NZQA5V6XV5T1系列
四阵
ESD保护
这四单片硅电压抑制器是专为
应用程序需要的瞬态过电压保护功能。这是
旨在用于电压和ESD敏感设备如
计算机，打印机，商用机器，通信系统，
医疗器械，和其它应用。其常见的四结
阳极保护设计，四个独立的线只用一个包。
这些器件非常适合的情况下电路板空间非常
溢价。
规格特点
http://onsemi.com
SOT- 553封装可将4个独立的单向
CON连接gurations
低漏< 1
mA
@ 3伏的NZQA5V6XV5T1
击穿电压： 5.6伏特 - 6.8伏特@ 1毫安
ESD保护IEC61000-4-2会议 - 4级
机械特性
SOT-553
CASE 463B
塑料
标记图
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
完成耐腐蚀，易焊
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
100 ％无铅， MSL1 @ 260°C回流温度
XX
xx
D
=器件标识
=一个数字日期代码
1
2
3
5
4
订购信息
设备
NZQA5V6XV5T1
NZQA6V2XV5T1
NZQA6V8XV5T1
包
SOT-553
SOT-553
SOT-553
航运
4000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年2月 - 修订版0
出版订单号：
NZQA5V6XV5T1/D
NZQA5V6XV5T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
正向电流
正向电压@ I
F
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
V
F
I
T
V
I
F
I
单向
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
峰值功率耗散（ 8 ×20
ms
@ T
A
= 25 ° C） （注1 ）
稳态功率 - 1二极管（注2 ）
热阻结到环境
高于25 ℃，降额
最高结温
工作结存储温度范围
ESD放电
MIL STD 883C - 法3015-6
IEC1000-4-2 ，空气放电
IEC1000-4-2 ，接触放电
符号
P
PK
P
D
R
qJA
T
JMAX
T
J
T
英镑
V
PP
价值
100
300
370
2.7
150
-55到+150
16
16
9
260
单位
W
mW
° C / W
毫瓦/°C的
°C
°C
kV
无铅焊锡温度（10秒持续时间）
T
L
°C
电气特性
(T
A
= 25°C)
击穿电压
V
BR
@ 1 MA（伏特）
民
5.32
5.89
6.46
喃
5.6
6.2
6.8
最大
5.88
6.51
7.14
漏电流
I
RM
@ V
RM
V
RWM
3.0
4.0
4.3
I
RWM
（MA ）
1.0
0.5
0.1
典型电容
@ 0 V偏置
（注3）
（PF ）
90
80
70
最大
V
F
@ I
F
=
200毫安
(V)
1.3
1.3
1.3
设备
NZQA5V6XV5T1
NZQA6V2XV5T1
NZQA6V8XV5T1
设备
记号
56
62
68
V
C
马克斯@我
PP
V
C
(V)
10.5
11.5
12.5
I
PP
(A)
10
9.0
8.0
1.按照图1的非重复性的电流。
在电源2.只有1二极管。对于在电力， P均4二极管
D
将是25％。安装在FR- 4板分板。
3.电容在f一个二极管= 1兆赫，V的
R
= 0 V ，T
A
= 25°C
http://onsemi.com
2
NZQA5V6XV5T1系列
包装尺寸
SOT - 553 ，5引脚
CASE 463B -01
发行
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
MILLIMETERS
民
最大
1.50
1.70
1.10
1.30
0.50
0.60
0.17
0.27
0.50 BSC
0.08
0.18
0.10
0.30
1.50
1.70
英寸
民
最大
0.059
0.067
0.043
0.051
0.020
0.024
0.007
0.011
0.020 BSC
0.003
0.007
0.004
0.012
0.059
0.067
A
-X-
C
K
4
5
1
2
3
B
-Y-
S
D
G
5 PL
M
J
X Y
0.08 (0.003)
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
S
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
基地1
辐射源1/2
基地2
器2
集热器1
方式2 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
阴极
阳极
阴极
阴极
阴极
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留做出正确的
更改，恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何任何保证，声明或担保
特定用途，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何和所有
赔偿责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或死亡
可能会发生。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
SCILLC是疏忽就部分的设计和制造。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
ONlit@hibbertco.com
N.美国技术支持：
800-282-9855免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
电话：
81-3-5773-3850
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表。
http://onsemi.com
4
NZQA5V6XV5T1/D
NZQA5V6XV5T1系列
四阵
ESD保护
这四单片硅电压抑制器是专为
应用程序需要的瞬态过电压保护功能。这是
旨在用于电压和ESD敏感设备如
计算机，打印机，商用机器，通信系统，
医疗器械，和其它应用。其常见的四结
阳极保护设计，四个独立的线只用一个包。
这些器件非常适合的情况下电路板空间非常
溢价。
规格特点
http://onsemi.com
SOT- 553封装可将4个独立的单向
CON连接gurations
低漏< 1
mA
@ 3伏的NZQA5V6XV5T1
击穿电压： 5.6伏特 - 6.8伏特@ 1毫安
ESD保护IEC61000-4-2会议 - 4级
机械特性
SOT-553
CASE 463B
塑料
标记图
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
完成耐腐蚀，易焊
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
100 ％无铅， MSL1 @ 260°C回流温度
XX
xx
D
=器件标识
=一个数字日期代码
1
2
3
5
4
订购信息
设备
NZQA5V6XV5T1
NZQA6V2XV5T1
NZQA6V8XV5T1
包
SOT-553
SOT-553
SOT-553
航运
4000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年2月 - 修订版0
出版订单号：
NZQA5V6XV5T1/D
NZQA5V6XV5T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
正向电流
正向电压@ I
F
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
V
F
I
T
V
I
F
I
单向
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
峰值功率耗散（ 8 ×20
ms
@ T
A
= 25 ° C） （注1 ）
稳态功率 - 1二极管（注2 ）
热阻结到环境
高于25 ℃，降额
最高结温
工作结存储温度范围
ESD放电
MIL STD 883C - 法3015-6
IEC1000-4-2 ，空气放电
IEC1000-4-2 ，接触放电
符号
P
PK
P
D
R
qJA
T
JMAX
T
J
T
英镑
V
PP
价值
100
300
370
2.7
150
-55到+150
16
16
9
260
单位
W
mW
° C / W
毫瓦/°C的
°C
°C
kV
无铅焊锡温度（10秒持续时间）
T
L
°C
电气特性
(T
A
= 25°C)
击穿电压
V
BR
@ 1 MA（伏特）
民
5.32
5.89
6.46
喃
5.6
6.2
6.8
最大
5.88
6.51
7.14
漏电流
I
RM
@ V
RM
V
RWM
3.0
4.0
4.3
I
RWM
（MA ）
1.0
0.5
0.1
典型电容
@ 0 V偏置
（注3）
（PF ）
90
80
70
最大
V
F
@ I
F
=
200毫安
(V)
1.3
1.3
1.3
设备
NZQA5V6XV5T1
NZQA6V2XV5T1
NZQA6V8XV5T1
设备
记号
56
62
68
V
C
马克斯@我
PP
V
C
(V)
10.5
11.5
12.5
I
PP
(A)
10
9.0
8.0
1.按照图1的非重复性的电流。
在电源2.只有1二极管。对于在电力， P均4二极管
D
将是25％。安装在FR- 4板分板。
3.电容在f一个二极管= 1兆赫，V的
R
= 0 V ，T
A
= 25°C
http://onsemi.com
2
NZQA5V6XV5T1系列
包装尺寸
SOT - 553 ，5引脚
CASE 463B -01
发行
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
MILLIMETERS
民
最大
1.50
1.70
1.10
1.30
0.50
0.60
0.17
0.27
0.50 BSC
0.08
0.18
0.10
0.30
1.50
1.70
英寸
民
最大
0.059
0.067
0.043
0.051
0.020
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0.059
0.067
A
-X-
C
K
4
5
1
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B
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S
D
G
5 PL
M
J
X Y
0.08 (0.003)
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
S
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
基地1
辐射源1/2
基地2
器2
集热器1
方式2 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
阴极
阳极
阴极
阴极
阴极
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留做出正确的
更改，恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何任何保证，声明或担保
特定用途，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何和所有
赔偿责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或死亡
可能会发生。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
SCILLC是疏忽就部分的设计和制造。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
ONlit@hibbertco.com
N.美国技术支持：
800-282-9855免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
电话：
81-3-5773-3850
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表。
http://onsemi.com
4
NZQA5V6XV5T1/D
QQ：2881677436 复制
