NDF05N50Z ， NDD05N50Z
N沟道功率MOSFET
500 V, 1.5
W
特点
低导通电阻
低栅电荷
ESD二极管保护门
100％的雪崩测试
100 ％通过Rg测试
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
http://onsemi.com
V
DSS
500 V
R
DS （ ON）
（最大） 2.2
1.5
W
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
连续漏电流
QJC
连续漏电流
R
QJC
, T
A
= 100°C
漏电流脉冲，V
GS
@ 10 V
功耗
QJC
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量，我
D
=
5.0 A
ESD （ HBM ） （ JESD22 - A114 ）
RMS的隔离电压（ T = 0.3秒，
相对湿度
≤
30%, T
A
= 25℃） （图17）
峰值二极管恢复（注2 ）
连续源电流
（体二极管）
最高温度焊接
LEADS
工作结
存储温度范围
符号
V
DSS
I
D
I
D
I
DM
P
D
V
GS
E
AS
V
ESD
V
ISO
dv / dt的
I
S
T
L
T
J
, T
英镑
NDF
500
5.5
（注1 ）
3.5
（注1 ）
20
30
±30
130
3000
4500
4.5
5
260
55
150
4.7
3
19
83
NDD
单位
V
A
A
A
W
V
mJ
V
V
V / ns的
A
°C
°C
1
2
G (1)
N沟道
D (2)
S (3)
1
3
NDF05N50ZG
TO220FP
CASE 221D
4
3
NDF05N50ZH
TO220FP
CASE 221AH
2
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.通过限制最高结温
2. I
S
= 4.4 A， di / dt的
≤
100 A / MS ，V
DD
≤
BV
DSS
, T
J
= +150°C
4
1
1 2
3
NDD05N50Z1G
IPAK
CASE 369D
2
3
NDD05N50ZT4G
DPAK
CASE 369AA
订购和标识信息
查看详细的订购，标记和航运信息
包装尺寸本数据手册第7页部分。
半导体元件工业有限责任公司， 2013
二月， 2013
启示录6
1
出版订单号：
NDF05N50Z/D
NDF05N50Z ， NDD05N50Z
热阻
参数
结至外壳（漏）
结至环境稳态
NDF05N50Z
NDD05N50Z
（注3 ） NDF05N50Z
（注4 ） NDD05N50Z
（注3） NDD05N50Z -1-
符号
R
QJC
R
qJA
价值
4.2
1.5
50
38
80
单位
° C / W
3.插入安装
4.表面安装在FR4板采用1 “平方焊盘尺寸， （铜面积= 1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极至源极漏电流
BV
DSS
的dBV
DSS
/
DT
J
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
GP
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 250 V，I
D
= 5 A,
V
GS
= 10 V ，R
G
= 5
W
1.5
V
DD
= 250 V，I
D
= 5 A,
V
GS
= 10 V
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
参考25℃ ，
I
D
= 1毫安
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.2 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50
mA
V
DS
= 15 V，I
D
= 2.5 A
421
50
8
9
2
5
3.0
1.25
3.9
3.5
530
68
15
18.5
4
10
6.5
4.5
11
15
24
14
8
632
80
25
28
6
15
V
W
ns
nC
25°C
150°C
500
0.6
1
50
±10
1.5
4.5
mA
W
V
S
pF
V
V /°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅 - 源正向漏
基本特征
（注5 ）
静态漏 - 源
导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
动态特性
输入电容（注6 ）
输出电容（注6 ）
反向传输电容
（注6 ）
总栅极电荷（注6 ）
栅 - 源电荷（注6 ）
栅极 - 漏极（ “米勒” ）费
（注6 ）
高原电压
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
电阻开关特性
源极 - 漏极二极管的特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
5.脉冲宽度
≤
380
女士，
占空比
≤
2%.
6.通过设计保证。
V
SD
t
rr
Q
rr
I
S
= 5 A，V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V, V
DD
= 30 V
I
S
= 5 A， di / dt的= 100 A / MS
255
1.25
1.6
V
ns
mC
http://onsemi.com
2
NDF05N50Z ， NDD05N50Z
典型特征
10.0
T
J
= 150°C
1200
1100
1000
C，电容（pF ）
I
DSS
，漏电（毫安）
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0.1
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
0
0
C
RSS
5
C
国际空间站
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
1.0
C
OSS
10 15 20 25 30 35 40 45
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
50
图7.漏 - 源极漏电流
与电压
15.0
14.0
13.0
12.0
11.0
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图8.电容变化
Q
T
V
DS
V
GS
Q
GS
Q
GD
250
200
150
100
V
DS
= 250 V
I
D
= 5 A
T
J
= 25°C
0
2
4
6
8
10 12 14 16
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
18
50
0
20
图9.栅极 - 源极电压和
漏极至源极电压与总充电
1000
100
I
S
，源电流（ A）
V
DD
= 250 V
I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V
t
D（关闭）
t
r
t
f
t
D（上）
T， TIME （ NS ）
100
10
T
J
= 150°C
1.0
125°C
25°C
55°C
0.3
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
1.2
10
1.0
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0.1
图10.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图11.二极管的正向电压与
当前
http://onsemi.com
4
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
300
QQ：2881677436 复制
