NTMFS4937N
功率MOSFET
特点
30 V ， 70 A单N沟道， SO- 8 FL
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
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V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
4.5毫瓦@ 10 V
7.0毫瓦@ 4.5 V
D (5,6)
I
D
最大
70 A
应用
CPU电源交付
DC-DC转换器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
（注1 ）
功耗
R
qJA
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
≤
10 s
（注1 ）
功耗
R
qJA
≤
10秒（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
（注2 ）
功耗
R
qJA
（注2 ）
连续漏极
当前
QJC
（注1 ）
功耗
R
QJC
（注1 ）
脉冲漏
当前
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25 ° C，T
p
= 10
ms
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
DMAX
T
J
,
T
英镑
I
S
的dV / D
t
E
AS
P
D
I
D
P
D
I
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
17.1
10.9
2.6
30
19
8.1
10.2
6.5
0.92
70
44
43
210
100
55
to
+150
40
6.5
68.5
W
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
W
A
W
A
1
单位
V
V
A
G (4)
W
A
S (1,2,3)
N沟道MOSFET
记号
图
D
S
S
S
G
4937N
AYWWG
G
D
D
SO- 8扁平引脚
CASE 488AA
风格1
D
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
通过封装电流限制
工作结存储
温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
订购信息
设备
NTMFS4937NT1G
NTMFS4937NT3G
包
SO- 8 FL
（无铅）
SO- 8 FL
（无铅）
航运
1500 /
磁带&卷轴
5000 /
磁带&卷轴
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（T
J
= 25 ° C，V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 37 A
pk
中，L = 0.1毫亨，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1，表面安装用1平方式衬垫， 1盎司铜FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年8月
第1版
1
出版订单号：
NTMFS4937N/D
NTMFS4937N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
L
S
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
V
GS
= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 30 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.88
0.78
39
19
20
35
nC
ns
1.1
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
10.6
21.1
29.3
4.0
ns
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
封装寄生效应值
源极电感
排水电感
门电感
栅极电阻
0.93
0.005
1.84
1.1
2.0
nH
nH
nH
W
5.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
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3
NTMFS4937N
典型特征
140
120
I
D
，漏电流（ A）
10 V
7V
4.2 V
120
V
GS
= 4.0 V
T
J
= 25°C
I
D
，漏电流（ A）
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
3.0 V
40
20
0
0
1
2
2.4 V
3
2.8 V
2.6 V
4
V
DS
= 10 V
100
80
60
40
20
0
1.0
1.5
T
J
= 25°C
100 4.5 V
80
60
T
J
= 125°C
T
J
=
55°C
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.015
0.014
0.013
0.012
0.011
0.010
0.009
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
V
GS
(V)
7.0
8.0
9.0
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
0.007
图2.传输特性
0.0065
0.006
T
J
= 25°C
0.0055
0.005
V
GS
= 4.5 V
0.0045
0.004
V
GS
= 10 V
0.0035
0.003
20
30
10.0
40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 14
I
D
，漏电流（ A）
图3.导通电阻与V
GS
2
1.9
1.8 I
D
= 30 A
1.7 V
GS
= 10 V
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
50
25
0
10,000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
T
J
= 125°C
R
DS （ ON）
，漏 - 源
电阻（标准化）
100
T
J
= 85°C
10
25
50
75
100
125
150
5
10
15
20
25
30
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
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4
NTMFS4937N
典型特征
2800
2600
2400
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
QGS
V
DD
= 15 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
QG ，总栅极电荷（ NC）
QGD
T
J
= 25°C
QT
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
C
OSS
C
RSS
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.电容变化
1000
I
S
，源电流（ A）
V
DD
= 15 V
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
100
t
D（关闭）
t
f
t
r
t
D（上）
30
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
C，电容（pF ）
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
V
GS
= 0 V
25
20
15
10
5
0
0.4
T
J
= 25°C
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
T
J
= 125°C
10
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
1000
E
AS
，单脉冲漏 -
源雪崩能量（兆焦耳）
100
10
ms
10
1
0.1
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1
10
100
ms
1毫秒
10毫秒
dc
70
60
50
40
30
20
10
0
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
= 37 A
I
D
，漏电流（ A）
0.01
0.1
100
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T
J
，起动结温（ ° C）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
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5
QQ：2880707522 复制
