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PNP硅晶体管
高反向电压
q
高的击穿电压
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
低电容
q
互补型:高炉420 ,高炉422( NPN)的
2
3
1
BF 421
BF 423
TYPE
BF 421
BF 423
记号
订购代码
Q62702-F532
Q62702-F496
引脚配置
1
2
3
E
C
B
1)
TO-92
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
R
BE
= 2.7 k
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值电流基地
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
结 - 壳
2)
R
日JA
R
日JC
150
75
符号
V
CE0
V
CER
V
CB0
V
EB0
I
C
I
BM
T
j
T
英镑
BF 421
300
300
单位
BF 423
250
250
5
50
100
830
150
– 65 … + 150
mW
C
mA
V
总功耗,
T
C
= 88 C
P
合计
K / W
1)
2)
有关详细信息,请参阅本章包装纲要。
安装在铝散热片15毫米
×
25 mm
×
0.5 mm.
半导体集团
1
5.91
BF 421
BF 423
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安
BF 423
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10
A,
R
BE
= 2.7 k
BF 421
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10
A
BF 421
BF 423
发射极 - 基极击穿电压,
I
E
= 10
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 200 V
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 200 V,
R
BE
= 2.7 k
,
T
A
= 150 C
发射极截止电流,
V
EB
= 5 V
直流电流增益
I
C
= 100
A,
V
CE
= 20 V
I
C
= 25毫安,
V
CE
= 20 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 25毫安,
T
j
=150 C
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 10 V,
f
= 20 MHz的
输出电容
V
CB
= 30 V,
f
= 1兆赫
f
T
C
敖包
100
0.8
兆赫
pF
V
(BR)CE0
V
( BR ) CER
V
(BR)CB0
300
250
V
(BR)EB0
I
CB0
I
CER
I
EB0
h
FE
15
50
V
CEsatRF
20
V
5
10
10
10
nA
A
典型值。
马克斯。
单位
250
300
V
1)
脉冲测试:
t
300
s,
D
2 %.
半导体集团
2
BF 421
BF 423
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
;
T
C
)
集电极电流
I
C
=
f
(V
BE
)
V
CE
= 20 V,
T
A
= 25 C
允许的脉冲负载
R
thJA
=
f
(t
p
)
收藏家Cuto FF电流
I
CB0
=
f
(T
A
)
V
CB
= 200 V
半导体集团
3
BF 421
BF 423
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 20 V,
T
A
= 25 C
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 10 V,
f
= 20 MHz的
输出电容
C
敖包
=
f
(V
CB
)
I
C
= 0,
f
= 1兆赫
半导体集团
4
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    Q62702-F496
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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