【PNP硅晶体管自动对焦公元前856 ...公元前860特点q对于AF输入级和驱动器应用q高电流增益q】,IC型号Q62702-C1850,Q62702-C1850 PDF资料,Q62702-C1850经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PNP硅晶体管自动对焦

公元前856 ...公元前860

特点

q

对于AF输入级和驱动器应用

q

高电流增益

q

低集电极 - 发射极饱和电压

q

30 Hz至15 kHz的低噪音

q

互补类型：公元前846 ，公元前847 ，

公元前849 ，公元前850 （ NPN ）

TYPE

公元前856

公元前856 B

公元前857一

公元前857 B

公元前857

公元前858一

公元前858 B

公元前858

公元前859一

公元前859 B

公元前859

公元前860 B

公元前860

记号

3As

3Bs

3Es

3Fs

3Gs

3Js

3Ks

3Ls

4As

4Bs

4Cs

4Fs

4Gs

订购代码

（磁带和卷轴）

Q62702-C1773

Q62702-C1886

Q62702-C1850

Q62702-C1688

Q62702-C1851

Q62702-C1742

Q62702-C1698

Q62702-C1507

Q62702-C1887

Q62702-C1774

Q62702-C1761

Q62702-C1888

Q62702-C1889

引脚配置

1

2

3

B

E

C

包

1)

SOT-23

1)

为

详细信息，请参阅本章包装说明。

半导体集团

1

04.96

公元前856 ...公元前860

最大额定值

参数

符号

公元前856

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

峰值电流基地

峰值发射极电流

总功耗，

T

S

= 71 C

结温

存储温度范围

热阻

结 - 环境

1)

结 - 焊接点

R

日JA

R

日JS

≤

310

≤

240

值

公元前857

公元前860

45

50

50

5

100

200

200

200

330

150

单位

公元前858

公元前859

30

30

30

5

mA

V

V

CE0

V

CB0

V

CES

V

EB0

I

C

I

CM

I

BM

I

EM

P

合计

T

j

T

英镑

65

80

80

5

mW

C

– 65 … + 150

K / W

1)

包

安装在环氧树脂PCB 40毫米

×

40 mm

×

1.5毫米/ 6厘米

2

铜。

半导体集团

2

公元前856 ...公元前860

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安

公元前856

公元前857 ，公元前860

公元前858 ，公元前859

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10

A

公元前856

公元前857 ，公元前860

公元前858 ，公元前859

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10

A,

V

BE

= 0

公元前856

公元前857 ，公元前860

公元前858 ，公元前859

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 1

A

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V

V

CB

= 30 V,

T

A

= 150 C

直流电流增益

I

C

= 10

A,

V

CE

= 5 V

公元前856 ...公元前859一

公元前856 B ...公元前860 B

公元前857 ...公元前860

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

公元前856 ...公元前859一

公元前856 B ...公元前860 B

公元前857 ...公元前860

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基射极饱和电压

1)

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基射极电压

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

1)

脉冲

值

典型值。

马克斯。

单位

V

(BR)CE0

65

45

30

V

(BR)CB0

80

50

30

V

（ BR ） CES

80

50

30

V

(BR)EB0

I

CB0

–

–

h

FE

–

–

–

125

220

420

V

CESAT

–

–

V

BESAT

–

–

V

BE（上）

600

–

650

–

750

820

700

850

–

–

75

250

300

650

140

250

480

180

290

520

–

–

–

250

475

800

1

–

15

4

5

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

V

nA

A

–

mV

测试：

t

≤

300

s,

D

= 2 %.

半导体集团

3

公元前856 ...公元前860

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

AC特性

跃迁频率

I

C

= 20毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

输出电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

输入电容

V

CB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

短路输入阻抗

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

公元前856 ...公元前859一

公元前856 B ...公元前860 B

公元前857 ...公元前860

开路反向电压传输比

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

公元前856 ...公元前859一

公元前856 B ...公元前860 B

公元前857 ...公元前860

短路正向电流传输比

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

公元前856 ...公元前859一

公元前856 B ...公元前860 B

公元前857 ...公元前860

开路输出导纳

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 1千赫

公元前856 ...公元前859一

公元前856 B ...公元前860 B

公元前857 ...公元前860

噪声系数

I

C

= 0.2毫安，

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2 k

f

= 30 Hz的... 15千赫

公元前859

公元前860

公元前859

f

= 1千赫，

f

= 200赫兹

公元前860

等效噪声电压

I

C

= 0.2毫安，

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2 k

f

= 10赫兹... 50赫兹

公元前860

半导体集团

4

值

典型值。

马克斯。

单位

f

T

C

敖包

C

IBO

h

11e

–

–

–

250

3

8

–

–

–

兆赫

pF

k

–

–

–

2.7

4.5

8.7

–

–

–

10

– 4

–

–

–

1.5

2.0

3.0

–

–

–

–

–

–

–

200

330

600

–

–

–

S

h

12e

h

21e

h

22e

–

–

–

F

–

–

–

–

V

n

–

1.2

1.0

1.0

1.0

–

4

3

4

4

0.110

18

30

60

–

–

–

dB

V

公元前856 ...公元前860

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;

T

S

)

*包装安装在环氧

集电极 - 基极电容

C

CB0

=

f

(V

CB0

)

发射极 - 基极电容

C

EB0

=

f

(V

EB0

)

允许的脉冲负载

P

TOT最大

/P

TOT DC

=

f

(t

p

)

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

= 5 V

半导体集团

5

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联系人：刘先生

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