NTE2980

逻辑电平MOSFET

N沟道，增强模式

高速开关

产品特点：

D

动态的dv / dt额定值

D

逻辑电平栅极驱动器

D

R

DS

（上）指定在V

GS

= 4V & 5V

D

快速开关

绝对最大额定值：

漏电流，我

D

连续（V

GS

= 5V)

T

C

= + 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7.7A

T

C

= + 100°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.9A

脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31A

总功率耗散（T

C

= + 25°C ） ，磷

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25W

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.20W /°C的

总功率耗散（ PC板安装，T

C

= + 25 ° C，注2 ） ，P

D

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5W

减免上述25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.02W /°C的

栅源电压，V

GS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±10V

单脉冲雪崩能量（注3 ） ，E

AS

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47mJ

峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ） ， dv / dt的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.5V / ns的

工作结温范围，T

J

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 °至+ 150°C

最大的铅温度（焊接过程中，从案例1.6毫米， 10秒） ，T

L

. . . . . . . . . . +260°C

最大热阻：

结到外壳，R

thJC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.0 ° C / W

结到环境（ PCB安装，注2 ） ，R

thJA

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50 ° C / W

结到环境，R

thJA

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 110 ° C / W

记

记

记

记

1.

2.

3.

4.

重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。

当安装在一个1“的正方形板（ FR-4或G- 10材料）。

L = 924μH ，V

DD

= 25V ，R

G

= 25Ω ，起始物为

J

= + 25 ° C，I

AS

= 7.7A.

I

SD

≤

图10A中， di / dt的

≤

90A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

, T

J

≤

+150°C.

电气特性：

(T

J

= + 25°C ，除非另有规定）

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

静态漏源导通电阻

符号

BV

DSS

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

民

60

典型值

–

0.073

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

9.3

110

17

26

4.5

7.5

400

170

42

最大

–

单位

V

V

（ BR ） DSS

/引用到+ 25 ° C，I

D

= 1毫安

T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

（体二极管）

（体二极管）注1

T

J

= + 25 ° C，I

S

= 7.7A ，V

GS

= 0V ，说明5

T

J

= + 25 ° C，I

F

= 10A ，的di / dt = 100A / μs的，

注5

铅之间，从6mm （ 0.25“ ）

封装和裸片联络中心

V

GS

= 0V, V

DS

= 25V ， F = 1MHz的

V

DD

= 30V

,

I

D

= 10A ，R

G

= 12,

R

D

= 2.8Ω ，注5

V

GS

= 5V ，我

D

= 4.6A ，注5

V

GS

= 4V ，我

D

= 3.9A ，注4

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 25V ，我

D

= 4.6A ，注5

V

DS

= 60V, V

GS

= 0

V

DS

= 48V, V

GS

= 0V ，T

C

= +125°C

V

GS

= 10V

V

GS

= –10V

V

GS

= 5V ，我

D

= 10A ，V

DS

= 48V ，注5

–

–

–

1.0

3.4

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

0.20

0.28

2.0

–

25

250

100

–100

8.4

3.5

6.0

–

–

–

–

–

–

–

–

–

V /°C的

V

姆欧

A

A

nA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

nH

nH

pF

pF

pF

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

门源漏进

门源漏反向

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管额定值和特性

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

–

–

–

–

–

–

–

–

65

0.33

7.7

31

1.6

130

0.65

A

A

V

ns

C

固有的导通时间是neglegible

（导通用L为主

S

+ L

D

)

注意： 1。重复评级：脉冲宽度有限的最高结温。

注5.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%.