【NVTFS5124PL功率MOSFET特点60V,6A， 260毫瓦，单P沟道小尺寸（ 3.3× 3】,IC型号NVTFS5124PL,NVTFS5124PL PDF资料,NVTFS5124PL经销商,ic,电子元器件-51电子网

NVTFS5124PL

功率MOSFET

特点

60

V,

6

A， 260毫瓦，单P沟道

小尺寸（ 3.3× 3.3毫米）的紧凑型设计

低R

DS （ ON）

为最大限度地减少传导损耗

低Q

G

和电容，以最大限度地减少驱动器损耗

NVTFS5124PLWF

可湿性侧翼产品

AEC - Q101标准，并有能力PPAP

这些器件是无铅和符合RoHS标准

http://onsemi.com

V

（ BR ） DSS

60

V

R

DS （ ON）

最大

260毫瓦@

10

V

380毫瓦@

4.5

V

I

D

最大

6

A

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流

租金

YJ- MB

（注1 ，

2, 3, 4)

功耗

R

YJ- MB

（注1 ，2，3 ）

连续漏电流

租金

qJA

（注1 ， 3 ，

4)

功耗

R

qJA

（注1,3）

漏电流脉冲

T

mb

= 25°C

稳定

状态

T

mb

= 100°C

T

mb

= 25°C

T

mb

= 100°C

T

A

= 25°C

稳定

状态

T

A

= 100°C

T

A

= 25°C

T

A

= 100°C

T

A

= 25 ° C，T

p

= 10

ms

I

DM

T

J

, T

英镑

I

S

E

AS

P

D

I

D

P

D

符号

V

DSS

V

GS

I

D

价值

60

±20

6.0

4.0

18

9.0

2.4

1.7

3.0

1.5

24

55

to

+175

18

8.5

A

°C

A

mJ

W

1

单位

V

A

P沟道MOSFET

D (58)

G (4)

W

S (1,2,3)

A

标记图

1

WDFN8

(m8FL)

CASE 511AB

XXXX

A

Y

WW

G

S

G

XXXX

AYWWG

G

D

工作结温和存储温度

源电流（体二极管）

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源（T

J

= 25 ° C，V

DD

=

50

V, V

GS

=

10

V,

I

L（ PK）

=

13

A，L = 0.1 mH的，R

G

= 25

W)

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

=具体设备守则

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

T

L

260

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

订购信息

查看详细的订购，标记和航运信息

包装尺寸本数据手册的第5页上的一节。

热阻最大额定值

（注1 ）

参数

结到安装板（上）

稳定

状态（注2和3）

结到环境

稳态（注3 ）

符号

R

YJ- MB

R

qJA

价值

8.4

49.2

单位

° C / W

1.整个应用程序环境的影响示出的热阻值，

它们不是常数，并且仅用于特定条件指出有效的。

2. PSI（ Y）用于每个JESD51-12要求包在其中

大致的热量低于100％流动到单个壳体表面。

3.表面安装在FR4板上用650毫米的

2

， 2盎司Cu焊盘。

4.连续额定直流电流。对于脉冲的最大电流，只要1

第二较高，但依赖于脉冲宽度和占空比。

半导体元件工业有限责任公司， 2013

五月， 2013

第2版

1

出版订单号：

NVTFS5124PL/D

NVTFS5124PL

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

GS

Q

GD

Q

G（ TOT ）

V

GS

=

10

V, V

DS

=

48

V,

I

D

=

3

A

V

GS

=

4.5

V, V

DS

=

48

V,

I

D

=

3

A

V

GS

= 0 V ， F = 1.0 MHz时，

V

DS

=

25

V

GS

= 0 V，I

D

=

250

mA

V

GS

= 0 V,

V

DS

=

60

V

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

60

1.0

10

"100

nA

V

mA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注5 ）

栅极阈值电压

漏极至源极导通电阻

V

DS

= 0 V, V

GS

=

"20

V

GS

= V

DS

, I

D

=

250

mA

V

GS

=

10

V，I

D

=

3

A

V

GS

=

4.5

V，I

D

=

3

A

V

DS

=

15

V，I

D

=

5

A

4

1.5

200

290

2.5

260

380

V

mW

正向跨导

收费和电容

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

总栅极电荷

S

250

27

17

3.5

0.4

1.2

1.9

6

nC

pF

开关特性

（注6 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

t

RR

t

a

t

b

Q

RR

V

GS

= 0 V,

dI

S

/ DT = 100 A / MS ，

I

S

=

3

A

V

GS

= 0 V,

I

S

=

3

A

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

V

GS

=

4.5

V, V

DS

=

48

V,

I

D

=

3

A，R

G

= 2.5

W

7

14

13

10

ns

漏源二极管特性

正向二极管电压

0.87

0.74

17

14

3

19

nC

ns

1.0

V

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

5.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

6.开关特性是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

2

NVTFS5124PL

典型特征

8

T

J

= 25°C

I

D

，漏电流（ A）

6

10

V

4.0

V

4

3.5

V

2

V

GS

=

3

V

4.5

V

I

D

，漏电流（ A）

6

8

V

DS

≥

10

V

4

2

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

1

2

T

J

=

55°C

3

4

5

6

0

1

2

3

4

5

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

0

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

图2.传输特性

0.50

I

D

=

3

A

T

J

= 25°C

0.40

0.50

T

J

= 25°C

0.40

V

GS

=

4.5

V

0.30

0.20

V

GS

=

10

V

0.10

2

4

6

8

10

12

14

I

D

，漏电流（ A）

2

4

6

8

10

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图3.导通电阻与栅极 - 源

电压

2.2

R

DS （ ON）

，漏 - 源

电阻（标准化）

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

50

25

0

25

50

75

100

125

150

175

10

V

GS

=

10

V

I

D

=

3

A

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

10000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

100

T

J

= 125°C

10

20

30

40

50

60

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

3

NVTFS5124PL

典型特征

10

V

GS

，栅极至源极电压

(V)

300

C，电容（pF ）

C

国际空间站

200

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

Q

T

8

6

4

2

0

Q

gs

Q

gd

V

DS

=

48

V

I

D

=

3

A

T

J

= 25°C

2

4

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

6

100

C

OSS

0

C

RSS

0

10

20

30

40

50

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

60

图7.电容变化

图8.栅极 - 源极电压与总

收费

30

I

S

，源电流（ A）

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

20

1000.0

V

DD

=

48

V

I

D

=

3

A

V

GS

=

10

V

T， TIME （ NS ）

100.0

t

D（关闭）

10.0

t

r

t

f

t

D（上）

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

10

1.0

1

0

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

图11.二极管的正向电压与电流

1000

E

AS

，单脉冲漏 -

源雪崩能量（兆焦耳）

V

GS

=

10

V

单脉冲

T

C

= 25°C

1毫秒

10

10毫秒

100

ms

10

ms

10

I

D

=

13

A

8

6

4

2

0

I

D

，漏电流（ A）

100

1

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

dc

0.1

1

10

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

100

25

50

75

100

125

150

T

J

，起动结温（ ° C）

175

图10.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量 -

开始结温

http://onsemi.com

4

NVTFS5124PL

典型特征

100

占空比= 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

1

0.01

单脉冲

0.1

0.000001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

R

qJA （T ）

（ ° C / W）

10

图13.热响应

脉冲时间（秒）

设备订货信息

设备

NVTFS5124PLTAG

NVTFS5124PLWFTAG

NVTFS5124PLTWG

NVTFS5124PLWFTWG

记号

5124

24LW

5124

24LW

包

WDFN8

（无铅）

WDFN8

（无铅）

WDFN8

（无铅）

WDFN8

（无铅）

航运

1500 /磁带&卷轴

5000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

http://onsemi.com

5