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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第5页 > NTD4960N-35G
NTD4960N
超前信息
功率MOSFET
特点
30 V , 55 A单N沟道, DPAK / IPAK
低R
DS ( ON)
为最大限度地减少传导损耗
低电容,以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷,以最大限度地降低开关损耗
三种封装型式的设计灵活性
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
30 V
R
DS ( ON)
最大
8.0毫瓦@ 10 V
12.7毫瓦@ 4.5 V
D
I
D
最大
55 A
应用
CPU电源交付
DC-DC转换器
推荐用于高侧(控制)
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
(注1 )
功耗
R
qJA
(注1 )
连续漏极
当前
qJA
(注2 )
功耗
R
qJA
(注2 )
连续漏极
当前
QJC
(注1 )
功耗
R
QJC
(注1 )
脉冲漏
当前
t
p
=10ms
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
,
T
英镑
I
S
dv / dt的
EAS
P
D
I
D
P
D
ID
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
11.1
8.0
1.68
8.9
6.4
1.07
55
40
35.71
137
45
55
to
+175
29.7
6
84.5
W
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
4
YWW
49
60NG
W
A
W
A
1 2
3
单位
V
V
A
G
S
N沟道MOSFET
4
4
1
4
CASE 369AA
DPAK
(本特铅)
方式2
3
CASE 369AC
CASE 369D
3 IPAK
IPAK
(直引线) (直引线
DPAK )
2 3
1
2
标记DIAGRAMS
&放大器;引脚分配
4
YWW
49
60NG
4
YWW
49
60NG
通过封装电流限制
工作结存储
温度
源电流(体二极管)
漏极到源极的dV / dt
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源(T
J
= 25 ° C,V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 13 A
pk
中,L = 1.0毫亨,R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
2
1 2 3
1 3漏
门漏源
门源
1 2 3
门漏源
Y
WW
4960N
G
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
本文件包含的新产品信息。规格及信息
本文如有更改,恕不另行通知。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年8月
牧师P1
1
出版订单号:
NTD4960N/D
NTD4960N
热阻最大额定值
参数
结至外壳(漏)
结到标签(漏)
结 - 环境 - 稳态(注1 )
结 - 环境 - 稳态(注2 )
1,表面安装用1平方式衬垫, 1盎司铜FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
符号
R
QJC
R
QJC -TAB
R
qJA
R
qJA
价值
3
3.5
74.5
116.5
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
R
DS ( ON)
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
Q
G( TOT )
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A,R
G
= 3.0
W
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V,I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,I
D
= 30 A
V
GS
= 0 V , F = 1.0兆赫,V
DS
= 15 V
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
V
DS
= 1.5 V,I
D
= 15 A
收费,电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
开关特性
(注4 )
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
12
20
15
4.0
ns
1300
342
169
11
1.2
4.0
4.7
22
nC
nC
pF
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
mA
30
25
1.0
10
±100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
(注3)
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.5
5.0
6.1
6.1
10
10
48
2.5
V
毫伏/°C的
8.0
mW
12.7
mW
S
3.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
5.假设的110密耳端的长度。
http://onsemi.com
2
NTD4960N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
开关特性
(注4 )
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
L
S
L
D
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
V
GS
= 0 V , DIS / DT = 100 A / MS ,
I
S
= 30 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.9
0.76
13.0
7.0
6.0
4.0
nC
ns
1.2
V
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A,R
G
= 3.0
W
7.0
17
22
3.0
ns
符号
测试条件
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
封装寄生效应值
源极电感(注5 )
排水电感, DPAK
排水电感, IPAK (注5 )
栅极电感(注5 )
栅极电阻
2.49
0.0164
1.88
3.46
1.0
nH
W
3.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
5.假设的110密耳端的长度。
订购信息
设备
NTD4960NT4G
NTD4960N1G
NTD4960N35G
DPAK
(无铅)
IPAK
(无铅)
IPAK修剪铅
(无铅)
航运
2500 /磁带&卷轴
75单位/铁
75单位/铁
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
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3
NTD4960N
典型性能曲线
60
I
D
,漏极电流( AMPS )
50
40
3.4 V
30
3.2 V
20
10
0
3.0 V
2.8 V
0
1
2
3
4
5
60
I
D
,漏极电流( AMPS )
3.8 V
T
J
= 25°C
3.6 V
V
DS
10 V
50
40
30
20
10
0
10V
4V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
=
55°C
0
1
2
3
4
5
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图1.区域特征
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
0.040
0.036
0.032
0.028
0.024
0.020
0.016
0.012
0.008
0.004
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
0.012
0.011
0.010
0.009
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
10
图2.传输特性
T
J
= 25°C
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
20
30
40
50
60
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
I
D
,漏极电流( AMPS )
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极电阻
(归一化)
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
10
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
,漏电( NA)
1000
10000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
100
T
J
= 125°C
25
0
25
50
75
100
125
150
175
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T
J
,结温( ° C)
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与漏极电压
http://onsemi.com
4
NTD4960N
典型性能曲线
2000
C
国际空间站
10
8
6
4
2
0
0
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
5
10
15
20
25
Q
G
,总栅极电荷( NC)
Q
1
Q
2
VGS ,栅极至源极电压(伏)
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
Q
T
C,电容(pF )
1500
V
GS
1000
C
OSS
500
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
漏 - 源电压(伏)
图7.电容变化
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
30
IS ,源电流(安培)
1000
V
DD
= 15 V
I
D
= 15 A
V
GS
= 11.5 V
T, TIME ( NS )
100
t
D(关闭)
t
r
t
D(上)
t
f
V
GS
= 0 V
25
20
15
10
5
0
0.4
T
J
= 25°C
10
1
1
10
R
G
,栅极电阻(欧姆)
100
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
EAS ,单脉冲漏极 - 源
雪崩能量(兆焦耳)
1000
I D ,漏极电流( AMPS )
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
= 13 A
100
10
ms
10
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS ( ON)
极限
热限制
套餐限制
1
10
100
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
100
ms
1毫秒
10毫秒
dc
1
0.1
0.1
50
75
100
125
150
175
T
J
,结温( ° C)
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
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数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NTD4960N-35G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
NTD4960N-35G
ON
2025+
26820
I-PAK
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
NTD4960N-35G
onsemi
24+
10000
IPAK
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
NTD4960N-35G
VBSEMI
2443+
23000
IPAK
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
NTD4960N-35G
onsemi
24+
19000
IPAK
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
NTD4960N-35G
VB
25+23+
35500
IPAK
绝对原装进口现货!渠道优势供应!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
NTD4960N-35G
ON Semiconductor
24+
22000
096¥/片,原装正品假一赔百!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
NTD4960N-35G
ON/安森美
2024
26000
TO-251
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
NTD4960N-35G
ON/安森美
2024
26000
TO-251
原装现货上海库存,欢迎咨询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NTD4960N-35G
ON
21+
2690
TO-251
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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