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PNP硅晶体管双
初步数据
q
被用作电流镜
q
良好的热耦合和
V
BE
匹配
q
高电流增益
q
低发射极饱和电压
BCV 62
TYPE
BCV 62个A
BCV 62 B
BCV 62℃
记号
3Js
3Ks
3Ls
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-C2158
Q62702-C2159
Q62702-C2160
引脚配置
包
1)
SOT-143
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
（晶体管T1 ）
集电极 - 基极电压（发射极开路）
（晶体管T1 ）
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基峰电流（晶体管T1 ）
总功耗，
T
S
= 99 C
2)
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
1)
2)
符号
V
CE0
V
CB0
V
EBS
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
值
30
30
6
100
200
200
300
150
– 65 … + 150
单位
V
mA
mW
C
R
日JA
R
日JS
≤
240
≤
170
K / W
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
BCV 62
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
晶体管T1的直流特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10
A,
I
B
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0,
T
A
= 150 C
直流电流增益
1)
I
C
= 0.1毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
V
(BR)CE0
V
(BR)CB0
V
（ BR ）， EBS
I
CB0
–
–
h
FE
BCV 62个A
BCV 62 B
BCV 62℃
V
CESAT
–
–
V
BESAT
–
–
V
BE
600
–
650
–
750
820
700
850
–
–
75
250
300
650
100
125
220
420
–
180
290
520
220
475
800
mV
–
–
15
5
nA
A
–
30
30
6
–
–
–
–
–
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
C
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
C
= 5毫安
基射极电压
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
1)
脉冲测试条件：
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
2
BCV 62
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
晶体管T2的直流特性
基极 - 发射极正向电压的
I
E
= 10
A
I
E
= 250毫安
晶体管T1和T2晶体管的匹配
at
I
E2
= 0.5 mA和
V
CE1
= 5 V
T
A
= 25 C
T
A
= 150 C
晶体管T1的热耦合和
T1:
V
CE
= 5 V
晶体管T2
1)
对于热稳定性最大电流
I
C1
AC特性晶体管T1
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
I
C
=
i
C
= 0,
f
= 1兆赫
输入电容
V
EB
= 0.5 V,
I
C
=
i
C
= 0,
f
= 1兆赫
噪声系数
I
C
= 200
A,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2 k
f
= 1千赫，
B
= 200赫兹
输入阻抗
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
开路反向电压传输比
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
短路正向电流传输比
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
开路输出导纳
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 1千赫
f
T
C
cb
C
IBO
F
–
–
–
–
250
3
8
2
–
–
–
–
dB
兆赫
pF
V
BES
0.4
–
–
–
–
1.8
V
值
典型值。
马克斯。
单位
I
C1
/
I
C2
I
C1
/
I
C2
I
E2
0.7
0.7
–
–
–
5
1.3
1.3
–
mA
h
11e
h
12e
h
21e
h
22e
–
–
100
–
4.5
2
–
30
–
–
900
–
k
10
– 4
–
S
1)
没有发射极电阻。设备安装在氧化铝15毫米
×
16.5 mm
×
0.7 mm.
半导体集团
3
BCV 62
当前匹配测试电路
注：在接触电压降：
V
CO
＆ LT ;
2
V
T
= 16毫伏
3
特性测定
V
CE1
在指定的
R
E
与范围
I
E2
如在参数
条件
I
C1
/
I
E2
= 1.3
注： BCV 62与发射极电阻
半导体集团
4
BCV 62
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/P
TOT DC
=
f
(t
p
)
半导体集团
5
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QS74FCT2821ATSO
QTLP670C34TR
QS5P807BTQ
Q67100-Q2120
QTLP670C-34TR
QL2003-1PF100I
QL12X16-1PL84I
QTLP680C-3
Q60203-Y58-J
QEHC49H3310JO3016
QEUM5310HO3016
Q62702P5053
Q62702-P5053
Q60218-X46-V16
Q68000-A4317
Q6700-A5046
Q67000-A2213
Q62702-C944
Q67040S4714
Q62702-B0886
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    HECC GROUP CO，LIMITED
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    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    Q62702-C2159
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    终端采购配单精选

    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
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    Q62702-C2159
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    Q62702-C2159
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电话：19166203057
联系人：周
地址：广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A
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M/A-COM
21+
16500
原厂原包装
原装正品
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