SENSITRON
半导体
技术参数
数据表4159 ， REV 。 -
PFCM-1500C
非密封
功率因数校正模块
产品特点：
密封包装
600伏， 0.21欧姆， 26.0A MOSFET
超快速二极管
整流桥
散热器安装
1500/3000 WATT PFC
MOSFET评级
最大额定值
所有评级ARE AT＆T
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
V
GS
I
D
I
D
T
OP
/T
英镑
P
D
分钟。
-
-
-
-55
-
典型值。
-
-
-
-
-
马克斯。
±30
26
17
+150
470
单位
伏
安培
安培
°C
瓦
等级
栅极至源极电压
通态漏电流
@ T
C
= 25°C
通态漏电流
@ T
C
= 100°C
工作和存储温度
器件总功耗@ T
C
= 25°C
电气特性
特征
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
静态漏极至源极通态电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 16A
栅极阈值电压V
DS
=V
GS
, I
D
= 250uA
正向跨导
V
DS
= 50V ，我
DS
= 16.0A
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
门源漏FORWARD
V
GS
= 30V
门源漏反向
V
GS
= -30V
打开延迟时间
V
DD
= 300V,
上升时间
I
D
= 26A,
关闭延迟时间
R
G
= 4.3
下降时间
总栅极电荷
I
D
= 26A,
符号
BV
DSS
分钟。
600
-
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
3.0
13
-
I
DSS
I
GSS
t
D（上）
t
r
t
（六中）D
t
f
Q
g
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
50
2000
100
-100
31
110
47
42
180
A
nA
0.25
5.0
-
伏
S(1/)
马克斯。
-
单位
伏
纳秒
-
-
nC
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
电话（ 631 ） 586-7600
传真：（ 631 ） 242-9798
万维网网站 - http://www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
PFCM-1500C
SENSITRON
技术参数
数据表4159 ， REV 。 -
电气特性 - MOSFET额定值 - 续。
特征
门源费
栅漏电荷
二极管的正向电压
V
GS
= 10V
V
DS
=480V
T
C
= 25 ° C，I
S
= 26A,
V
GS
= 0V
反向恢复电荷
T
J
= 25°C,
的di / dt
≤
100A /微秒，V
DD
≤
50V
反向恢复时间
T
J
= 25°C,
I
F
= 26A,
的di / dt
≤
100A/sec
热阻
输入电容
V
GS
= 0 V
输出电容
V
DS
= 25 V
反向传输电容
F = 1.0MHz的
符号
Q
gs
Q
gd
V
SD
Q
RR
t
rr
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
马克斯。
61
85
1.5
10
250
纳秒
RthJC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
.25
5020
450
34
O
单位
nC
nC
伏
C
C / W
pF
-
-
二极管桥额定值
MAX 。额定值/电气特性
所有评级ARE AT＆T
A
= 25℃ ，除非另有规定。
等级
峰值反向电压（ PIV ）
平均直流输出
(I
o
)
条件
-
T
C
= 100 C
t
p
= 8.3 ms单
半周期正弦
波，
叠加
额定负荷
I
f
= 50Adc
(300
微秒
脉冲，
占空比< 2 ％ ）
o
o
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
800
50
500
单位
VDC
安培
安培（ PK）
电流（T
C
=情况下的温度）
峰值单周期浪涌
电流（I
FSM
)
最大正向电压
每腿（V
f
)
热阻
最大瞬时
反向电流在额定
（ PIV ）
-
-
1.2
伏
O
1.5
T
A
= 25° C
T
A
= 100° C
-
-
5.0
300
C / W
μAMPS
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技术参数
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超快整流器评级
最大额定值
等级
峰值反向电压每支架
MAX直流输出电流（T
C
= 100℃）共阴/阳极
最大浪涌电流（T
C
= 25℃ ， T = 8.3毫秒），每支架
反向恢复时间（I
f
= 25A ，的di / dt = 100A /微秒，V
R
= 30V ，T
C
=25 C)
热阻
最大工作和存储温度范围
热门/ TSTG
O
O
O
所有评级ARE @ T
A
= 25
°c
除非另有说明
符号
PIV
I
O
I
FSM
最大
800
25
100
50
1.5
-55
到+
150
单位
伏
安培
安培
纳秒
O
C / W
°C
电气CHARACTRISTICS
CHARACTRISTIC
T
C
= 25
°C
(I
f
= 25
T
C
= 100
°C
(I
f
= 25
符号
V
f
V
f
I
r
I
r
最大
.
2.60
2.45
200
2
单位
伏
伏
A
mA
最大正向电压降，脉冲，每支架
安培）
最大正向电压降，脉冲，每支架
安培）
每站最大反向电流
每站最大反向电流
T
C
= 25
°C
I
r
@ 800V PIV
T
C
= 100
°C
I
r
@ 800V PIV
模块评级
°C
最大工作和存储温度范围
热门/ TSTG
-55
到+
150
1.1
o
平均热阻
R
thJC
C / W
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机械尺寸： （英寸）
针
NUM BER
1
2
3
4
5
6
7
8
（双
使用）
设备
桥式整流器
桥式整流器
桥式整流器
MOSFET
超快整流器
超快整流器
MOSFET
MOSFET
桥式整流器
功能
AC输入
AC输入
+ DC输出
漏
阳极
阴极
门
来源
- 直流输出
1
8
原理图
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