND
REFEN
VOUT
2
8
7
GND
3
6
9
4
5
NC
NC
VCNTL
NC
SOP- 8 (裸露焊盘)
DS9173C-12
2007年9月
www.richtek.com
1
RT9173C
典型应用电路
V
CNTL
= 3.3V
V
IN
= 2.5V/1.8V/1.5V
R
1
VIN
VCNTL
C
IN
C
CNTL
R
TT
2N7002
EN
R
2
C
SS
RT9173C
REFEN
VOUT
GND
C
OUT
GND
R
1
= R
2
= 100kΩ的,R
TT
= 50Ω / 33Ω / 25Ω
C
OUT (分钟)
= 10μF (陶瓷) + 1000μF最坏情况下的测试条件下,
C
SS
= 1μF ,C
IN
= 470μF (低ESR ) ,C
CNTL
= 47μF
功能引脚说明
VIN (引脚1 )
输入电压提供电流至输出管脚。该引脚连接到一个良好的去耦电源电压。为了防止
从在大负载瞬态输入下降轨,大,低ESR电容,推荐使用。电容器
应放置在尽可能靠近VIN引脚。
GND [ 2引脚,裸露焊盘( 9 ) ]
共同基础(裸露焊盘连接到GND ) 。 GND焊盘的面积应尽可能地大,并使用多
过孔,以将热传导到印刷电路板层的掩埋接地板上。
VCNTL (引脚6 )
VCNTL提供内部控制电路,并且提供驱动电压。输出电流的驱动能力是
匀称的VCNTL 。连接该引脚
至3.3V偏置
提供处理大输出电流至少为10
μ
F
电容此引脚与GND 。
REFEN (引脚3 )
参考电压输入和低电平有效关断控制引脚。两个电阻分压下来的VIN电压引脚上
创建稳压输出电压。拉引脚接地通过一个漏极开路关闭装置,如2N7002 ,
信号N沟道MOSFET 。
VOUT (引脚4 )
稳压器的输出。 VOUT被调节到用于终止总线电阻REFEN电压。它能够下沉
和输出电流,同时调节输出轨。保持充足的大信号瞬态响应,典型值
1000
μ
F AL 10电解电容
μ
F的陶瓷电容器,建议减少电流的影响
瞬态VOUT上。
NC (引脚5 , 7 , 8 )
没有内部连接。
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2
DS9173C-12
2007年9月
RT9173C
功能块图
VCNTL
VIN
电流限制
热保护
REFEN
测试电路
2.5V/1.8V/1.5V
3.3V
1.25V/0.9V/0.75V
图1.测试电路典型工作特性曲线
DS9173C-12
2007年9月
+
-
EA
VOUT
GND
VIN
VCNTL
V
OUT
RT9173C
REFEN
VOUT
GND
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3
RT9173C
绝对最大额定值
(注1 )
输入电压V
IN
------------------------------------------------------------------------------------------------------ 6V
控制电压,V
CNTL
----------------------------------------------------------------------------------------------- 6V
功耗,P
D
@ T
A
= 25°C
SOP- 8 (裸露焊盘) ------------------------------------------- -------------------------------------------------- -
1.33W
封装热阻(注4 )
SOP- 8 (裸露焊盘)
θ
JA
-------------------------------------------------- ---------------------------------------- 75 ° C / W
SOP- 8 (裸露焊盘)
θ
JC
-------------------------------------------------- --------------------------------------- 28 ° C / W
结温------------------------------------------------ -------------------------------------------------
125°C
引线温度(焊接, 10秒) ----------------------------------------- ----------------------------------
260°C
存储温度范围----------------------------------------------- -----------------------------------------
–65°C
至150℃
ESD易感性(注2 )
HBM (人体模式) -------------------------------------------- ---------------------------------------------- 2kV的
MM (机器模式) --------------------------------------------- -------------------------------------------------- --- 200V
推荐工作条件
(注3)
输入电压V
IN
------------------------------------------------------------------------------------------------------ 2.5V至1.5V
±
3%
控制电压,V
CNTL
-------------------------------------------------- --------------------------------------------- 5V或3.3V
±
5%
环境温度范围----------------------------------------------- -----------------------------------------
40 ° C至85°C
结温范围----------------------------------------------- -----------------------------------------
40°C
至125℃
电气特性
(V
IN
= 2.5V/1.8V/1.5V, V
CNTL
= 3.3V, V
REFEN
= 1.25V / 0.9V / 0.75V ,C
OUT
= 10
μ
F(陶瓷) ,T
A
= 25 ° C,除非另有规定编)
参数
输入
V
CNTL
工作电流
待机电流(注7 )
输出( DDR / DDR II / DDR III )
输出失调电压(注5 )
负载调整率(注6 )
保护
电流限制
符号
I
CNTL
I
STBY
I
OUT
= 0A
测试条件
--
--
典型值
1
50
最大单位
2.5
90
mA
μA
V
REFEN
& LT ;
0.2V (关机) ,
R
负载
= 180Ω
I
OUT
= 0A
I
OUT
= +2A
I
OUT
=
2A
V
OS
ΔV
负载
20
20
--
--
+20
+20
mV
mV
I
LIM
3.3V
V
CNTL
5V
3.3V
V
CNTL
5V
启用
关闭
ΔT
SD
V
IH
V
IL
2.2
125
--
0.6
--
--
170
35
--
--
--
--
--
--
0.2
A
°C
°C
热关断温T
SD
热关断迟滞
REFEN关闭
关断阈值
V
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4
DS9173C-12
2007年9月
RT9173C
注: 1 。
列入上述"Absolute最大Ratings"强调可能会造成永久性损坏设备。这些是
压力等级。该设备在这些或超出任何其他条件的功能操作所指示的
规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能仍然可能影响器件的可靠性。
注2 。
设备是ESD敏感。处理防范建议。
注3 。
该设备是不能保证超出其工作条件下运行。
注4 。
θ
JA
是在T测定在自然对流
A
= 25°C的高效热传导测试板( 4层,
2S2P )的JEDEC 51-7的热测量标准。的情况下点
θ
JC
是对SOP- 8的暴露垫(外露
垫)封装。
注5 。
V
OS
是电压测量定义为V偏移
OUT
从V减去
REFEN
.
注6 。
调节是通过使用一个5ms的电流脉冲,测定在恒定的结温。器件的测试负载
调节负载范围从0A至2A 。
注7 。
待机电流是由一个调节器的输入电流时,输出电压是通过在关断信号被禁用
REFEN引脚(V
IL
< 0.2V ) 。它是衡量V
IN
= V
CNTL
= 5V.
DS9173C-12
2007年9月
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