HMP
描述
1M ×32 SRAM模块
PUMA 84S32000 - 012/015/020
问题2.0 ： 2002年3月
特点
对20年12月15日NS非常快的访问时间。
JEDEC 84' J'含铅的塑料表面贴装
封装。
单5V ±10 ％电源。
用户可配置为8/16/ 32位的宽输出。
工作电源
低功耗待机
全静态操作。
多个接地引脚的最大噪声免疫力。
(32-BIT)
CMOS
5.28 W（最大）
550毫瓦（最大）
榆路，西Chirton工业园，北希尔兹，
NE29 8SE ，英国。电话：+44 （ 0191 ） 2930500.传真+44
(0191) 2590997
彪马84S32000是一个32兆的CMOS高速
组织为1M静态RAM ×32的JEDEC 84针
表面贴装J引线PLCC ，可访问
12倍，15，和为20ns 。输出宽度为用户
使用八个芯片选择可配置为8位，16位或32位
(CS1~8).
该器件具有低功耗待机，多地
引脚最大噪声免疫力和TTL兼容
输入和输出。彪马84S32000提供
节能优势八种标准戏剧性的空间
512Kx8设备。
框图
A0 - A18
WE
OE
512K ×8
SRAM
CS1
512K ×8
SRAM
CS2
512K ×8
SRAM
CS3
D0 - D7
CS5
512K ×8
SRAM
512K ×8
SRAM
D0 - D7
引脚德网络nition
NC
NC
D16
A18
A17
CS4
CS3
CS2
CS1
NC
VCC
CS8
CS7
CS6
CS5
OE
WE
A16
A15
A14
D15
11 10 9
8
7
6
5
4
3
2
1 84 83 82 81 80 79 78 77 76 75
74
73
72
71
70
69
68
D8 - D15
CS6
D8 - D15
D16 - D23
CS7
512K ×8
SRAM
D16 - D23
512K ×8
SRAM
CS4
D24 - D31
CS8
512K ×8
SRAM
D24 - D31
NC
NC
D17
D18
D19
GND
D20
D21
D22
D23
VCC
D24
D25
D26
D27
GND
D28
D29
D30
NC
NC
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53
PUMA 84S32000
意见
从
以上
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
NC
NC
D14
D13
D12
GND
D11
D10
D9
D8
VCC
D7
D6
D5
D4
GND
D3
D2
D1
NC
NC
NC
NC
D31
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
VCC
引脚功能
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
无连接
电源（+ 5V）的
地
A0 ~ A18
D0 ~ D31
CS1 8
WE
OE
NC
V
CC
GND
包详细信息
塑料84 J-引线JEDEC PLCC
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
D0
NC
NC
PUMA 84S32000
- 012/015/020
问题2.0 ： 2002年3月
直流工作条件
绝对最大额定值
(1)
参数
任何引脚相对于V电压
SS
功耗
储存温度
符号
V
T(2)
P
T
T
英镑
民
-0.5
-
-65
典型值
-
-
-
最大
7.0
5.0
150
单位
V
W
o
C
注：（ 1 ） ，超出上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值
并且该装置在超过或高于任何其他条件的功能的操作指示的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
(2) V
T
可以是小于8ns的-2.0V脉冲。
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
AI
民
4.5
2.2
-0.3
0
-40
典型值
5.0
-
-
-
-
最大
5.5
V
CC
+0.5
0.8
70
85
单位
V
V
V
o
C
o
C（后缀I）
（商业）
（工业级）
DC电气特性
(V
CC
= 5V ±10 ％ ， -40 85℃ ）
参数
的I / P漏电流
地址， OE ， WE
符号测试条件
I
LI
I
LO
32位模式
16位模式
8位模式
最小值典型值
-20
-20
-
-
-
-
-
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
20
20
960
640
480
320
100
0.4
-
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
0V ＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
CC
CS = V
IH ，
V
I / O
= GND到V
CC
分钟。周期， CS = V
IL
, f=f
最大
, I
OUT
= 0毫安
正如上面。
正如上面。
CS = V
IH
, f=f
最大
CS
＆ GT ;
V
CC
-0.2V ， 0.2<V
IN
＆ LT ; V
CC
-0.2V ， F = 0
I
OL
= 8.0毫安
I
OH
= -4.0mA
输出漏电流
工作电源电流
I
CC32
I
CC16
I
CC8
I
SB1
I
SB2
V
OL
V
OH
待机电源电流
输出电压
TTL电平
CMOS电平
注意事项：
1 /典型值是在V
CC
=5.0V,T
A
=25
o
C和指定的加载。
2 / CS上面提到CS1 4 / CS5 8 32位模式
3/
在f = F
最大
地址和数据输入被循环在最大频率。
2
PUMA 84S32000
- 012/015/020
问题2.0 ： 2002年3月
电容
(V
CC
=5V±10%,T
A
=25
o
C)
注：电容计算，不进行测量。
参数
输入电容
I / P电容
I / O容量
（地址， OE ， WE）
（其他）
最坏的情况（ 8位）
符号测试条件
C
IN1
C
IN2
C
I / O
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
最大
70
12
62
单位
pF
pF
pF
AC测试条件
*输入脉冲电平： 0V至3.0V
*输入上升和下降时间： 3ns的
*输入和输出时序参考电平： 1.5V
*输出负载：见下图
* V
CC
=5V±10%
输出负载
I / O引脚
166
1.76V
30pF
操作真值表
CS
H
L
L
L
L
OE
X
L
H
L
H
WE
X
H
L
L
H
数据引脚
高阻抗
数据输出
DATA IN
DATA IN
高阻抗
电源电流
I
SB1
, I
SB2
I
CC32
, I
CC16
, I
CC8
I
CC32
, I
CC16
, I
CC8
I
CC32
, I
CC16
, I
CC8
I
SB1
, I
SB2
模式
待机
读
写
写
高-Z
注：H = V
IH
：L = V
IL
：X = V
IH
或V
IL
上表反映了每一个RAM中的模块上的操作。应当小心，以避免
总线争用使用片选信号的数据线。
3
PUMA 84S32000
- 012/015/020
问题2.0 ： 2002年3月
读周期时序波形
(1,2)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
t
OLZ
t
OH
CS
t
ACS
t
CLZ （ 4,5 ）
t
OHZ （3）
别
在意。
DOUT
数据有效
t
CHZ （3,4,5）
AC读取特性备注
（ 1 ）我们是高的读周期。
（ 2）所有的读周期时序从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
(3) t
CHZ
和T
OHZ
被定义为时间，让输出达到开路条件，并且
未参照的输出电压电平。
（4）在任何给定的温度和电压条件下，叔
CHZ
（max）是小于吨
CLZ
（分）都对于给定的模块
从模块到模块。
（ 5 ）这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
写周期第一时序波形
(1,4)
t
WC
地址
t
WR(7)
OE
t
AS(6)
t
AW
t
CW
CS
别
CARE
WE
t
OHZ(3,9)
t
WP(2)
高-Z
t
DW
t
DH
t
OW
(8)
DOUT
高-Z
DIN
数据有效
5
QQ：2880707522 复制
