NTE194

硅NPN晶体管

音频功率放大器

描述：

的NTE194是封装在一个标准TO92情况下的硅NPN晶体管放大器。

绝对最大额定值：

集电极 - 发射极电压，V

首席执行官

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160V

集电极 - 基极电压，V

CBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180V

发射极 - 基极电压，V

EBO

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

连续集电极电流，I

C

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫安

器件总功耗（T

A

= + 25°C ） ，磷

D

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为350mW

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.8mW时/°C的

器件总功耗（T

C

= + 25°C ） ，磷

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.0mW /°C的

工作结温范围，T

J

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

热阻，结到外壳，R

thJC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C / W

热阻，结到环境（注1 ） ，R

thJA

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 357 ° C / W

注1 R

thJA

度用焊接到一个典型的印刷电路板的装置。

电气特性：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

Collctor - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

V

（ BR ） CEO

I

C

= 1mA时，我

B

= 0 ，注2

V

（ BR ） CBO

I

C

= 100μA ，我

E

= 0

V

（ BR ） EBO

I

E

= 10μA ，我

C

= 0

I

CBO

I

EBO

V

CB

= 120V ，我

E

= 0

V

CB

= 120V ，我

E

= 0, T

A

= +100°C

发射Cuto FF电流

V

EB

= 4V ，我

C

= 0

180

180

6

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

50

50

50

V

V

V

nA

nA

nA

符号

测试条件

民

典型值

最大单位

注2脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2.0 ％ 。

电气特性（续） ：

(T

A

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

基本特征

（注2 ）

直流电流增益

h

FE

V

CE

= 5V ，我

C

= 1毫安

V

CE

= 5V ，我

C

= 10毫安

V

CE

= 5V ，我

C

= 50毫安

集电极 - 发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

I

C

= 10毫安，我

B

= 1毫安

I

C

= 50mA时我

B

= 5毫安

基射极饱和电压

I

C

= 10毫安，我

B

= 1毫安

I

C

= 50mA时我

B

= 5毫安

小信号特性

电流增益带宽积

输出电容

输入电容

小信号电流增益

噪声系数

f

T

C

敖包

C

IBO

h

fe

NF

V

CE

= 10V ，我

C

= 10毫安中，f = 100MHz的

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

V

BE

= 0.5V ，我

C

= 0中，f = 1MHz的

V

CE

= 10V ，我

C

= 1mA时， F = 1kHz时

V

CE

= 5V ，我

C

= 250μA ，R

S

= 1k,

F = 10Hz到15.7KHz

100

–

–

50

–

–

–

–

–

–

300

6

20

200

8.0

dB

兆赫

pF

pF

80

80

30

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

250

–

0.15

0.20

1.0

1.0

V

V

V

V

符号

测试条件

民

典型值

最大单位

注2脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2.0 ％ 。

0.135 （ 3.45 ）最小

.210

(5.33)

最大

飞机座位

.500

(12.7)

民

0.021 （ 0.445 ）最大直径

ê B C

.100 (2.54)

.050 (1.27)

.165

(4.2)

最大

0.105 （ 2.67 ）最大

0.105 （ 2.67 ）最大

0.205 （5.2 ）最大