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GaAIAs -IR- Lumineszenzdiode ( 880 nm)的
GaAIAs红外发射器( 880纳米)
SFH 487 P
面积不平坦
0.7
0.8 0.4
0.4
0.6
0.4
3.1
2.5
2.0
1.7
4.0
3.6
2.54 mm
间距
3.1
2.9
1.8
1.2
29
27
4.5
4.0
阴极
3.5
芯片位置
0.6
0.4
约。重量0.3克
Maβe在毫米,德恩非职权安德斯angegeben /尺寸(mm) ,除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
GaAIAs -IR- Lumineszenzdiode , hergestellt
IM Schmelzepitaxieverfahren
q
霍厄Zuverlssigkeit
q
恩格Toleranz : Chipoberflche /
Bauteiloberkante
q
霍厄Impulsbelastbarkeit
q
固特spektrale Anpassung的
思Fotoempfnger
q
雅适平面Oberflche
q
Gehusegleich麻省理工学院SFH 309
Anwendungen
q
Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb双500千赫
q
全方位学习
特点
q
GaAIAs红外发光二极管,在制造
液相外延工艺
q
高可靠性
q
小公差:芯片表面情况
表面
q
高脉冲处理能力
q
良好的光谱匹配的硅
光电探测器
q
平面
q
同一个包SFH 309
应用
q
光中断
q
光纤传输
典型值
TYPE
SFH 487 P
Bestellnummer
订购代码
Q62703-Q517
Gehuse
3毫米的LED Gehuse ,计划, klares violettes环氧
Gieharz , Anschlüsse IM 2.54 - mm的光栅(
1
/
10
’’),
Anodenkennzeichnung : kürzerer并吞
3毫米LED封装(T 1 ) ,平面,紫色的反
家长环氧树脂,焊片引线间距2.54毫米
(
1
/
10
'') ,阳极标记:短脚
半导体集团
1
1997-11-01
fex06308
GEX06308
SFH 487 P
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrschichttemperatur
结温
Sperrspannung
反向电压
Durchlastrom
正向电流
Stostrom ,
τ ≤
10
s
浪涌电流
Verlustleistung
功耗
Wrmewiderstand ,柏林自由Beinchenlnge
最大。 10毫米
热电阻,之间的引线长度
包装底部和PC板最大。 10毫米
符号
符号
邂逅相遇,
价值
– 55 ... + 100
100
5
100
2.5
200
375
统一性
单位
°C
°C
V
mA
A
mW
K / W
T
op
;
T
英镑
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
R
thJA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge明镜Strahlung
峰值波长
I
F
= 100毫安
Spektrale Bandbreite贝50 %冯
I
最大
,
I
F
= 100毫安
光谱带宽在50%的
I
最大
Abstrahlwinkel
半角
Aktive Chipflche
有源芯片面积
Abmessungen德aktiven Chipflche
有源芯片面积的尺寸
符号
符号
λ
PEAK
邂逅相遇,
价值
880
统一性
单位
nm
λ
80
nm
±65
0.16
0.4
×
0.4
毕业生
度。
mm
2
mm
A
L
×
B
L
×
W
半导体集团
2
1997-11-01
SFH 487 P
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Abstand Chipoberflche二
Gehusevorderseite
距离前面的芯片到外壳表面
Schaltzeiten ,
I
e
冯10 %奥夫90 % UND冯
90 %奥夫10 % ,贝
I
F
= 100毫安,
R
L
= 50
开关时间,
I
e
从10%到90%和
从90 %到10% ,
I
F
= 100毫安,
R
L
= 50
Kapazitt
电容
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
Durchlaspannung
正向电压
I
F
= 100毫安,
t
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
Sperrstrom
反向电流
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluβ
总辐射通量
I
F
= 100毫安,
t
p
= 20毫秒
Temperaturkoeffizient冯
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
温度系数或
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
V
F
,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
V
F
,
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
λ
PEAK
,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
λ
PEAK
,
I
F
= 100毫安
符号
符号
邂逅相遇,
价值
0.4 ... 0.8
统一性
单位
mm
H
t
r
,
t
f
0.6/0.5
s
C
o
25
pF
V
F
I
R
1.5
( <
1.8)
3.0
( <
3.8)
0.01
(≤
1)
V
A
Φ
e
25
mW
TC
I
– 0.5
%/K
TC
V
TC
λ
–2
0.25
毫伏/ K
纳米/ K
半导体集团
3
1997-11-01
SFH 487 P
Strahlstrke
I
e
在Achsrichtung
gemessen贝einem Raumwinkel
= 0.01 SR
辐射强度的分组
I
e
在轴向方向上
在一个立体角
= 0.01 SR
bezeichnung
描述
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 100毫安,
t
p
= 20毫秒
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
符号
邂逅相遇,
价值
统一性
单位
I
e
>2
毫瓦/ SR
I
典型。
30
毫瓦/ SR
辐射特性
I
REL
=
f
()
40
30
20
10
0
1.0
OHR01894
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
90
0.2
0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
半导体集团
4
1997-11-01
SFH 487 P
相对光谱发射
I
REL
=
f
(λ)
100
Ι
REL
%
80
OHR00877
辐射强度
I
e
=
f
(I
F
)
I
e
百毫安
OHR00878
单脉冲,
t
p
= 20
s
10
2
Ι
e
Ι
E( 100毫安)
10
1
马克斯。容许正向电流
I
F
=
f
(T
A
)
125
OHR00880
Ι
F
mA
100
60
10
0
75
40
10
-1
50
20
10
-2
25
0
750
10
-3
800
850
900
950纳米千
λ
10
0
10
1
10
2
10
3
10毫安
4
Ι
F
0
0
20
40
60
80 C 100
T
正向电流,
I
F
=
f
(V
F
)
单脉冲,
t
p
= 20
s
10
1
OHR00881
可允许脉冲处理能力
I
F
=
f
(
τ
),
T
A
= 25
o
C,
占空比
D
=参数
10
4
mA
OHR00886
正向电流随引线长度
包装袋底部和间
PC板
I
F
=
f
(
I
),
T
A
= 25
o
C
120
mA
OHR00949
Ι
F
A
Ι
F
10
0
10
3
0.1
0.2
D
= 0.005
0.01
0.02
0.05
Ι
F
100
80
10
-1
0.5
10
2
DC
60
40
10
-2
t
p
D
=
T
10
-3
1
t
p
Ι
F
T
20
0
1
2
3
4
5
6
V
V
F
8
10
-5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
0
10
1
s 10
2
t
p
0
5
10
15
20
25 mm 30
半导体集团
5
1997-11-01
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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