飞利浦半导体
初步speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
特点
额定重复性雪崩
快速开关
稳定的关闭状态特性
高的热循环性能
低热阻
PHP11N50E ， PHB11N50E ， PHW11N50E
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 500 V
g
I
D
= 10.4 A
R
DS （ ON）
≤
0.6
s
概述
的N-沟道增强型场效应功率晶体管，用于在离线使用开关式电源，
T.V.和电脑显示器电源，直流以直流转换器，电机控制电路和通用切换
应用程序。
该PHP11N50E是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。
该PHW11N50E是在SOT429 （ TO247 ）传统的含铅封装。
该PHB11N50E是在SOT404表面安装封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
描述
门
漏
1
来源
SOT78 （ TO220AB ）
TAB
SOT404
TAB
SOT429 （ TO247 ）
2
漏
1 23
1
3
1
2
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
存储温度范围
条件
T
j
= 25 °C至150°C
T
j
= 25 °C至150°C ;
GS
= 20 k
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
500
500
±
30
10.4
6.6
42
156
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
1
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
1998年1月
1
启1.000
飞利浦半导体
初步speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
雪崩能量极限值
PHP11N50E ， PHB11N50E ， PHW11N50E
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
E
AS
E
AR
I
AS
, I
AR
非重复性雪崩
能源
重复性雪崩能量
2
重复和不重复
雪崩电流
条件
非钳位感性负载时，我
D
= 10.4 A;
V
DD
≤
50 V ;起始物为
j
= 25 ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V
分钟。
-
-
-
马克斯。
676
16.9
10.4
单位
mJ
mJ
A
热阻
符号参数
R
日J- MB
R
日J-一
热阻结
安装基座
热阻结
到环境
条件
分钟。
-
SOT78封装，在自由空气
SOT429封装，在自由空气
SOT404封装，PCB安装，最小值
脚印
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
60
45
50
0.8
-
-
-
K / W
K / W
K / W
K / W
电气特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号参数
漏源击穿
电压
V
（ BR ） DSS
/漏极 - 源极击穿
T
j
电压温度
系数
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
栅极阈值电压
V
GS （ TO ）
g
fs
正向跨导
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
I
GSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
d
L
d
L
s
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
（ BR ） DSS
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
= 0.25毫安
分钟。
500
-
-
2.0
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
0.1
0.5
3.0
7
1
60
10
120
8
65
22
70
145
84
3.5
4.5
7.5
1400
220
125
-
-
0.6
4.0
-
25
500
200
150
10
85
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
%/K
V
S
A
A
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
pF
pF
pF
V
GS
= 10 V ;我
D
= 5.2 A
V
DS
= V
GS
; I
D
= 0.25毫安
V
DS
= 30 V ;我
D
= 5.2 A
V
DS
= 500 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 125 C
栅极 - 源极漏电流V
GS
=
±30
V; V
DS
= 0 V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反馈电容
I
D
= 10.4 ; V
DD
= 400 V; V
GS
= 10 V
V
DD
= 250 V ;
D
= 22
;
R
G
= 5.6
从测得的标签，模具中心
从测得的漏导致的模具中心
（ SOT78和SOT429封装只）
从源铅源测量
焊盘
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
2
限制T的脉冲宽度和重复频率
j
马克斯。
1998年1月
2
启1.000
飞利浦半导体
初步speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
PHP11N50E ， PHB11N50E ， PHW11N50E
源极 - 漏极二极管额定值和特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲电流源（体
二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
T
mb
= 25C
T
mb
= 25C
I
S
= 10.4 ; V
GS
= 0 V
I
S
= 10.4 ; V
GS
= 0 V ;的di / dt = 100 A / μs的
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
-
600
9
10.4
42
1.2
-
-
A
A
V
ns
C
1998年1月
3
启1.000
飞利浦半导体
初步speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
机械数据
尺寸（mm）
净重： 2克
PHP11N50E ， PHB11N50E ， PHW11N50E
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
民
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
民
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值（3×）
0,6
2,4
图1 。 SOT78 （ TO220AB ） ; 2脚连接安装基座。
笔记
1.请遵守一般注意事项对静电放电敏感器件（ESDS ），以防止
损坏MOS栅氧化物。
2.请参阅安装说明SOT78 （ TO220 ）信封。
3.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1998年1月
4
启1.000
飞利浦半导体
初步speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
机械数据
尺寸（mm）
净重： 1.4克
10.3最大
PHP11N50E ， PHB11N50E ， PHW11N50E
4.5最大
1.4最大
11最大
15.4
2.5
0.85最大
(x2)
2.54 (x2)
0.5
图2 。 SOT404 ：中心引脚连接到安装基座。
安装说明
尺寸（mm）
11.5
9.0
17.5
2.0
3.8
5.08
如图3所示。 SOT404 ：焊图案表面安装。
笔记
1.请遵守一般注意事项对静电放电敏感器件（ESDS ），以防止
损坏MOS栅氧化物。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1998年1月
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启1.000
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