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RU2090M
N沟道先进的功率MOSFET
MOSFET
特点
20V / 99A ，
R
DS （ ON）
=2.3mΩ(tpy.)@V
GS
=10V
R
DS （ ON）
=4mΩ(tpy.)@V
GS
=4.5V
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
100％的雪崩测试
提供无铅和绿色器件
（符合RoHS ）
引脚说明
PDFN 5X6
应用
整流器阳离子
开关应用
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
符号
参数
等级
20
±12
150
-55到150
T
C
=25°C
50
②
单位
通用等级
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
I
S
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
V
°C
°C
A
安装在大型散热片
I
DP
300μS脉冲漏极电流测试
T
C
=25°C
T
C
=25°C
I
D
连续漏电流（ V
GS
=10V)
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
C
=25°C
P
D
最大功率耗散
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Copyright Ruichips半导体有限公司
修订版A- MAY ， 2012
360
99
66
26
A
A
①
①
③
③
21
66
26
4.2
2.7
③
③
W
www.ruichips.com
RU2090M
安装在大型散热片
R
θJC
R
θJA
③
热阻，结到管壳
热阻，结到环境
1.9
30
° C / W
° C / W
漏源雪崩额定值
E
AS
④
雪崩能量，单脉冲
306
mJ
电气特性
符号
静态特性
BV
DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
⑤
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
RU2090M
分钟。
典型值。
马克斯。
参数
测试条件
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
= 0V时，我
DS
=250A
V
DS
=20V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
DS
=20A
V
GS
= 4.5V ，我
DS
=20A
20
1
30
1
-
2.5
±100
2.3
4
3
6
V
A
V
nA
m
m
二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
⑤
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
⑥
I
SD
= 20A ，V
GS
=0V
I
SD
= 20A ， DL
SD
/dt=100A/s
30
56
1.2
V
ns
nC
pF
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=10V,
Frequency=1.0MHz
1.9
3300
820
165
15
37
55
19
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
⑥
V
DD
= 10V ，R
L
=0.5,
I
DS
= 20A ，V
根
=10V,
R
G
=1.6
ns
栅极电荷特性
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
62
V
DS
=16V, V
GS
=10V,
I
DS
=20A
15
21
nC
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
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修订版A- MAY ， 2012
2
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RU2090M
注意事项：
①
最大电流由包不限于50A 。
②
脉冲宽度有限的安全工作区。
当安装在1平方英寸的铜电路板，T
≤10sec.
④
限制T
JMAX
, I
AS
= 35A ，V
DD
= 16V ，R
G
= 50Ω ，起始物为
J
= 25°C.
⑤
脉冲测试;脉冲width≤300μs ，值班cycle≤2 ％ 。
⑥
通过设计保证，不受生产测试。
订购和标识信息
设备
RU2090M
记号
RU2090M
包
PDFN 5X6
包装
Tape&Reel
QUANTITY
3000
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
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3
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RU2090M
典型特征
功耗
漏电流
T
j
- 结温（ ° C）
I
D
- 漏电流（ A）
T
j
- 结温（ ° C）
安全工作区
P
合计
- 功率（W ）
瞬态热阻抗
V
DS
- 漏源电压（ V）
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4
标准化的有效瞬态
方波脉冲持续时间（秒）
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I
D
- 漏电流（ A）
RU2090M
典型特征
输出特性
漏源导通电阻
V
DS
- 漏源电压（ V）
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ MΩ）
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
漏源导通电阻
栅极阈值电压
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
归一化阈值电压
T
j
- 结温（ ° C）
5
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R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
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RFB1010-822L
RC48F3P0ZTQ0
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RU2090M
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联系人：李小姐
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