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光电晶体管
PNA1601
硅NPN光电晶体管
对于光控系统
特点
高灵敏度
宽的光谱灵敏度,适用于检测各种发光二极管
12.5±1.0
0.8
0.5 MAX 。
门休息
单位:mm
1.4±0.2
1.2±0.2
(0.4)
2.6±0.2
C0.5 0.8
R0.55
2.0
0.7
2.5±0.2
1.7
超小型,超薄侧视型封装
2-0.7
2-0.45
0.15
2
1
2.0
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
集电极到发射极电压
集电极电流
集电极耗散功率
工作环境温度
储存温度
符号
V
首席执行官
I
C
P
C
T
OPR
T
英镑
评级
20
20
50
-25至+65
-30至+85
单位
V
mA
mW
C
C
1 :收藏家
2 :发射器
光电特性
( TA = 25°C )
参数
暗电流
灵敏度红外线发射器
峰值灵敏度波长
验收半角
上升时间
下降时间
集电极饱和电压
*1
*2
符号
I
首席执行官
S
IR*1
λ
P
θ
t
r*2
t
f*2
V
CE ( SAT )
V
CE
= 10V
条件
V
CE
= 10V , H = 15μW /厘米
2
V
CE
= 10V
测量从光轴到半功率点
V
CC
= 10V ,我
CE (L)的
= 5毫安
R
L
= 100
I
CE (L)的
= 10μA , H = 15μW /厘米
2
3
典型值
最大
0.2
单位
A
A
nm
度。
s
s
850
35
4
4
0.5
V
测量是使用红外光( λ = 940纳米)作为光源进行。
切换时间测量电路
Sig.IN
V
CC
(输入脉冲)
Sig.OUT (输出脉冲)
90%
10%
t
d
t
r
t
f
t
d
:延迟时间
t
r
:上升时间(所需要的时间,以收集光电流
从10%提高到90%其最终值的)
t
f
:下降时间(时间要求的集电极电流照片
减少从90%到其初始值的10%)
,,
,,
,,
50
R
L
1
光电晶体管
PNA1601
P
C
- TA
60
2.0
I
CE (L)的
— V
CE
TA = 25°C
T = 2856K
L = 1000 LX
10
I
CE (L)的
— L
I
CE (L)的
(MA )
V
CE
= 10V
TA = 25°C
T = 2856K
集电极耗散功率P
C
( mW)的
50
I
CE (L)的
(MA )
1.6
1
40
集电极电流照片
集电极电流照片
1.2
30
10
–1
LX 500
0.8
20
10
–2
10
0.4
0
– 20
0
20
40
60
80
100
0
0
4
8
12
16
20
24
10
–3
1
10
10
2
10
3
环境温度
的Ta ( ℃)
集电极到发射极电压
V
CE
(V)
照度
L( LX )
I
首席执行官
- TA
10
V
CE
= 10V
10
I
CE (L)的
- TA
V
CE
= 10V
T = 2856K
100
光谱灵敏度特性
V
CE
= 10V
TA = 25°C
I
CE (L)的
(MA )
暗电流I
首席执行官
( nA的)
1
1
S (%)
相对灵敏度
0
40
80
120
80
10
–1
集电极电流照片
60
40
10
–1
10
–2
20
10
–3
– 40
0
40
80
120
10
–2
– 40
0
600
700
800
900
1000 1100 1200
环境温度
的Ta ( ℃)
环境温度
的Ta ( ℃)
波长
λ
(纳米)
指向特性
0
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
20
10
3
t
r
— I
CE (L)的
V
CE
= 10V
TA = 25°C
10
3
t
f
— I
CE (L)的
V
CE
= 10V
TA = 25°C
相对灵敏度S (%)
30
10
2
10
2
t
r
(s)
t
f
(s)
40
50
60
70
80
90
10
R
L
= 1k
500
100
10
R
L
= 1k
500
100
上升时间
1
下降时间
10
2
1
10
–1
10
–1
10
–2
10
–2
10
–1
1
10
10
–2
10
–2
10
–1
1
10
10
2
集电极电流照片
I
CE (L)的
(MA )
集电极电流照片
I
CE (L)的
(MA )
2
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