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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第59页 > P6KEXXX
P6KE6.8A系列
齐纳瞬态
电压抑制器
单向和双向
该P6KE6.8A系列是专为保护电压敏感
组件由高电压,高能量瞬变。他们有
出色的钳位能力,高浪涌能力,低齐纳
阻抗和快速响应时间。该P6KE6.8A系列供应
安森美半导体专有的,高性价比,高可靠性
Surmetic轴向引线封装,非常适合用于
通信系统,数控系统,过程控制,
医疗设备,商用机器,电源和许多
其他工业/消费应用。
规格特点:
http://onsemi.com
标准的齐纳电压范围 - 11 200 V
峰值功率 - 600瓦@ 1毫秒
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5
A
上述10 V
最大温度系数指定
UL认证
响应时间通常< 1纳秒
SURMETIC–40
齐纳管
瞬态抑制器
6.8-200伏
600瓦峰值功率
5瓦稳态
塑料
CASE 17
机械特性:
案例:
无空隙,传递模塑,热固性塑料
表面处理:
所有的外部表面耐腐蚀和导线
订购信息
设备
P6KEXXXA
P6KEXXXARL
P6KEXXXCA
双向
P6KEXXXCARL
双向
CASE 17
CASE 17
CASE 17
航运
1000单位/箱
磁带和卷轴
4000个/卷
1000单位/箱
磁带和卷轴
4000个/卷
随手可焊
极性:
阴极指示的极性带。当操作
齐纳模式下,将正相对于阳极
安装位置:
任何
晶圆厂地点:
亚利桑那州凤凰城
装配/测试地点:
汉城
CASE 17
最大额定值
等级
峰值功耗( 1 )
@ TL
25°C
稳定状态下的功耗
@ TL
75 ° C,引线长度= 3/8 “
上述TL降额= 75℃
正向浪涌电流( 2 )
@ TA = 25°C
工作和存储温度范围
铅的温度不超过1/16以下“从壳体10秒230℃
注:按照图4 1.非重复性电流脉冲及以上按照图2 TA = 25°C降额。
注意事项:
2. 1/2正弦波(或同等学历方波) , PW = 8.3毫秒,占空比= 4个脉冲每分钟最大。
设备上市
粗体,斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
设备推荐
选择以供将来使用和最佳的整体价值。
符号
PPK
PD
价值
600
5
50
单位
毫瓦/°C的
安培
°C
IFSM
TJ , TSTG
100
- 55 + 150
半导体元件工业有限责任公司1999年
1
1999年12月 - 第2版
出版订单号:
P6KE6.8A/D
P6KE6.8A系列
电气特性
( TA = 25 ° C除非另有说明) VF = 3.5 V最大, IF ** = 50 A
(除了双向装置)。
击穿电压*
VBR
(伏)
设备
6.45
7.13
7.79
8.65
9.5
10.5
11.4
12.4
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
最大
7.14
7.88
8.61
9.55
10.5
11.6
12.6
13.7
工作峰值
g
反向
电压
VRWM
(伏)
5.8
6.4
7.02
7.78
8.55
9.4
10.2
11.1
最大
反向
泄漏
@ VRWM
IR( μA )
1000
500
200
50
10
5
5
5
最大
反向
浪涌
CurrentIRSM
{
电流I
(安培)
57
53
50
45
41
38
36
33
最大
反向电压
@ IRSM
(钳位电压)
VRSM (伏特)
10.5
11.3
12.1
13.4
14.5
15.6
16.7
18.2
最大
温度
系数
VBR ( % / ℃)
0.057
0.061
0.065
0.068
0.073
0.075
0.078
0.081
IT @
(MA )
10
10
10
1
1
1
1
1
P6KE6.8A
P6KE7.5A
P6KE8.2A
P6KE9.1A
P6KE10A
P6KE11A
P6KE12A
P6KE13A
P6KE15A
P6KE16A
P6KE18A
P6KE20A
P6KE24A
P6KE27A
P6KE30A
P6KE33A
P6KE36A
P6KE39A
P6KE43A
P6KE47A
P6KE51A
P6KE56A
P6KE62A
P6KE68A
P6KE75A
P6KE82A
P6KE91A
P6KE100A
P6KE120A
P6KE130A
P6KE150A
P6KE170A
P6KE180A
P6KE200A
14.3
15.2
17.1
19
22.8
25.7
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
44.7
48.5
53.2
58.9
64.6
71.3
77.9
86.5
95
114
124
143
162
171
190
15
16
18
20
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
120
130
150
170
180
200
15.8
16.8
18.9
21
25.2
28.4
31.5
34.7
37.8
41
45.2
49.4
53.6
58.8
65.1
71.4
78.8
86.1
95.5
105
126
137
158
179
189
210
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
12.8
13.6
15.3
17.1
20.5
23.1
25.6
28.2
30.8
33.3
36.8
40.2
43.6
47.8
53
58.1
64.1
70.1
77.8
85.5
102
111
128
145
154
171
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
28
27
24
22
18
16
14.4
13.2
12
11.2
10.1
9.3
8.6
7.8
7.1
6.5
5.8
5.3
4.8
4.4
3.6
3.3
2.9
2.6
2.4
2.2
21.2
22.5
25.2
27.7
33.2
37.5
41.4
45.7
49.9
53.9
59.3
64.8
70.1
77
85
92
103
113
125
137
165
179
207
234
246
274
0.084
0.086
0.088
0.09
0.094
0.096
0.097
0.098
0.099
0.1
0.101
0.101
0.102
0.103
0.104
0.104
0.105
0.105
0.106
0.106
0.107
0.107
0.108
0.108
0.108
0.108
粗体,斜体列出的设备是安森美半导体的首选设备。
***
VBR测量后, IT应用300
s,
IT =方波脉冲或同等学历。
***
1/2正弦波(或同等学历方波) , PW = 8.3毫秒,占空比= 4个脉冲每分钟最大。
{
浪涌电流波形图元和4元图2.减免*
对于双向应用 -
通过P6KE200CA使用CA后缀P6KE6.8CA 。
电特性的应用中是双向的。
首选的双向设备 -
P6KE7.5CA
P6KE11CA
P6KE22CA
P6KE27CA
P6KE20CA
P6KE30CA
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2
P6KE6.8A系列
100
非重复性脉冲
波形所示。
图4
PP ,峰值功率(kw )
10
峰值脉冲降额的%
峰值功率或电流@ TA = 25
°
C
10毫秒
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
1
0.1
0.1
s
1
s
10
s
100
s
1毫秒
总磷,脉冲宽度
TA ,环境温度( ° C)
图1.脉冲额定值曲线
图2.脉冲降额曲线
tr
10,000
C,电容(pF )
100
值(%)
标准@
零偏压
1000
峰值 - IRSM
脉冲宽度( TP)的定义
因为这地步
峰值电流衰减到50 %
IRSM 。作者:
tr
10
s
IRSM
2
半值 -
50
100
标准@
对峙
电压( VR )
0.1
10
100
VBR ,击穿电压(伏)
1
1000
0
0
tP
10
1
2
吨,时间( ms)的
3
4
图3.电容与击穿电压
图4.脉冲波形
PD ,稳态功耗(瓦)
3/8″
降额因子
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100
125 150
175
TL ,焊接温度( ° C)
200
3/8″
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.5
1
10
s
2
5
10
D,占空比( % )
20
50
100
脉冲宽度
10毫秒
1毫秒
100
s
图5.稳态功率降额
图6.典型的降额因子的占空比
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3
P6KE6.8A系列
应用笔记
响应时间
在大多数应用中,瞬变抑制器装置是
平行放置,所述设备或组件是
受保护的。在这种情况下,存在相关联的时间延迟
与器件的电容和过冲
与该装置的电感条件相关联,并且
连接方法的电感。电容
作用是不重要的,在并联保护
方案,因为它只产生的时间延迟,在
从操作电压钳位电压作为过渡
如图A所示
在器件中的电感效应是由于实际
开启时间(所需要的设备,从零到时间
到全电流)和引线电感电流。这种感性
效应产生的过冲在整个电压
设备或组件的保护,如图
B.尽量减少这种过冲是非常重要的
应用中,由于主要目的,用于将瞬时
抑制器是为钳位电压峰值。该P6KE6.8A系列
具有很好的响应时间,通常为< 1纳秒和可以忽略不计
电感。但是,外部感应效应可能
产生不可接受的过冲。正确的电路布局,
最小导线长度,并把抑制装置
关闭尽可能的设备或部件是
保护将这种过冲最小化。
由寻代表的一些输入阻抗是必要的
防止所述保护装置的过应力。这种阻抗
应尽可能地高,而不限制电路
操作。
占空比降额
图1的数据适用于不重复的条件
并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大,
由曲线所指示的峰值功率必须减少
图6.平均功耗必须降低为主角或
环境温度上升到高于25 ℃。平均功率
降额曲线上的数据表,通常给出可能
归一化,并用于此目的。
乍一看图6的降额曲线似乎是
错误为10毫秒的脉冲具有比更高的降额系数
10
s
脉搏。然而,当一降额因子
图6中的给定的脉冲乘以峰值功率值
图1为相同的脉冲,结果按照
预期的趋势。
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4
P6KE6.8A系列
通常的保护电路
VIN
负载
VL
V
VIN(瞬态)
V
过冲DUE TO
电感效应
VIN(瞬态)
VL
VL
VIN
td
TD = TIME DELAY由于电容的影响
t
t
图7 。
网络连接gure 8 。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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