NX26F011A
NX26F041A
NX26F011A
NX26F041A
1M位和4M位串行闪存
与2 -PIN接口NXS
PRE -RELEASE
1999年5月
1
2
特点
专为便携式和移动媒体，存储
- 适合的传输便携/移动应用
和存储数据，音频或图像
- 可拆卸的串行闪存模块封装选项
NexFlash
非易失性内存技术
- 获得专利的单晶体管EEPROM单元
- 高密度，低成本，低电压/功率
- 10K / 100K耐力，十年数据保留
闪存用于电池操作
- 单5V或3V电源进行读取，擦除/写
- 电流Icc 5毫安活跃1
A
待机功耗
- 5 ms的擦除/写次数为高效电池使用
1M -bit或4M位的
NexFlash
串行存储器
- 每264字节512或2048行业
- 简单的命令：复位，读，写，
就绪/忙
- 无需预先擦除，写入前自动删除
双引脚NXS串行接口
- 节省微控制器的引脚，简化了PCB布局，
相比于并行闪存的低开关噪声
- 支持时钟运行一样快， 16 MHz的
- 多设备级联，最多16个设备
开发工具和配件
- SFK - NXS串行闪存开发工具包
3
4
5
6
7
8
描述
该
NexFlash
NX26F011A和NX26F041A串行闪存
回忆是专为便携/移动媒体存储
该转让和应用程序存储数据，音频和图像。
使用制造
NexFlash的
获得专利的单晶体管
EEPROM的存储单元中， NX26F011A和NX26F041A
提供一种高密度，低电压，低功耗和成本
对于电池供电的非易失性数据的解决方案
存储要求。该NX26F011A和NX26F041A
可以用单5V或3V电源进行读操作，写，
和擦除。功耗是非常低的，由于
A
待机电流和快速擦除/写性能（快
如每扇区5毫秒），该最小化电源接通时，得到的
在一个高效率的能量的每次转印率。该NX26F011A
和NX26F041A提供1M位和4M位闪存
组织各264字节的扇区。每个扇区为
通过基本的命令或单独寻址
控制功能，如复位，读取，擦除/写，并
就绪/忙。该NXS （ NexFlash串行） 2线串行
接口非常适合使用与微控制器，因为它只
需要两个引脚。这使得销通常用于并行
无闪烁用于其他用途。该NXS接口支持时钟
率一样快， 16兆赫，并且允许多设备级联
多达16个设备。它还简化了PCB布局和
产生更少的瞬态噪声比并行设备。人员开发
opment支持与NexFlash串行闪存
开发套件。
9
10
11
12
本文件包含的初步信息。 NexFlash保留随时修改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供合适的
最好的产品。我们假设它可能出现在本出版物中的任何错误不承担任何责任。
版权所有1998年， NexFlash技术公司
NexFlash技术公司
初步
NXSF009A-0599
05/05/99
1
NX26F011A
NX26F041A
引脚说明
封装类型
该NX26F011A和NX26F041A可在一个二十八分之二十四针
TSOP （ II类）封装（图1和表1 ），或一个
可拆卸的串行闪存模块（见NX25Mxxx / NX26Mxxx
串行闪存模块数据表以获取更多信息） 。
电源引脚（ Vcc和GND ）
该NX26F011A和NX26F041A支持单电源支持
帘布层读取，擦除和写入的5V和3V可用操作
VCC的版本。有源功率要求是低达15毫安
与待机电流3V版本的1
A
范围内。
NXS串行接口引脚（ SCK和SIO ）
两线制NXS （ NexFlash串行）接口包括
时钟输入引脚（ SCK）和单双向I / O引脚。
数据（SIO） 。所有的数据或从SIO端子的时钟
相对于SCK的上升沿。 2线串行NXS
界面使NX26F011A和NX26F041A的理想
溶液为可移动的非易失性存储。一个简单的边缘
连接器或电缆/连接器有四个触点（ SCK ，
SIO ，Vcc和GND）的可支持与通信
空间效率和可靠性。该NXS接口可以
工作时钟速率高达16 MHz的为5V版本。
器件地址引脚（ A0 ， A1 ， A2 ， A3 ）
没有活跃的片选上的NX26F011A和
NX26F041A 。相反，四静态器件地址引脚
（ A0，A1， A2和A3 ）提供了用于解码从1到
16个可能的设备（图2）。这允许高达4MB （使用
一个NX26F011A设备）或32MB （使用NX26F041A
设备），以通过单一两线NXS接口来解决。
静态地址引脚（ A0 - A3）必须接高电平或低电平，以
在扇区相匹配的设备地址字段（ DA3 - DA0 ）
读取和擦除/写指令序列。
无连接引脚（N / C ）
该NX26F011A和NX26F041A仅使用几个信号
销。其结果是， TSOP封装具有许多
无连接（ NC）的不具有电接触到模具上。
A0
NC
A2
NC
NC
VCC
GND
NC
NC
NC
A3
SCK
A1
SIO
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
表1.引脚说明
A0, A1, A2, A3
SCK
SIO
VCC
GND
NC
设备地址
串行时钟
串行数据I / O
电源
地
无连接
图1. NX26F011A和NX26F041A引脚
任务
2
NexFlash技术公司
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NXSF009A-0599
05/05/99
NX26F011A
NX26F041A
NX26F011A或
NX26F041A
U0
NX26F011A或
NX26F041A
U1
1
0
0
0
A0
A1
A2
A3
0
1
0
0
NX26F011A或
NX26F041A
U2
A0
A1
A2
A3
1
1
0
0
NX26F011A或
NX26F041A
U3
A0
A1
A2
A3
1
2
3
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微控制器/微处理器
DSP或ASIC
0
0
0
0
A0
A1
A2
A3
....
SCK
SIO
0
0
0
1
A0
A1
A2
A3
NX26F011A或
NX26F041A
U8
1
0
0
1
A0
A1
A2
A3
NX26F011A或
NX26F041A
U9
0
1
0
1
A0
A1
A2
A3
NX26F011A或
NX26F041A
U10
1
1
0
1
A0
A1
A2
A3
NX26F011A或
NX26F041A
U11
....
5
6
7
8
9
10
11
图2. NX26F011A或NX26F041A高达16设备上的2线NSX用在多设备配置与
功能概述
该
NexFlash
NX26F011A和NX26F041A提供高达
1M -bit或4M位的非易失性存储器组织为512
264字节（ 4288比特）每个（图或2048小行业
3）。每个部门独立寻址的基本使用
指令序列和控制功能的连通
通过设备2线NXS接口。
读取和擦除/写指令序列
该NX26F011A和NX26F041A有两个基本指令
序列化：读取和擦除/写。与其他一些
闪存技术的擦除和写入操作
NX26F011A和NX26F041A一起执行中
一个单一的操作（每扇区一样快5毫秒）。因此，
预擦除的存储器是没有必要的。
读取和擦除/写指令的组成
系列串行比特字段，包括指挥，部门
地址，设备地址和扇区数据。在读
指令序列还允许设备进行轮询以
Ready / Busy状态。
0扇区（ 0000H ）
2112位（ 264字节），每个扇区
1区（ 0001H ）
部门2 （ 0002H ）
行业3-2045 / 4093
(0003-1FD/7FD)
部门二千○四十六分之五百十（ 1FE / 1FE ）
部门二千零四十七分之五百十一（ 1FF / 7FF ）
12
图3. NX26F011A和NX26F041A阵列
3
NexFlash技术公司
初步
NXSF009A-0599
05/05/99
NX26F011A
NX26F041A
该指令序列格式，流程图，和定时
图中的读取和擦除/写操作如
图5和图6 ，图7和图8 ，图9和图10中，
分别。的所有数据中的指令序列是
时钟的上升沿。所有的指令序列字段
通过最显著位第一（ MSB ）订购。数据被擦除，并且
写入NX26F041A和NX26F011A存储器阵列的
全扇区（ 264字节）的时间。如果给所有的264字节
扇区未完全移入器件，剩余
字节位置将被覆盖，显示不确定值。
为了保证数据的完整性的写入操作的最高水平
应验证和改写，如果需要的话， （参见高数据
完整的应用程序） 。
复位和空闲
上电时之间，读取和擦除/写指令
化序列，该器件的内部控制逻辑会
复位。这是通过断言SCK引脚为低电平来实现
（以V
IL
）为大于
t
RESET
（ 5毫秒至10毫秒的视
所使用的电压的版本）。一旦复位，设备
进入待机操作，将不能唤醒，直到下一个
上升SCK边缘。的初始上升的SCK发生后，
设备准备好一个新的指令序列。满
正确的设备后，工作功耗启动
读或写指令过程中的地址译码
序列。怠速运转的指令序列时钟之间，
SCK必须保持高（在V
IH
） ，只要需要的。记
权力将处于活动状态时SCK保持高位。
设备初始化
上电后，建议设备信息
扇区被读取到的电子识别设备。该
装置信息格式包含用于标识一个设备ID
生产商，产品编号（存储器大小） ，并且操作
范围内。它还包含任何限制的行业名单
（见扇区标记/同步字节） 。供的一个进一步的描述
NX26F011A和NX26F041A设备的信息格式，请参阅
串行闪存设备信息行业应用笔记
SFAN-02.
如图6所示，地址为设备信息
扇区地址是5000H同时为NX26F011A和
NX26F041A 。设备信息部门是一个“只读”
部门。这保证了所有设备的特定信息，
如限制扇区列表，维持和从未
写在不经意间。
READY / BUSY状态
经过擦除/写指令序列已
执行，同时删除该设备将变得忙碌，
写扇区寻址的内存。这一段时间
不会超过吨
WP
（基于所指定的功率为530毫秒
供给工作电压）。在此期间，该设备可以是
通过一个16位的状态值测试就绪/忙状态
在读取指令序列获得。忙状态
条件（ 6666H ）表示该设备尚未
完成写操作，将不接受读或写
指令。就绪状态（ 9999H ）表示
该器件可用于进一步的读或写操作。
需要注意的t是一个延迟时间
RP
（ 30 μs至100 μs的视
所使用的电压版本）之后的第一个低需要
要读的Ready / Busy状态的高时钟转换。
行业标签/同步字节
每个扇区的第一个字节是在预先编程
与制造“ C9H ”的标签/同步值。虽然
每个扇区的第一个字节是可以改变的，则建议
该标签/同步值保持并纳入为部分
应用的领域格式。标签/同步值
一举两得。首先，它们提供了一种同步检测
可以帮助确认该指令序列被移入
该设备正常。其次，他们作为一个标签来识别
一个全功能的（有效）部门。这是特别重要
如果“受限行业”设备的使用。
限制机构的设备提供一种更具成本效益的
替代用100％ NX26F011A或NX26F041A设备
有效的部门。限制机构的设备具有有限的
扇区数（最多32个。为NX26F011A和
NX26F041A ）不符合制造编程
标准在规定的工作范围。当这样的
扇区被检测到时，第一字节被标记为其他的模式
比“ C9H ” 。除个别部门的标签，所有的
对于一个给定设备的限制扇区被列出在“设备
信息格式“（见设备初始化） 。
高数据完整性的应用
使用闪存存储器或其它数据存储的应用
非易失性介质必须考虑到possibil-
噪音或其他不利的系统条件，可能的性
影响数据的完整性。对于那些需要更高的应用程序
数据的完整性级别是推荐的做法是使用
纠错码（ ECC ）技术。该NexFlash
串行闪存开发工具包提供了一个软件程序
一个32位ECC ，可以检测到2位的错误，并纠正
1 。在ECC不仅最大限度地减少所造成的问题
系统噪音，而且可以延长闪存的耐用性。
对于那些没有系统的处理能力来处理
ECC算法，一个简单的“后写入验证”是中建议
谁料。该NexFlash串行闪存开发工具包
软件包括一个简单的写入/校验程序即会
比较写入给定扇区中的数据和重写该扇区
如果比较是不正确的。
4
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05/05/99
NX26F011A
NX26F041A
命令
地址
版权所有
状态
数据
初始时钟
从待机状态唤醒设备
（数据是"Don't Care" ）
命令类型
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
C 3 C 0 SA11-0 DA3-0 SA15-12 R31 -R0 S15- S 0 D 0 - - - D2112
1H =读
主要扇区地址
000H - 1FF的NX26F011A
000H - 7FF的NX26F041A
设备地址
A0 -A3引脚= 0H -FH
辅助的扇区地址
0H =要解决的主要扇区地址0 - FFF
5H =设备信息部门
版权所有
使用00 00 00 （00H）
输入状态字节
9999H =就绪， 6666H =忙
期间需要延迟：注
读取状态字节，见
t
RP
in
AC特性
输入扇区数据位
0-2112 （ 264字节）
图5.扇区读取指令 - 顺序和位指令
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5
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NX26F041A
NX26F011A
NX26F041A
1M位和4M位串行闪存
与2 -PIN接口NXS
PRE -RELEASE
1999年5月
1
2
特点
专为便携式和移动媒体，存储
- 适合的传输便携/移动应用
和存储数据，音频或图像
- 可拆卸的串行闪存模块封装选项
NexFlash
非易失性内存技术
- 获得专利的单晶体管EEPROM单元
- 高密度，低成本，低电压/功率
- 10K / 100K耐力，十年数据保留
闪存用于电池操作
- 单5V或3V电源进行读取，擦除/写
- 电流Icc 5毫安活跃1
A
待机功耗
- 5 ms的擦除/写次数为高效电池使用
1M -bit或4M位的
NexFlash
串行存储器
- 每264字节512或2048行业
- 简单的命令：复位，读，写，
就绪/忙
- 无需预先擦除，写入前自动删除
双引脚NXS串行接口
- 节省微控制器的引脚，简化了PCB布局，
相比于并行闪存的低开关噪声
- 支持时钟运行一样快， 16 MHz的
- 多设备级联，最多16个设备
开发工具和配件
- SFK - NXS串行闪存开发工具包
3
4
5
6
7
8
描述
该
NexFlash
NX26F011A和NX26F041A串行闪存
回忆是专为便携/移动媒体存储
该转让和应用程序存储数据，音频和图像。
使用制造
NexFlash的
获得专利的单晶体管
EEPROM的存储单元中， NX26F011A和NX26F041A
提供一种高密度，低电压，低功耗和成本
对于电池供电的非易失性数据的解决方案
存储要求。该NX26F011A和NX26F041A
可以用单5V或3V电源进行读操作，写，
和擦除。功耗是非常低的，由于
A
待机电流和快速擦除/写性能（快
如每扇区5毫秒），该最小化电源接通时，得到的
在一个高效率的能量的每次转印率。该NX26F011A
和NX26F041A提供1M位和4M位闪存
组织各264字节的扇区。每个扇区为
通过基本的命令或单独寻址
控制功能，如复位，读取，擦除/写，并
就绪/忙。该NXS （ NexFlash串行） 2线串行
接口非常适合使用与微控制器，因为它只
需要两个引脚。这使得销通常用于并行
无闪烁用于其他用途。该NXS接口支持时钟
率一样快， 16兆赫，并且允许多设备级联
多达16个设备。它还简化了PCB布局和
产生更少的瞬态噪声比并行设备。人员开发
opment支持与NexFlash串行闪存
开发套件。
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11
12
本文件包含的初步信息。 NexFlash保留随时修改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供合适的
最好的产品。我们假设它可能出现在本出版物中的任何错误不承担任何责任。
版权所有1998年， NexFlash技术公司
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1
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NX26F041A
引脚说明
封装类型
该NX26F011A和NX26F041A可在一个二十八分之二十四针
TSOP （ II类）封装（图1和表1 ），或一个
可拆卸的串行闪存模块（见NX25Mxxx / NX26Mxxx
串行闪存模块数据表以获取更多信息） 。
电源引脚（ Vcc和GND ）
该NX26F011A和NX26F041A支持单电源支持
帘布层读取，擦除和写入的5V和3V可用操作
VCC的版本。有源功率要求是低达15毫安
与待机电流3V版本的1
A
范围内。
NXS串行接口引脚（ SCK和SIO ）
两线制NXS （ NexFlash串行）接口包括
时钟输入引脚（ SCK）和单双向I / O引脚。
数据（SIO） 。所有的数据或从SIO端子的时钟
相对于SCK的上升沿。 2线串行NXS
界面使NX26F011A和NX26F041A的理想
溶液为可移动的非易失性存储。一个简单的边缘
连接器或电缆/连接器有四个触点（ SCK ，
SIO ，Vcc和GND）的可支持与通信
空间效率和可靠性。该NXS接口可以
工作时钟速率高达16 MHz的为5V版本。
器件地址引脚（ A0 ， A1 ， A2 ， A3 ）
没有活跃的片选上的NX26F011A和
NX26F041A 。相反，四静态器件地址引脚
（ A0，A1， A2和A3 ）提供了用于解码从1到
16个可能的设备（图2）。这允许高达4MB （使用
一个NX26F011A设备）或32MB （使用NX26F041A
设备），以通过单一两线NXS接口来解决。
静态地址引脚（ A0 - A3）必须接高电平或低电平，以
在扇区相匹配的设备地址字段（ DA3 - DA0 ）
读取和擦除/写指令序列。
无连接引脚（N / C ）
该NX26F011A和NX26F041A仅使用几个信号
销。其结果是， TSOP封装具有许多
无连接（ NC）的不具有电接触到模具上。
A0
NC
A2
NC
NC
VCC
GND
NC
NC
NC
A3
SCK
A1
SIO
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
表1.引脚说明
A0, A1, A2, A3
SCK
SIO
VCC
GND
NC
设备地址
串行时钟
串行数据I / O
电源
地
无连接
图1. NX26F011A和NX26F041A引脚
任务
2
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NX26F011A
NX26F041A
NX26F011A或
NX26F041A
U0
NX26F011A或
NX26F041A
U1
1
0
0
0
A0
A1
A2
A3
0
1
0
0
NX26F011A或
NX26F041A
U2
A0
A1
A2
A3
1
1
0
0
NX26F011A或
NX26F041A
U3
A0
A1
A2
A3
1
2
3
4
微控制器/微处理器
DSP或ASIC
0
0
0
0
A0
A1
A2
A3
....
SCK
SIO
0
0
0
1
A0
A1
A2
A3
NX26F011A或
NX26F041A
U8
1
0
0
1
A0
A1
A2
A3
NX26F011A或
NX26F041A
U9
0
1
0
1
A0
A1
A2
A3
NX26F011A或
NX26F041A
U10
1
1
0
1
A0
A1
A2
A3
NX26F011A或
NX26F041A
U11
....
5
6
7
8
9
10
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图2. NX26F011A或NX26F041A高达16设备上的2线NSX用在多设备配置与
功能概述
该
NexFlash
NX26F011A和NX26F041A提供高达
1M -bit或4M位的非易失性存储器组织为512
264字节（ 4288比特）每个（图或2048小行业
3）。每个部门独立寻址的基本使用
指令序列和控制功能的连通
通过设备2线NXS接口。
读取和擦除/写指令序列
该NX26F011A和NX26F041A有两个基本指令
序列化：读取和擦除/写。与其他一些
闪存技术的擦除和写入操作
NX26F011A和NX26F041A一起执行中
一个单一的操作（每扇区一样快5毫秒）。因此，
预擦除的存储器是没有必要的。
读取和擦除/写指令的组成
系列串行比特字段，包括指挥，部门
地址，设备地址和扇区数据。在读
指令序列还允许设备进行轮询以
Ready / Busy状态。
0扇区（ 0000H ）
2112位（ 264字节），每个扇区
1区（ 0001H ）
部门2 （ 0002H ）
行业3-2045 / 4093
(0003-1FD/7FD)
部门二千○四十六分之五百十（ 1FE / 1FE ）
部门二千零四十七分之五百十一（ 1FF / 7FF ）
12
图3. NX26F011A和NX26F041A阵列
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05/05/99
NX26F011A
NX26F041A
该指令序列格式，流程图，和定时
图中的读取和擦除/写操作如
图5和图6 ，图7和图8 ，图9和图10中，
分别。的所有数据中的指令序列是
时钟的上升沿。所有的指令序列字段
通过最显著位第一（ MSB ）订购。数据被擦除，并且
写入NX26F041A和NX26F011A存储器阵列的
全扇区（ 264字节）的时间。如果给所有的264字节
扇区未完全移入器件，剩余
字节位置将被覆盖，显示不确定值。
为了保证数据的完整性的写入操作的最高水平
应验证和改写，如果需要的话， （参见高数据
完整的应用程序） 。
复位和空闲
上电时之间，读取和擦除/写指令
化序列，该器件的内部控制逻辑会
复位。这是通过断言SCK引脚为低电平来实现
（以V
IL
）为大于
t
RESET
（ 5毫秒至10毫秒的视
所使用的电压的版本）。一旦复位，设备
进入待机操作，将不能唤醒，直到下一个
上升SCK边缘。的初始上升的SCK发生后，
设备准备好一个新的指令序列。满
正确的设备后，工作功耗启动
读或写指令过程中的地址译码
序列。怠速运转的指令序列时钟之间，
SCK必须保持高（在V
IH
） ，只要需要的。记
权力将处于活动状态时SCK保持高位。
设备初始化
上电后，建议设备信息
扇区被读取到的电子识别设备。该
装置信息格式包含用于标识一个设备ID
生产商，产品编号（存储器大小） ，并且操作
范围内。它还包含任何限制的行业名单
（见扇区标记/同步字节） 。供的一个进一步的描述
NX26F011A和NX26F041A设备的信息格式，请参阅
串行闪存设备信息行业应用笔记
SFAN-02.
如图6所示，地址为设备信息
扇区地址是5000H同时为NX26F011A和
NX26F041A 。设备信息部门是一个“只读”
部门。这保证了所有设备的特定信息，
如限制扇区列表，维持和从未
写在不经意间。
READY / BUSY状态
经过擦除/写指令序列已
执行，同时删除该设备将变得忙碌，
写扇区寻址的内存。这一段时间
不会超过吨
WP
（基于所指定的功率为530毫秒
供给工作电压）。在此期间，该设备可以是
通过一个16位的状态值测试就绪/忙状态
在读取指令序列获得。忙状态
条件（ 6666H ）表示该设备尚未
完成写操作，将不接受读或写
指令。就绪状态（ 9999H ）表示
该器件可用于进一步的读或写操作。
需要注意的t是一个延迟时间
RP
（ 30 μs至100 μs的视
所使用的电压版本）之后的第一个低需要
要读的Ready / Busy状态的高时钟转换。
行业标签/同步字节
每个扇区的第一个字节是在预先编程
与制造“ C9H ”的标签/同步值。虽然
每个扇区的第一个字节是可以改变的，则建议
该标签/同步值保持并纳入为部分
应用的领域格式。标签/同步值
一举两得。首先，它们提供了一种同步检测
可以帮助确认该指令序列被移入
该设备正常。其次，他们作为一个标签来识别
一个全功能的（有效）部门。这是特别重要
如果“受限行业”设备的使用。
限制机构的设备提供一种更具成本效益的
替代用100％ NX26F011A或NX26F041A设备
有效的部门。限制机构的设备具有有限的
扇区数（最多32个。为NX26F011A和
NX26F041A ）不符合制造编程
标准在规定的工作范围。当这样的
扇区被检测到时，第一字节被标记为其他的模式
比“ C9H ” 。除个别部门的标签，所有的
对于一个给定设备的限制扇区被列出在“设备
信息格式“（见设备初始化） 。
高数据完整性的应用
使用闪存存储器或其它数据存储的应用
非易失性介质必须考虑到possibil-
噪音或其他不利的系统条件，可能的性
影响数据的完整性。对于那些需要更高的应用程序
数据的完整性级别是推荐的做法是使用
纠错码（ ECC ）技术。该NexFlash
串行闪存开发工具包提供了一个软件程序
一个32位ECC ，可以检测到2位的错误，并纠正
1 。在ECC不仅最大限度地减少所造成的问题
系统噪音，而且可以延长闪存的耐用性。
对于那些没有系统的处理能力来处理
ECC算法，一个简单的“后写入验证”是中建议
谁料。该NexFlash串行闪存开发工具包
软件包括一个简单的写入/校验程序即会
比较写入给定扇区中的数据和重写该扇区
如果比较是不正确的。
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NexFlash技术公司
初步
NXSF009A-0599
05/05/99
NX26F011A
NX26F041A
命令
地址
版权所有
状态
数据
初始时钟
从待机状态唤醒设备
（数据是"Don't Care" ）
命令类型
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
C 3 C 0 SA11-0 DA3-0 SA15-12 R31 -R0 S15- S 0 D 0 - - - D2112
1H =读
主要扇区地址
000H - 1FF的NX26F011A
000H - 7FF的NX26F041A
设备地址
A0 -A3引脚= 0H -FH
辅助的扇区地址
0H =要解决的主要扇区地址0 - FFF
5H =设备信息部门
版权所有
使用00 00 00 （00H）
输入状态字节
9999H =就绪， 6666H =忙
期间需要延迟：注
读取状态字节，见
t
RP
in
AC特性
输入扇区数据位
0-2112 （ 264字节）
图5.扇区读取指令 - 顺序和位指令
NexFlash技术公司
初步
NXSF009A-0599
05/05/99
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