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分立半导体
数据表
书, halfpage
M3D088
PMBD2837 ; PMBD2838
高速双二极管
产品speci fi cation
取代1996年4月数据
1996年09月18日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高速双二极管
特点
小型塑料SMD封装
高开关速度:最大。 4纳秒
连续反向电压:
最大。 30 V和50 V分别
反向重复峰值电压:
最大。 35 V和75 V分别
重复峰值正向电流:
最大。 450毫安。
手册中, 4列
PMBD2837 ; PMBD2838
钉扎
记号
CODE
pA5
pA6
1
2
3
描述
阳极(a1)的
阳极(a2)的
共阴极
记号
类型编号
PMBD2837
PMBD2838
2
1
应用
高速开关在如
表面贴装电路。
描述
该PMD2837 , PMD2838包括
两个高速开关二极管
共阴极,制成
平面技术,并封装
小型塑料SMD SOT23
包。
顶视图
2
3
3
MAM108
1
Fig.1简化外形( SOT23 )和符号。
1996年09月18日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高速双二极管
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
每二极管
V
RRM
反向重复峰值电压
PMBD2837
PMBD2838
V
R
连续反向电压
PMBD2837
PMBD2838
I
F
连续正向电流
参数
条件
PMBD2837 ; PMBD2838
分钟。
马克斯。
单位
单二极管装;见图2 ;
注1
双二极管装;见图2 ;
注1
35
75
30
50
215
125
450
V
V
V
V
mA
mA
mA
I
FRM
I
FSM
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
方波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;见图4
t = 1
s
T = 1毫秒
t=1s
65
4
1
0.5
250
+150
150
A
A
A
mW
°C
°C
P
合计
T
英镑
T
j
总功耗
储存温度
结温
T
AMB
= 25
°C;
注1
1.装置安装在一FR4印刷电路板。
1996年09月18日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高速双二极管
电气特性
T
j
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
正向电压
看科幻G.3
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 150毫安
I
R
反向电流
PMBD2837
PMBD2838
C
d
t
rr
二极管电容
反向恢复时间
见图5
V
R
= 30 V
V
R
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
V
R
= 50 V
V
R
= 50 V ;牛逼
j
= 150
°C
F = 1兆赫; V
R
= 0;见图6
参数
条件
PMBD2837 ; PMBD2838
分钟。
马克斯。
单位
715
855
1
1.25
100
40
100
50
2.5
4
mV
mV
V
V
nA
A
nA
A
pF
ns
从我开机时,
F
= 10 mA至
I
R
= 10毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 1毫安;见图7
从我开机时,
F
= 10毫安;
t
r
= 20纳秒;参见图8
V
fr
正向恢复电压
1.75
V
热特性
符号
R
日J- TP
R
日J-一
1.装置安装在一FR4印刷电路板。
参数
从结热阻,以配合点
从结点到环境的热阻
注1
条件
价值
360
500
单位
K / W
K / W
1996年09月18日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高速双二极管
图形数据
PMBD2837 ; PMBD2838
300
IF
(MA )
200
MBD033
手册, halfpage
300
MBG382
IF
(MA )
(1)
(2)
(3)
单二极管装
200
双二极管装
100
100
0
0
100
牛逼AMB ( C)
o
0
200
0
1
VF ( V)
2
设备安装在一FR4印刷电路板。
(1) T
j
= 150
°C;
典型值。
(2) T
j
= 25
°C;
典型值。
(3) T
j
= 25
°C;
最大值。
Fig.2
允许的最大持续前进
电流作为环境的函数
温度。
Fig.3
正向电流为正向功能
电压。
10
2
手册,全页宽
IFSM
(A)
MBG704
10
1
10
1
1
10
10
2
10
3
TP (微秒)
10
4
基于方波电流。
T
j
= 25
°C
前激增。
图4最大允许非重复峰值正向电流的脉冲持续时间的函数。
1996年09月18日
5
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