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> Q62702-C944
PNP硅达林顿晶体管
q
高电流增益
q
高集电极电流
q
互补型：公元前517 （ NPN ）
2
1
3
公元前516
TYPE
公元前516
记号
–
订购代码
Q62702-C944
引脚配置
1
2
3
C
B
E
包
1)
TO-92
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
C
= 66 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
结 - 壳
2)
R
日JA
R
日JC
≤
200
≤
135
符号
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
值
30
40
10
500
800
100
200
625
150
– 65 … + 150
单位
V
mA
mW
C
K / W
1)
2)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
安装在铝散热片15毫米
×
25 mm
×
0.5 mm.
半导体集团
1
5.91
公元前516
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V,
T
A
= 150 C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4 V
直流电流增益
I
C
能力= 20 mA ;
V
CE
= 2 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 100毫安;
I
B
- 0.1毫安
基射极电压
1)
I
C
= 10毫安;
V
CE
= 5 V
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 20 MHz的
输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
f
T
C
敖包
–
–
200
3.5
–
–
兆赫
pF
V
(BR)CE0
V
(BR)CB0
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
I
EB0
h
FE
V
CESAT
V
BE
–
–
–
–
100
10
100
–
1
1.4
nA
A
A
值
典型值。
马克斯。
单位
30
40
10
–
–
–
–
–
–
V
30 000 –
–
–
–
–
–
V
1)
脉冲测试：
t
≤
300
s,
D
≤
2 %.
半导体集团
2
公元前516
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
;
T
C
)
收藏家Cuto FF电流
I
CB0
=
f
(T
A
)
V
CB
= 30 V
允许的脉冲负载
R
thJA
=
f
(t
p
)
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5 V
半导体集团
3
公元前516
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(V
CESAT
)
h
FE
= 1000
基射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BESAT
)
h
FE
= 1000
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 2 V
电容
C
=
f
(V
EB
,
V
CB
)
半导体集团
4
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Q62702-C944
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QS74FCT2257ATSO
QWS2412
QS74FCT163ATQX
QEUM5130HO3016
QL12X16B-2PF100C
QL4058-0PB456C
QDRA240NL
QEUM5550LN5016
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司
QQ：
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终端采购配单精选
聚芯优品（深圳）控股集团有限公司
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电话：0755-28458422
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