PZT651
NPN硅平面
外延晶体管
这NPN硅外延晶体管是专为使用
工业和消费应用。该设备被容纳在
SOT- 223封装，是专为中等功率表
安装应用程序。
SOT- 223封装可以确保水平安装，从而提高了
的热传导，并允许焊点的目视检查。
焊接过程中所形成的引线吸收热应力，从而消除
损坏模具的可能性。
特点
http://onsemi.com
SOT- 223封装HIGH CURRENT
NPN硅晶体管
表面贴装
4
1
2
3
HIGH CURRENT
采用SOT - 223封装可以焊接使用波或回流
采用12毫米磁带和卷轴
使用PZT651T1责令7英寸/ 1000单元卷轴
使用PZT651T3订购13英寸/ 4000单元卷轴
PNP补是PZT751T1
S前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求; AEC - Q101标准和
PPAP有能力
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
*兼容
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
减免上述25℃
存储温度范围
结温
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
价值
60
80
5.0
2.0
0.8
6.4
65
150
150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
W
毫瓦/°C的
°C
°C
SOT223
CASE 318E -04
风格1
集电极2,4
BASE
1
辐射源3
标记图
AYW
651
G
G
1
A
Y
WW
G
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
T
英镑
T
J
（注：微球可在任一位置）
热特性
特征
从热阻
结到环境中的自由空气
最高温度焊接
施行
在焊接洗澡时间
符号
R
qJA
T
L
最大
156
260
10
单位
° C / W
°C
美国证券交易委员会
订购信息
设备
PZT651T1G
SPZT651T1G
包
SOT223
（无铅）
SOT223
（无铅）
航运
1000 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板利用最小
推荐的足迹。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅战略和焊接细节的其他信息，请下载安森美半导体焊接和安装
技术参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2013
八月， 2013
启8
1
出版订单号：
PZT651T1/D
PZT651
NPN
300
270
240
的hFE ， DC电流增益
210
180
150
120
90
60
30
0
10
20
50
100 200
500 1.0 A 2.0 A 4.0 A
I
C
，集电极电流（毫安）
- 55°C
25°C
T
J
= 125°C
的hFE ， DC电流增益
V
CE
= 2.0 V
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
-10 - 20
- 50 -100 - 200 - 500 -1.0 A -2.0 A -4.0 A
I
C
，集电极电流（毫安）
- 55°C
25°C
T
J
= 125°C
PNP
V
CE
= -2.0 V
图1.典型的直流电流增益
图2.典型的直流电流增益
NPN
2.0
1.8
1.6
V，电压（V ）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
100
200
500
1.0 A
I
C
，集电极电流（毫安）
2.0 A
4.0 A
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 2.0 V
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V，电压（V ）
-2.0
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
-50
-100
PNP
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 2.0 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
-200
-500 -1.0 A
I
C
，集电极电流（毫安）
-2.0 A
-4.0 A
图3.电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图4.电压
PNP
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
I
C
= -10毫安
I
C
= -100毫安
-50 -100-200 -500
I
C
= -500毫安
I
C
= -2.0 A
T
J
= 25°C
NPN
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
I
B
，基极电流（毫安）
50 100 200 500
I
C
= 10毫安我
C
= 100毫安
I
C
= 500毫安
I
C
= 2.0 A
T
J
= 25°C
0
-0.05 -0.1 -0.2 -0.5 -1.0 -2.0 -5.0 -10 -20
I
B
，基极电流（毫安）
图5.集电极饱和区
图6.集电极饱和区
http://onsemi.com
3
PZT651
包装尺寸
SOT- 223 （ TO- 261 ）
CASE 318E -04
ISSUE
注意事项：
1.尺寸和公差符合ASME Y14.5M ，
1994.
2.控制尺寸：英寸。
MILLIMETERS
英寸
暗淡
民
喃
最大
民
喃
0.064
A
1.50
1.63
1.75
0.060
0.002
A1
0.02
0.06
0.10
0.001
0.030
b
0.60
0.75
0.89
0.024
0.121
b1
2.90
3.06
3.20
0.115
0.012
c
0.24
0.29
0.35
0.009
0.256
D
6.30
6.50
6.70
0.249
0.138
E
3.30
3.50
3.70
0.130
0.091
e
2.20
2.30
2.40
0.087
e1
0.037
0.85
0.94
1.05
0.033
L
0.20
0.008
L1
1.50
1.75
2.00
0.060
0.069
H
E
6.70
7.00
7.30
0.264
0.276
0°
10°
0°
q
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
D
b1
4
H
E
E
1
2
3
e1
b
e
A
q
L
L1
C
最大
0.068
0.004
0.035
0.126
0.014
0.263
0.145
0.094
0.041
0.078
0.287
10°
0.08 (0003)
A1
焊接足迹*
3.8
0.15
2.0
0.079
2.3
0.091
2.3
0.091
6.3
0.248
2.0
0.079
1.5
0.059
mm
英寸
SCALE 6 ： 1
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详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
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