Silizium - PIN- Fotodiode MIT Tageslichtsperrfilter
硅PIN光电二极管与日光过滤器
SFH 235 FA
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen贝
特点
q
特别适合的应用
880纳米
q
Kurze Schaltzeit （典型值20 ns的）
q
5毫米- Plastikbauform IM LED - Gehuse
q
奥赫gegurtet lieferbar
Anwendungen
q
IR- Fernsteuerung冯Fernseh- UND
880纳米
q
短的切换时间（典型值20 ns的）
q
5毫米LED封装胶
q
也可在带
应用
q
的Hi-Fi和电视机的红外遥控器，视频
Rundfunkgerten ， Videorecordern ，
Lichtdimmern UND Gertefernsteuerungen
q
Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
录音机，调光器，遥控
各种设备
q
光中断
典型值（ * vorher ）
类型（ *原）
SFH 235 FA
（ * SFH 235 ）
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P273
半导体集团
1
1998-04-20
feo06422
SFH 235 FA
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Lttemperatur （ Ltstelle 2毫米VOM
Gehuse entfernt贝Ltzeit
t
≤
3 s)
焊接温度2毫米的距离
从外壳底部（
t
≤
3 s)
Sperrspannung
反向电压
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40 ... + 80
230
统一性
单位
°C
°C
T
op
;
T
英镑
T
S
V
R
P
合计
32
150
V
mW
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 870纳米）
特征
bezeichnung
描述
Fotoempfindlichkeit
光谱灵敏度
V
R
= 5 V,
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
= 10 ％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
Abmessung德bestrahlungsempfindlichen
flche
辐射敏感区尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseober-
flche
距离前面的芯片到外壳表面
Halbwinkel
半角
符号
符号
邂逅相遇，
价值
50 (≥ 40)
统一性
单位
A
S
λ
s最大
λ
900
740 ... 1120
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
H
7
2.65
×
2.65
mm
2
mm
×
mm
0.6 ... 0.8
mm
±
65
毕业生
度。
半导体集团
2
1998-04-20
SFH 235 FA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 870纳米）
特征
（续）
bezeichnung
描述
Dunkelstrom ，
V
R
= 10 V
暗电流
Spektrale Fotoempfindlichkeit
光谱灵敏度
Quantenausbeute
量子产率
Leerlaufspannung ，
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
开路电压
Kurzschluβstrom ，
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
短路电流
Anstiegs- UND Abfallzeit宫Fotostromes
上升和下降的光电流的时间
R
L
= 50
;
V
R
= 5 V;
λ
= 850纳米;
I
p
= 800
A
Durchlaspannung ，
I
F
= 100毫安，
E
= 0
正向电压
Kapazitt ，
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
电容
Temperaturkoeffizient冯
V
O
温度COEF网络cient
V
O
Temperaturkoeffizient冯
I
SC
温度COEF网络cient
I
SC
Rauschquivalente Strahlungsleistung
噪声等效功率
V
R
= 10 V
Nachweisgrenze ，
V
R
= 10 V
检出限
符号
符号
邂逅相遇，
价值
2 (≤ 30)
0.63
0.9
320 (≥ 250)
22
20
统一性
单位
nA
/ W
电子
光子
mV
A
ns
I
R
S
λ
η
V
O
I
SC
t
r
,
t
f
V
F
C
0
TC
V
TC
I
NEP
1.3
72
– 2.6
0.03
4.0
×
10
– 14
V
pF
毫伏/ K
%/K
W
√Hz的
厘米“
√Hz的
W
D*
6.6
×
10
12
半导体集团
3
1998-04-20
BB 689
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
DC特性
反向电流
符号
分钟。
值
典型值。
-
-
马克斯。
10
200
nA
A
单位
I
R
I
R
-
-
V
R
= 30 V
反向电流
V
R
= 30 V,
T
A
= 85 °C
AC特性
二极管电容
C
T
51
39.6
2.6
2.5
56.5
43.4
2.8
2.7
15.5
20.9
-
0.85
0.6
61.5
47.2
3
2.9
17
23.2
2
-
-
pF
V
R
= 1 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 2 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 25 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 28 V,
f
= 1兆赫
电容比
C
T2
/C
T25
C
T1
/C
T28
C
T
/C
T
14.5
18
-
-
-
-
V
R
= 2 V,
V
R
= 25 V,
f
= 1兆赫
电容比
V
R
= 1 V,
V
R
= 28 V,
f
= 1兆赫
电容比
1)
%
nH
V
R
= 1 V,
V
R
= 28 V,
f
= 1兆赫
串联电阻
r
s
L
s
V
R
= 8 V,
f
= 470兆赫
串联电感芯片到地
1）在线路匹配。有关详细信息，请参考应用笔记047
半导体集团
半导体集团
2
2
Mar-11-1998
1998-11-01
