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> Q62702-F496
PNP硅晶体管
高反向电压
q
高的击穿电压
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
低电容
q
互补型:高炉420 ,高炉422( NPN)的
2
3
1
BF 421
BF 423
TYPE
BF 421
BF 423
记号
–
订购代码
Q62702-F532
Q62702-F496
引脚配置
1
2
3
E
C
B
包
1)
TO-92
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
R
BE
= 2.7 k
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值电流基地
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
结 - 壳
2)
R
日JA
R
日JC
≤
150
≤
75
符号
V
CE0
V
CER
V
CB0
V
EB0
I
C
I
BM
T
j
T
英镑
值
BF 421
–
300
300
单位
BF 423
250
–
250
5
50
100
830
150
– 65 … + 150
mW
C
mA
V
总功耗,
T
C
= 88 C
P
合计
K / W
1)
2)
有关详细信息,请参阅本章包装纲要。
安装在铝散热片15毫米
×
25 mm
×
0.5 mm.
半导体集团
1
5.91
BF 421
BF 423
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安
BF 423
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10
A,
R
BE
= 2.7 k
BF 421
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10
A
BF 421
BF 423
发射极 - 基极击穿电压,
I
E
= 10
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 200 V
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 200 V,
R
BE
= 2.7 k
,
T
A
= 150 C
发射极截止电流,
V
EB
= 5 V
直流电流增益
I
C
= 100
A,
V
CE
= 20 V
I
C
= 25毫安,
V
CE
= 20 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 25毫安,
T
j
=150 C
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 10 V,
f
= 20 MHz的
输出电容
V
CB
= 30 V,
f
= 1兆赫
f
T
C
敖包
–
–
100
0.8
–
–
兆赫
pF
V
(BR)CE0
V
( BR ) CER
V
(BR)CB0
300
250
V
(BR)EB0
I
CB0
I
CER
I
EB0
h
FE
15
50
V
CEsatRF
–
–
–
–
–
–
20
V
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
10
10
10
–
nA
A
值
典型值。
马克斯。
单位
250
300
–
–
–
–
V
1)
脉冲测试:
t
≤
300
s,
D
≤
2 %.
半导体集团
2
BF 421
BF 423
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
;
T
C
)
集电极电流
I
C
=
f
(V
BE
)
V
CE
= 20 V,
T
A
= 25 C
允许的脉冲负载
R
thJA
=
f
(t
p
)
收藏家Cuto FF电流
I
CB0
=
f
(T
A
)
V
CB
= 200 V
半导体集团
3
BF 421
BF 423
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 20 V,
T
A
= 25 C
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 10 V,
f
= 20 MHz的
输出电容
C
敖包
=
f
(V
CB
)
I
C
= 0,
f
= 1兆赫
半导体集团
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Q62702-F496
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Q4025Z6
Q62702-F1296
Q62702-D954
QAK2J474JCP
Q2C106603
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
深圳市壹芯创科技有限公司
QQ:
QQ:2880707522
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QQ:2369405325
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电话:0755-82780082
联系人:杨小姐
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
Q62702-F496
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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