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硅PIN二极管
BAR 14-1
... BAR 16-1
q
RF开关
q
射频衰减器,用于频率高于10兆赫
q
低失真因素
q
的电特性的长期稳定性
TYPE
BAR 14-1
记号
L7
订购代码
(磁带和卷轴)
Q62702-A772
引脚配置
1)
SOT-23
BAR 15-1
L8
Q62702-A731
BAR 16-1
L9
Q62702-A773
每个二极管的最大额定值
参数
反向电压
正向电流
总功耗,
T
S
65 C
2)
结温
存储温度范围
工作温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
1)
2)
符号
V
R
I
F
P
合计
T
j
T
英镑
T
op
100
140
250
150
– 55 … + 150
– 55 … + 150
单位
V
mA
mW
C
R
日JA
R
日JS
500
340
K / W
有关详细信息,请参阅本章包装纲要。
包安装在氧化铝15毫米
×
16.7 mm
×
0.7 mm.
半导体集团
1
07.94
BAR 14-1
... BAR 16-1
每二极管电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
反向电流
V
R
= 50 V
V
R
= 100 V
正向电压
I
F
= 100毫安
二极管电容
V
R
= 50 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 0,
f
= 100兆赫
正向电阻
f
= 100 MHz时,
I
F
= 0.01毫安
I
F
= 0.10毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
零偏压电导
V
R
= 0,
f
= 100兆赫
载流子寿命
I
F
= 10毫安,
I
R
= 6毫安
符号
分钟。
I
R
V
F
C
T
r
f
g
p
τ
L
典型值。
1.05
马克斯。
100
1
单位
nA
A
V
pF
0.25
0.2
2800
380
45
7
50
1
0.5
S
s
0.7
半导体集团
2
BAR 14-1
... BAR 16-1
正向电流
I
F
=
f
(V
F
)
正向电流
I
F
=
f
(T
S
;
T
A
*)
*包安装在aluminia
I
f
正向电阻
r
f
=
f
(I
F
)
f
= 100兆赫
二极管电容
C
T
=
f
(V
R
)
半导体集团
3
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