光电晶体管
PNZ150L
硅NPN光电晶体管
单位：mm
3.5±0.2
4.8±0.3
2.4 2.4
没有焊接
对于光控系统
特点
高灵敏度
宽的光谱灵敏度，适合用于检测的GaAs发光二极管
低暗电流
体积小，超薄侧视型封装
4.5±0.3
4.2±0.3
2.3
1.9
42.7±1.0
2.2
14.5
2.95
1.0
2-1.12
2-0.45±0.15
0.4±0.15
1.2
2-0.6±0.15
2-0.45±0.15
1
2
2.54
R1.75
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
集电极到发射极电压
集电极电流
集电极耗散功率
工作环境温度
储存温度
符号
V
首席执行官
I
C
P
C
T
OPR
T
英镑
评级
20
20
100
-25至+85
-30到+100
单位
V
mA
mW
C
C
1 ：发射器
2 ：收藏家
光电特性
（ TA = 25°C ）
参数
暗电流
灵敏度红外线发射器
集电极饱和电压
峰值灵敏度波长
响应时间
验收半角
*1
符号
I
首席执行官
S
IR*1
V
CE （ SAT ）
λ
P
t
r
, t
f*2
θ
V
首席执行官
= 10V
条件
V
CE
= 10V ， H = 15μW /厘米
2
V
CE
= 10V ， H = 15μW /厘米
2
V
首席执行官
= 10V
V
CC
= 10V ，我
CE （L）的
= 5毫安，R
L
= 100
测量从光轴到半功率点
民
16
典型值
0.01
0.2
800
4
35
最大
0.2
0.5
单位
A
A
V
nm
s
度。
测量是使用红外光（ λ = 940纳米）作为光源进行。
*2
响应时间测量电路
Sig.IN
V
CC
（输入脉冲）
Sig.OUT （输出脉冲）
90%
10%
t
d
t
r
t
f
t
d
：延迟时间
t
r
：上升时间（所需要的时间，以收集光电流
从10％提高到90％其最终值的）
t
f
：下降时间（时间要求的集电极电流照片
减少从90％到其初始值的10％）
,,
,,
,,
50
R
L
1
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