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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第394页 > NX3L1T5157GM
NX3L1T5157
低欧姆的单刀双掷开关
版本01 - 2008年9月16日
产品数据表
1.概述
该NX3L1T5157提供一种低欧姆单刀双掷模拟开关，
适合用作模拟或数字多路复用器/多路分用器。它具有数字选择
输入（ S）带施密特触发器的动作，两个独立的输入/输出（ Y0 ， Y1 ）和
通用输入/输出（ Z） 。
在选择输入（ S）施密特触发器动作使电路容忍较慢的输入上升
并在整个V下降时间
CC
范围从1.4 V至3.6 V.
低输入电压阈值允许针S由低逻辑电平信号驱动无
一个显着的增加，电源电流I
CC
。这使得有可能为NX3L1T5157到
切换3.6 V信号与1.8伏的数字控制器，省去了逻辑电平
翻译。
该NX3L1T5157允许与信号幅度高达V
CC
从发送到Y0
或Y1 ，或者从Y0或Y1到Z.它的低导通电阻（ 0.5
)
和平坦度（ 0.13
)
保证
最小衰减和传输信号的失真。
2.特点
I
宽电源电压范围为1.4 V至3.6 V
I
非常低的导通电阻（峰值） ：
N
1.6
（典型值） V
CC
= 1.4 V
N
1.0
（典型值） V
CC
= 1.65 V
N
0.55
（典型值） V
CC
= 2.3 V
N
0.50
（典型值） V
CC
= 2.7 V
I
先开后合式开关
I
高噪声抗扰度
I
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E 3A级超过7500 V
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
N
CDM AEC - Q100-011修订版B超过1000 V
I
CMOS低功耗
I
闭锁性能超过每JESD 78 II类A级100毫安
I
在3.0 V的直接接口， TTL电平
I
控制输入接收电压高于电源电压
I
极低的电源电流，即使在输入低于V
CC
I
高电流处理能力（在3.3 V电源350毫安连续电流）
I
从特定网络版
40 °C
+85
°C
从
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
NX3L1T5157
低欧姆的单刀双掷开关
3.应用
I
手机
I
PDA
I
便携式媒体播放器
4.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围名称
NX3L1T5157GM
40 °C
+125
°C
XSON6
描述
塑料非常薄小外形封装;没有线索;
6终端;体1
×
1.45
×
0.5 mm
VERSION
SOT886
类型编号
5.打标
表2中。
记号
标识代码
DI
类型编号
NX3L1T5157GM
6.功能图
Y1
S
Y1
S
Z
Y0
001aai752
Z
Y0
001aac355
图1 。
逻辑符号
图2 。
逻辑图
NX3L1T5157_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2008年9月16日
2 19
恩智浦半导体
NX3L1T5157
低欧姆的单刀双掷开关
7.管脚信息
7.1钢钉
NX3L1T5157
S
1
6
Y1
V
CC
2
5
GND
Z
3
4
Y0
001aai753
透明的顶视图
图3 。
引脚CON组fi guration SOT886 （ XSON6 ）
7.2引脚说明
表3中。
符号
S
V
CC
Z
Y0
GND
Y1
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
描述
选择输入
电源电压
常见的输入或输出
独立的输入或输出
接地（ 0 V ）
独立的输入或输出
8.功能描述
表4 。
输入端S
L
H
[1]
H =高电压电平; L =低电压电平。
功能表
[1]
通道上
Y0
Y1
NX3L1T5157_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2008年9月16日
3 19
恩智浦半导体
NX3L1T5157
低欧姆的单刀双掷开关
9.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
V
SW
I
IK
I
SK
I
SW
参数
电源电压
输入电压
开关电压
输入钳位电流
开关电流钳位
开关电流
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
SW
＆ GT ;
0.5
V或V
SW
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V;
源出或吸入电流
V
SW
＆ GT ;
0.5
V或V
SW
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V;
脉冲在1毫秒的时间， <占空比为10％ ;
峰值电流
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
[3]
[1]
[2]
条件
民
0.5
0.5
0.5
50
-
-
-
最大
+4.6
+4.6
-
±50
±350
±500
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
V
CC
+ 0.5 V
储存温度
总功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
65
-
+150
250
°C
mW
如果输入电流额定值是所观察到的最小输入电压等级可能被超过。
如果开关钳位电流额定值观察到的最小和最大开关电压额定值可能会超过。
对于XSON6包： 45以上
°C
P的值
合计
减额线性2.4毫瓦/ K 。
10.推荐工作条件
表6 。
V
CC
V
I
V
SW
T
AMB
ΔT/ ΔV
[1]
推荐工作条件
条件
选择输入端S
[1]
符号参数
电源电压
输入电压
开关电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
民
1.4
0
0
40
-
最大
3.6
3.6
V
CC
+125
200
单位
V
V
V
°C
NS / V
V
CC
= 1.4 V至3.6 V
[2]
为了避免下沉接地电流端子Z当终端YN ，横跨双向开关的电压降开关电流FL OWS
不得超过0.4 V.如果开关电流FL OWS到终端Z，没有接地电流会从佛罗里达州码头YN流。在这种情况下，不存在任何限制
对于开关两端的电压降。
适用于控制信号电平。
[2]
NX3L1T5157_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2008年9月16日
4 19
恩智浦半导体
NX3L1T5157
低欧姆的单刀双掷开关
11.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND （地0 V ） 。
符号参数
条件
民
V
IH
高位
输入电压
V
CC
= 1.4 V至1.6 V
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 1.4 V至1.6 V
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
I
I
输入漏
当前
关闭状态
泄漏
当前
导通状态
泄漏
当前
选择输入S;
V
I
= GND至3.6 V ;
V
CC
= 1.4 V至3.6 V
Y0和Y1端口;
V
CC
= 1.4 V至3.6 V ;
SEE
图4
端口;
V
CC
= 1.4 V至3.6 V ;
SEE
图5
0.9
0.9
1.1
1.3
-
-
-
-
-
T
AMB
= 25
°C
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
0.3
0.4
0.4
0.5
-
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
民
0.9
0.9
1.1
1.3
-
-
-
-
-
最大
最大
(85
°C)
(125
°C)
-
-
-
-
0.3
0.4
0.4
0.5
±0.5
-
-
-
-
0.3
0.3
0.4
0.5
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
A
单位
I
S（ OFF）
-
-
±5
-
±50
±500
nA
I
秒（上）
-
-
±5
-
±50
±500
nA
I
CC
电源电流V
I
= V
CC
或GND ;
V
CC
= 3.6 V;
V
SW
= GND或V
CC
另外
V
I
= 2.6 V; V
CC
= 3.6 V;
电源电流V
SW
= GND或V
CC
V
I
= 1.8 V; V
CC
= 3.6 V;
V
SW
= GND或V
CC
V
I
= 1.8 V; V
CC
= 2.5 V;
V
SW
= GND或V
CC
-
-
100
-
690
6000
nA
I
CC
-
-
-
-
-
-
0.35
2.5
50
1.0
35
130
0.7
4
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
5
300
-
-
-
1
5
500
-
-
-
A
A
nA
pF
pF
pF
C
I
C
S（ OFF）
C
秒（上）
输入
电容
关闭状态
电容
导通状态
电容
NX3L1T5157_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2008年9月16日
5 19
NX3L1T5157
低欧姆的单刀双掷模拟开关
版本04 - 2010年3月24日
产品数据表
1.概述
该NX3L1T5157是低欧姆单刀双掷模拟开关适合于使用
作为模拟或数字2： 1多路复用器/多路分用器。它有一个数字选择输入（S ），两个
独立的输入/输出（Y0和Y1）和一个共同的输入/输出（ Z） 。
在数字输入施密特触发器动作使电路容忍较慢的输入上升和
下降时间。低门槛的数字输入允许该器件可通过1.8 V逻辑电平驱动
3.3 V应用程序，而在电源电流I显著增加
CC
。该NX3L1T5157
允许信号，幅度高达V
CC
从发送到Y0或Y1，或从Y0或
Y1到Z.它的低导通电阻（ 0.5
Ω)
和平坦度（ 0.13
Ω)
确保最小衰减
和畸变传输信号的。
2.特点
宽电源电压范围为1.4 V至4.3 V
非常低的导通电阻（峰值） ：
1.6
Ω
（典型值） V
CC
= 1.4 V
1.0
Ω
（典型值） V
CC
= 1.65 V
0.55
Ω
（典型值） V
CC
= 2.3 V
0.50
Ω
（典型值） V
CC
= 2.7 V
0.50
Ω
（典型值） V
CC
= 4.3 V
先开后合式开关
高噪声抗扰度
ESD保护：
HBM JESD22- A114E 3A级超过7500 V
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
CDM AEC - Q100-011修订版B超过1000 V
IEC61000-4-2接触放电超过8000 V的交换机端口
CMOS低功耗
闭锁性能超过每JESD 78 II类A级100毫安
在V 1.8 V控制逻辑
CC
= 3.6 V
控制输入接收电压高于电源电压
极低的电源电流，即使在输入低于V
CC
高电流处理能力（在3.3 V电源350毫安连续电流）
从指定的
40 °C
+85
°C
从
40 °C
+125
°C
恩智浦半导体
NX3L1T5157
低欧姆的单刀双掷模拟开关
3.应用
手机
PDA
便携式媒体播放器
4.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
NX3L1T5157GM
40 °C
+125
°C
名字
XSON6
描述
塑料非常薄小外形封装;没有线索;
6终端;体1
×
1.45
×
0.5 mm
VERSION
SOT886
类型编号
5.打标
表2中。
标记代码
[1]
标识代码
DI
类型编号
NX3L1T5157GM
[1]
销1指示符位于该装置的左下角，下面的标记代码。
6.功能图
Y1
S
Y1
S
Z
Y0
001aai752
Z
Y0
001aac355
图1 。
逻辑符号
图2 。
逻辑图
NX3L1T5157_4
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本04 - 2010年3月24日
2 21
恩智浦半导体
NX3L1T5157
低欧姆的单刀双掷模拟开关
7.管脚信息
7.1钢钉
NX3L1T5157
S
1
6
Y1
V
CC
2
5
GND
Z
3
4
Y0
001aai753
透明的顶视图
图3 。
引脚CON组fi guration SOT886 （ XSON6 ）
7.2引脚说明
表3中。
符号
S
V
CC
Z
Y0
GND
Y1
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
描述
选择输入
电源电压
常见的输入或输出
独立的输入或输出
接地（ 0 V ）
独立的输入或输出
8.功能描述
表4 。
输入端S
L
H
[1]
H =高电压电平; L =低电压电平。
功能表
[1]
通道上
Y0
Y1
NX3L1T5157_4
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本04 - 2010年3月24日
3 21
恩智浦半导体
NX3L1T5157
低欧姆的单刀双掷模拟开关
9.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
V
SW
I
IK
I
SK
I
SW
参数
电源电压
输入电压
开关电压
输入钳位电流
开关电流钳位
开关电流
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
SW
＆ GT ;
0.5
V或V
SW
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V;
源出或吸入电流
V
SW
＆ GT ;
0.5
V或V
SW
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V;
脉冲在1毫秒的时间， <占空比为10％ ;
峰值电流
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
[3]
条件
选择输入端S
[1]
[2]
民
0.5
0.5
0.5
50
-
-
-
最大
+4.6
+4.6
-
±50
±350
±500
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
V
CC
+ 0.5 V
储存温度
总功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[3]
65
-
+150
250
°C
mW
如果输入电流额定值是所观察到的最小输入电压等级可能被超过。
最小和最大开关电压额定值可能会超过如果开关钳位电流额定值观察到，但可能不会
超过4.6 V.
对于XSON6包： 118以上
°C
P的值
合计
减额线性7.8毫瓦/ K 。
10.推荐工作条件
表6 。
V
CC
V
I
V
SW
T
AMB
ΔT/ ΔV
[1]
推荐工作条件
条件
选择输入端S
[1]
符号参数
电源电压
输入电压
开关电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
民
1.4
0
0
40
-
最大
4.3
4.3
V
CC
+125
200
单位
V
V
V
°C
NS / V
V
CC
= 1.4 V至4.3 V
[2]
为了避免下沉接地电流端子Z当终端YN ，横跨双向开关的电压降开关电流FL OWS
不得超过0.4 V.如果开关电流FL OWS到终端Z，没有接地电流会从佛罗里达州码头YN流。在这种情况下，不存在任何限制
对于开关两端的电压降。
适用于控制信号电平。
[2]
NX3L1T5157_4
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本04 - 2010年3月24日
4 21
恩智浦半导体
NX3L1T5157
低欧姆的单刀双掷模拟开关
11.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND （地0 V ） 。
符号参数
条件
民
V
IH
高位
输入电压
V
CC
= 1.4 V至1.6 V
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 3.6 V至4.3 V
V
IL
低电平
输入电压
V
CC
= 1.4 V至1.6 V
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 3.6 V至4.3 V
I
I
输入漏
当前
关闭状态
泄漏
当前
选择输入S;
V
I
= GND为4.3 V ;
V
CC
= 1.4 V至4.3 V
Y0和Y1端口;
SEE
图4
V
CC
= 1.4 V至3.6 V
V
CC
= 3.6 V至4.3 V
I
秒（上）
导通状态
泄漏
当前
端口;看
图5
V
CC
= 1.4 V至3.6 V
V
CC
= 3.6 V至4.3 V
-
-
-
-
±5
±10
-
-
±50
±50
±500
±500
nA
nA
-
-
-
-
±5
±10
-
-
±50
±50
±500
±500
nA
nA
0.9
0.9
1.1
1.3
1.4
-
-
-
-
-
-
T
AMB
= 25
°C
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
0.3
0.4
0.4
0.5
0.6
-
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
民
0.9
0.9
1.1
1.3
1.4
-
-
-
-
-
-
最大
最大
(85
°C)
(125
°C)
-
-
-
-
-
0.3
0.4
0.4
0.5
0.6
±0.5
-
-
-
-
-
0.3
0.3
0.4
0.5
0.6
±1
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
单位
I
S（ OFF）
I
CC
电源电流V
I
= V
CC
或GND ;
V
SW
= GND或V
CC
V
CC
= 3.6 V
V
CC
= 4.3 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
0.35
7.0
2.5
50
1.0
35
130
100
150
4.0
0.7
10.0
4.0
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
690
800
7
1
15
5
300
-
-
-
6000
7000
7
1
15
5
500
-
-
-
nA
nA
μA
μA
μA
μA
nA
pF
pF
pF
ΔI
CC
另外
V
SW
= GND或V
CC
电源电流
V
I
= 2.6 V; V
CC
= 4.3 V
V
I
= 2.6 V; V
CC
= 3.6 V
V
I
= 1.8 V; V
CC
= 4.3 V
V
I
= 1.8 V; V
CC
= 3.6 V
V
I
= 1.8 V; V
CC
= 2.5 V
C
I
C
S（ OFF）
C
秒（上）
输入
电容
关闭状态
电容
导通状态
电容
NX3L1T5157_4
NXP B.V. 2010保留所有权利。
产品数据表
版本04 - 2010年3月24日
5 21
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推荐型号
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