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87C51 80C51BH 80C31BH

CHMOS单片8位微控制器

商务快车

87C51 80C51BH 80C51BHP 80C31BH

见表1扩散选项

高性能CHMOS EPROM

24 MHz工作

改进的快速脉冲编程

算法

3级程序存储器锁定

布尔处理器

128字节的数据RAM

32个可编程I O线

2个16位定时计数器

扩展级温度范围

(

40℃

85 C)

5个中断源

可编程串行端口

TTL和CMOS兼容逻辑

水平

64K外部程序存储器

64K外部数据存储器空间

ONCE模式利于系统测试

功率控制模式

空闲

掉电

存储器组织

程序内存高达4 KB的程序存储器可以驻留在芯片（除80C31BH ）在

此外，该器件可处理多达64K的程序存储器的外部芯片

数据存储器该微控制器具有一个128 ×8片内RAM此外，它可以处理多达64 KB的

外部数据存储器

英特尔87C51 80C51BH 80C31BH是一个单芯片控制导向型微控制器，它被制造在

英特尔的可靠的CHMOS III -E技术身为MCS 51控制器系列中的一员

87C51 80C51BH 80C31BH采用了同样强大的指令集具有相同的架构，是针换

引脚与现有产品的MCS 51系列控制器兼容

该80C51BHP是相同的80C51BH订货时的80C51BHP客户必须提交64

字节加密表连同ROM代码锁定位1将被设置为启用内部ROM代码

保护并同时允许代码验证

随着两种低功耗模式：空闲和掉电使极低的运行功率

这部分非常适合低功耗应用的空闲模式冻结CPU ，但允许RAM

定时器计数器串行口和中断系统可继续工作，掉电模式保存

RAM中的内容，但冻结振荡器产生的所有其他芯片功能不起作用

对于本文档的其余部分的87C51 80C51BH和80C31BH将被称为87C51 BH

除非信息适用于特定的设备

其他品牌和名称是其各自所有者的财产

本文档中的信息均与英特尔产品相关的英特尔概不承担任何责任，包括侵犯任何专利或

版权销售英特尔产品和使用，除非在英特尔的条款和条件出售此类产品的英特尔保留作出正确的规定

修改这些参数，恕不另行通知微电脑产品随时可能有轻微的变化，以本规范勘误表

版权

英特尔公司1995年

1995年10月

订单号272335-003

87C51 80C51BH 80C31BH

表1扩散选项

标准

80C31BH

80C51BH

80C51BHP

87C51

笔记

-1 3 5

-2 0 5

-24 3 5

兆赫

-1

-2

-24

20%

272335 –1

图1 87C51 BH框图

87C51 80C51BH 80C31BH

工艺信息

在87C51 BH是在CHMOS III -E制造

过程中附加的工艺和可靠性信息

化可在英特尔的

零部件质量

可靠性手册

订单号210997

套餐

部分

87C51 BH

PREFIX

套餐类型

40引脚塑料

拨码（ OTP）的

40引脚CERDIP

（EPROM）

44引脚PLCC （ OTP ）

44引脚QFP （ OTP ）

272335 –3

272335 –2

PLCC

DIP

272335 – 4

请勿将保留引脚

QFP

图2引脚连接

87C51 80C51BH 80C31BH

端口2还接收一些控制信号和

在EPROM编程高阶地址位

和程序验证

端口3

P3是一个8位双向I O端口

内部上拉电阻的端口3输出缓冲器可驱动

LS TTL输入端口3引脚具有1的写入

他们是拉高由内部上拉电阻和

这种状态可以作为输入作为输入端口3

管脚被外部拉低，将输出电流

在数据表），因为上拉的

端口3还提供各种特殊的功能

在MCS- 51系列的特点，列出如下

针

P3 0

P3 1

P3 2

P3 3

P3 4

P3 5

P3 6

P3 7

名字

RXD

TXD

INT0

INT1

备用功能

串行输入线

串行输出线

外部中断0

外部中断1

定时器0外部输入

定时器1外部输入

外部数据存储器写选通

外部数据存储器读选通

引脚说明

正常待机和电源，在电压

向下操作

电路接地

端口0

P0口是一个8位漏极开路双向I O

端口作为输出端口的每个引脚可以吸收几个LS

TTL输入端口0有1的写信给他们

浮起并在该状态下，可作为高阻抗

ANCE输入

P0口还复低位地址和

数据总线时访问外部存储器。在此

应用它但排放时使用强大的内部上拉

婷1的

P0口也EPROM中接收到的字节码

编程和输出过程中的字节码

程序验证外部上拉是必需的

在程序验证

端口1

P1口是一个8位双向I O端口

内部上拉电阻的端口1的输出缓冲器可驱动

LS TTL输入端口1引脚具有1的写入

他们是拉高由内部上拉电阻和

这种状态可以作为输入作为输入端口1

管脚被外部拉低，将输出电流

就因为内部上拉的数据表）

UPS

端口1也接收低位地址字节

在EPROM编程和程序verifica-

化

端口2

端口2是一个8位双向I O端口

内部上拉P2口具有1的写入

他们是拉高由内部上拉电阻和

这种状态可以作为输入作为输入端口2

管脚被外部拉低，将输出电流

就因为内部上拉的数据表）

UPS

端口2时发出的高位地址字节

从外部程序存储器，并在取

访问到使用16位外部数据存储器

地址（ MOVX DPTR）在本申请中，它使用

发射1级的时候强大的内部上拉

过程中使用外部数据存储器访问

8位地址（ MOVX RI）端口2发出CON组

的P2特殊功能寄存器帐篷

3口也接收一些控制信号

EPROM编程和程序验证

RST

复位输入高该引脚上出现两个机器

周期而振荡器运行复位DE-

副端口引脚将被驱动为重设条件

化时，最小V

IH1

电压被施加wheth-

呃振荡器运行与否的一个内部上拉

下拉电阻允许一个上电复位，只有一

电容器连接到V

ALE PROG

地址锁存使能输出信号

访问期间，锁存地址的低字节

外部存储器该引脚也是程序

脉冲输入（PROG）在EPROM编程为

在87C51

如果需要的话ALE操作可以通过设置被禁用

位的SFR位置8EH 0通过该位设置引脚

微弱拉高然而，禁止ALE为特色的

TURE会MOVX或MOVC期间暂停IN-

梁支空闲模式掉电模式和ICE

模式ALE禁用功能将被终止

复位当ALE禁用功能被暂停或

终止ALE引脚将不再被上拉

弱设置ALE-禁止位，如果有没有影响

微控制器处于外部执行模式

87C51 80C51BH 80C31BH

在正常操作中，ALE以恒定的发射

1 6的振荡频率和速率可以是

用于外部定时或时钟使用注意事项

然而，一个ALE脉冲在每个跳过

访问外部数据存储器

PSEN

程序存储使能是读选通

外部程序存储器当87C51 BH是

从内部程序存储器PSEN是执行

无效（高）当设备执行代码

从外部程序存储器PSEN被激活

每个机器周期，除了两个PSEN两次

激活是在每次访问克斯特跳过

内部数据存储器

EA V

外部访问允许EA必须

绑V

为了使87C51 BH到

获取外部程序存储器位置的代码

开始0000H高达然而， FFFFH注意

如果锁定位的编程逻辑

在EA级复位过程中被内部锁存

EA必须到V

内部程序

执行

该引脚也接收了编程电源电压

年龄（V

）在EPROM编程

XTAL1

输入到振荡器反相放大器

XTAL2

从反相振荡器输出amplifi-

振荡器特性

XTAL1和XTAL2分别为输入和输出respec-

一个反相放大器，它以被配置的tively

用作片上振荡器如图置的

科幻gure 3

为了从外部时钟源驱动器件

而XTAL2留不整合XTAL1应该是驱动

连接的，如图4没有要求一

在外部时钟信号的占空比ments

由于输入到内部时钟电路是

通过除以2的触发器，但最小和

在数据规定的最大高电平和低电平时间

板材必须遵守

外部振荡器可能会遇到的一样多

100 pF负载在XTAL1启动时，这是由于

到放大器和反馈互动

电容一旦外部信号满足V

和V

规格的电容将不会EX-

CEED 20 pF的

272335– 6

图4外部时钟驱动

272335 –5

图3使用片上振荡器