【BSS 284SIPMOS小信号晶体管 P沟道增强型逻辑电平 VGS （ TH）= -0.8...-】,IC型号Q62702-C1854,Q62702-C1854 PDF资料,Q62702-C1854经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BSS 284

SIPMOS

小信号晶体管

P沟道

增强型

逻辑电平

V

GS （ TH）

= -0.8...-1.6 V

销1

G

销2

S

3脚

D

TYPE

BSS 284

TYPE

BSS 284

V

DS

-50 V

I

D

-0.13 A

R

DS （ ON）

10

包

SOT-23

记号

SDS

订购代码

Q62702-S299

磁带和卷轴信息

E6327

最大额定值

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

符号

值

-50

-50

单位

V

V

DS

V

DGR

R

GS

= 20 k

门源电压

连续漏电流

V

GS

I

D

±

20

A

-0.13

T

A

= 30 °C

直流漏电流，脉冲

I

Dpuls

-0.52

T

A

= 25 °C

功耗

P

合计

0.36

W

T

A

= 25 °C

半导体集团

1

18/02/1997

BSS 284

最大额定值

参数

芯片或工作温度

储存温度

热电阻，芯片到环境空气

1)

DIN湿度类别， DIN 40 040

IEC气候类型， DIN IEC 68-1

1）包安装在铝

15毫米X 16.7毫米X 0.7毫米

符号

值

-55 ... + 150

-55 ... + 150

≤

350

≤

285

E

55 / 150 / 56

单位

°C

K / W

T

j

T

英镑

R

thJA

Therminal电阻，芯片底物反面

1)

R

thJSR

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

静态特性

漏源击穿电压

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） DSS

-50

-

-1.2

-0.1

-2

-

-1

5

-

-1.6

V

V

GS

= 0 V,

I

D

= -0.25毫安，

T

j

= 25 °C

栅极阈值电压

V

GS （ TH）

-0.8

V

GS =

V

DS ，

I

D

= -1毫安

零栅极电压漏极电流

I

DSS

-

-

-

-1

-60

-0.1

A

V

DS

= -50 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 °C

V

DS

= -50 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 125 °C

V

DS

= -25 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 °C

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

-

-10

nA

-

10

V

GS

= -20 V,

V

DS

= 0 V

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

V

GS

= -10 V,

I

D

= -0.13 A

半导体集团

2

18/02/1997

BSS 284

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

动态特性

跨

值

典型值。

马克斯。

单位

g

fs

0.05

0.08

30

17

8

-

S

pF

-

40

25

12

ns

-

7

10

V

DS

≥

2

*

I

D *

R

DS （ ON）最大值，

I

D

= -0.13 A

输入电容

C

国际空间站

C

OSS

-

V

GS

= 0 V,

V

DS

= -25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= -25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

C

RSS

-

V

GS

= 0 V,

V

DS

= -25 V,

f

= 1兆赫

导通延迟时间

t

D（上）

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -10 V,

I

D

= -0.27 A

R

GS

= 50

上升时间

t

r

-

12

18

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -10 V,

I

D

= -0.27 A

R

GS

= 50

打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

-

10

13

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -10 V,

I

D

= -0.27 A

R

GS

= 50

下降时间

t

f

-

20

27

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -10 V,

I

D

= -0.27 A

R

GS

= 50

半导体集团

3

18/02/1997

BSS 284

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

反向二极管

逆二极管连续正向电流

I

S

T

A

= 25 °C

逆二极管直流，脉冲

A

-

-

-

-

-0.9

-0.13

-0.52

V

-

-1.2

值

典型值。

马克斯。

单位

I

SM

V

SD

T

A

= 25 °C

逆二极管正向电压

V

GS

= 0 V,

I

F

= -0.26 A,

T

j

= 25 °C

半导体集团

4

18/02/1997

BSS 284

功耗

P

合计

=

(T

A

)

漏电流

I

D

=

(T

A

)

参数：

V

GS

≥

-10 V

-0.14

A

-0.12

0.40

W

P

合计

0.32

0.28

0.24

I

D

-0.11

-0.10

-0.09

-0.08

0.20

0.16

0.12

0.08

0.04

0.00

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

-0.07

-0.06

-0.05

-0.04

-0.03

-0.02

-0.01

0.00

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

T

A

T

A

安全工作区

I

D

= F（V

DS

)

参数：

D

= 0.01,

T

C

=25°C

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

=

(T

j

)

-60

V

-58

V

（ BR ） DSS

-57

-56

-55

-54

-53

-52

-51

-50

-49

-48

-47

-46

-45

-60

-20

20

60

100

°C

160

T

j

半导体集团

5

18/02/1997

PNP硅达林顿晶体管

BCV 28

BCV 48

q

对于一般自动对焦的应用

q

高集电极电流

q

高电流增益

q

互补类型： BCV 29 BCV 49 （ NPN ）

TYPE

BCV 28

BCV 48

记号

ED

EE

订购代码

（磁带和卷轴）

Q62702-C1852

Q62702-C1854

引脚配置

1

2

3

4

B

C

E

C

包

1)

SOT-89

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功耗，

T

S

= 124 C

结温

存储温度范围

热阻

结 - 环境

2)

结 - 焊接点

R

日JA

R

日JS

≤

72

≤

17

符号

V

CE0

V

CB0

V

EB0

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

值

BCV 28

30

40

10

单位

BCV 48

60

80

10

500

800

100

200

1

150

– 65 … + 150

W

C

mA

V

K / W

1)

2)

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐

×

40 mm

×

1.5毫米/ 6厘米

2

铜。

半导体集团

1

5.91

BCV 28

BCV 48

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安

BCV 28

BCV 48

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 100

A

BCV 28

BCV 48

发射极 - 基极击穿电压，

I

E

= 10

A

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V

V

CB

= 60 V

V

CB

= 30 V,

T

A

= 150 C

V

CB

= 60 V,

T

A

= 150 C

发射极截止电流，

V

EB

= 4 V

直流电流增益

1)

I

C

= 100

A,

V

CE

= 1 V

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 0.5 A,

V

CE

= 5 V

BCV 28

BCV 48

BCV 28

BCV 48

BCV 28

BCV 48

BCV 28

BCV 48

V

CESAT

V

BESAT

BCV 28

BCV 48

BCV 28

BCV 48

I

EB0

h

FE

4000

2000

10000

4000

20000

10000

4000

2000

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

1

1.5

V

V

(BR)CE0

30

60

V

(BR)CB0

40

80

V

(BR)EB0

I

CB0

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

100

100

10

10

100

nA

nA

A

A

nA

–

10

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

V

值

典型值。

马克斯。

单位

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 100毫安，

I

B

- 0.1毫安

基射极饱和电压

1)

I

C

= 100毫安;

I

B

- 0.1毫安

AC特性

跃迁频率

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 20 MHz的

输出电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

1)

f

T

C

敖包

–

–

200

4.5

–

–

兆赫

pF

脉冲测试：

t

≤

300

s,

D

= 2 %.

半导体集团

2

BCV 28

BCV 48

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;

T

S

)

*包装安装在环氧

收藏家Cuto FF电流

I

CB0

=

f

(T

A

)

V

CB

=

V

CE MAX

允许的脉冲负载

P

TOT最大

/P

TOT DC

=

f

(t

p

)

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

= 5 V

半导体集团

3

BCV 28

BCV 48

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

=

f

(V

CESAT

)

h

FE

= 1000

基射极饱和电压

I

C

=

f

(V

BESAT

)

h

FE

= 1000

集电极 - 基极电容

C

CB0

=

f

(V

CB0

)

发射极 - 基极电容

C

EB0

=

f

(V

EB0

)

直流电流增益

h

FE

=

f

(I

C

)

V

CE

= 5 V

半导体集团

4

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联系人：刘先生

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