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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第394页 > NTMD4840N
NTMD4840N
功率MOSFET
特点
30 V , 7.5 A ,双N沟道, SOIC- 8
低R
DS ( ON)
为最大限度地减少传导损耗
低电容,以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷,以最大限度地降低开关损耗
双SOIC - 8表面贴装封装节省电路板空间
这是一个Pb - Free设备
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
30 V
R
DS ( ON)
最大
24毫瓦@ 10 V
36毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
7.5 A
应用
磁盘驱动器
DC-DC转换器
打印机
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
(注1 )
功耗
R
qJA
(注1 )
连续漏极
当前
qJA
(注2 )
功耗
R
qJA
(注2 )
连续漏极
当前
qJA
吨< 10秒
(注1 )
功耗
R
qJA
吨< 10秒(注1 )
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C,
t
p
= 10
ms
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
EAS
P
D
I
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
5.5
4.4
1.14
4.5
3.5
0.68
7.5
6.0
1.95
30
55
to
+150
2.0
28
W
A
°C
A
mJ
4840N
A
Y
WW
G
W
A
8
1
W
单位
V
V
A
G
N沟道
D
S
A
标记图
&放大器;引脚分配
D1 D1 D2 D2
8
SOIC8
CASE 751
风格11
4840N
AYWW
G
1
S1 G1 S2 G2
工作结温和存储温度
源电流(体二极管)
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能T
J
= 25 ° C,V
DD
= 30 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 7.5 A
pk
中,L = 1.0毫亨,R
G
= 25
W
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
T
L
260
°C
订购信息
设备
SOIC8
(无铅)
航运
2500 /磁带&卷轴
热电阻额定值
等级
结 - 环境 - 稳态(注1 )
结 - 环境 - t≤10秒(注1 )
结到脚(漏极)
结 - 环境 - 稳态(注2 )
符号
R
qJA
R
qJA
R
QJF
R
qJA
最大
110
64
40
183.5
° C / W
单位
NTMD4840NR2G
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装上使用1英寸平方垫大小, 1盎司铜FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年9月
第1版
1
出版订单号:
NTMD4840N/D
NTMD4840N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明) JK
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压温
漂移系数
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
(注3)
栅极阈值电压
负阈值温度Coeffi-
cient
漏极至源极导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
开关特性
(注4 )
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏极至源极特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复时间
封装寄生效应值
源极电感
排水电感
门电感
栅极电阻
L
S
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
0.66
0.20
1.50
2.0
3.0
nH
nH
nH
W
V
SD
t
RR
T
a
T
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ,D
IS
/d
t
= 100 A / MS ,
I
S
= 2.0 A
V
GS
= 0 V
I
D
= 2.0 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.76
0.58
12.5
7.3
5.2
6.0
nC
ns
1.0
V
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
GS
= 10 V, V
DD
= 15 V,
I
D
= 1.0 A,R
G
= 3.0
W
7.6
5.0
17
3.0
ns
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
Q
G( TOT )
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V,I
D
= 6.9 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,I
D
= 6.9 A
V
GS
= 0 V , F = 1.0兆赫,V
DS
= 15 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
收费,电容和栅极电阻
520
140
70
4.8
1.1
2.1
1.9
9.5
nC
nC
pF
I
D
= 6.9 A
I
D
= 5.0 A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.5
6.0
16
26
15
24
36
3.0
V
毫伏/°C的
mW
S
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
mA
30
18
1.0
10
±100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
DS
= 1.5 V,I
D
= 6.9 A
3.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTMD4840N
典型性能曲线
12
I
D,
漏电流(安培)
10
8
6
3.2 V
4
2
0
3.0 V
2.8 V
2.6 V
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
10V
4.5 V
4.2 V
4V
3.8 V
32
T
J
= 25°C
I
D,
漏电流(安培)
3.4 V
28
24
20
16
12
8
4
0
1.5
2
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
2.5
3
V
DS
10 V
T
J
=
55°C
3.5
4
4.5
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
图1.区域特征
R
DS (ON ) ,
漏极至源极电阻( W)
0.060
0.055
0.050
0.045
0.040
0.035
0.030
0.025
0.020
0.015
3
4
5
6
7
8
9
T
J
= 25°C
I
D
= 6.9 A
R
DS (ON ) ,
漏极至源极电阻( W)
0.030
0.028
0.026
0.024
0.022
0.020
0.018
0.016
0.014
2
3.5
图2.传输特性
T
J
= 25°C
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
10
5
6.5
8
9.5
11
12.5
14
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
I
D,
漏电流(安培)
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
1.65
R
DS (ON ) ,
漏极 - 源极
电阻(标准化)
1.55
1.45
1.35
1.25
1.15
1.05
0.95
0.85
0.75
0.65
50
25
0
25
50
75
100
125
150
100
I
D
= 7.5 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
,漏电( NA)
10000
100000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
1000
T
J
= 125°C
5
10
15
20
25
30
T
J
,结温( ° C)
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTMD4840N
典型性能曲线
T
J
= 25°C
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
VGS ,栅极至源极电压(伏)
700
600
C,电容(pF )
500
400
300
200
100
0
C
RSS
0
5
10
15
20
25
漏 - 源电压(伏)
30
C
OSS
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.9 A
T
J
= 25°C
8
3
5
6
7
4
Q
G
,总栅极电荷( NC)
9
10
Q
GS
Q
GD
V
DS
V
GS
QT
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
100
t
D(关闭)
t
f
T, TIME ( NS )
10
I
S
,源电流(安培)
V
DD
= 15 V
I
D
= 1 A
V
GS
= 10 V
2.5
2
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1.5
1
t
D(上)
t
r
0.5
0
0.4
1
1
10
R
G
,栅极电阻(欧姆)
100
0.5
0.6
0.7
0.8
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
EAS ,单脉冲漏极 - 源
雪崩能量(兆焦耳)
100
ID ,漏极电流( AMPS )
10
ms
10
100
ms
1毫秒
1
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS ( ON)
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
10毫秒
30
25
20
15
10
5
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
= 7.5 A
0.1
dc
0.01
0.01
100
0
25
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
125
50
75
100
T
J
,起动结温( ° C)
150
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
http://onsemi.com
4
NTMD4840N
包装尺寸
SOIC - 8 NB
CASE 751-07
ISSUE AJ
A
8
5
X
B
1
S
4
0.25 (0.010)
M
Y
M
Y
G
K
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3,维A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 ( 0.006 )
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 ( 0.005 ) TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
6. 751-01 THRU 751-06已经过时。 NEW
标准为751-07 。
MILLIMETERS
最大
4.80
5.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.33
0.51
1.27 BSC
0.10
0.25
0.19
0.25
0.40
1.27
0
_
8
_
0.25
0.50
5.80
6.20
英寸
最大
0.189
0.197
0.150
0.157
0.053
0.069
0.013
0.020
0.050 BSC
0.004
0.010
0.007
0.010
0.016
0.050
0
_
8
_
0.010
0.020
0.228
0.244
C
Z
H
D
0.25 (0.010)
M
座位
飞机
N
X 45
_
0.10 (0.004)
M
J
旋转Z Y
S
X
S
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
M
N
S
焊接足迹*
1.52
0.060
风格11 :
PIN 1.信号源1
2.门1
3.源2
4.门2
5.排水2
6.排水2
7.排水1
8.排水1
7.0
0.275
4.0
0.155
0.6
0.024
1.270
0.050
SCALE 6 : 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
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NTMD4840N/D
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单价/备注
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    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NTMD4840N
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
NTMD4840N
ON/安森美
24+
32000
SOP-8
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3065848471 复制 点击这里给我发消息 QQ:1391615788 复制 点击这里给我发消息 QQ:2319599090 复制
电话:0755-23945755 83248872
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
NTMD4840N
ON
22+
9000
SOP-8
原装正品,公司现货库存假一罚十,电话:0755-23945755 QQ:3065848471
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
NTMD4840N
ON/安森美
24+
9634
SOP-8
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:823639999 复制

电话:021-51097965
联系人:杨全兴
地址:松江区石湖荡镇松蒸公路2183号22幢-19
NTMD4840N
安森美
20+
900000
全新原装
1¥/片,深圳,上海现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
NTMD4840N
ON/安森美
2443+
23000
SOP-8
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:996334048 复制 点击这里给我发消息 QQ:570120875 复制
电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
NTMD4840N
ON
2425+
11280
SOP-8
进口原装!优势现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
NTMD4840N
ON/安森美
24+
21000
SOP-8
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1139848500 复制

电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
NTMD4840N
ON
22+
50000
SOP-8
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