NVMFS5832NL
功率MOSFET
特点
40 V ， 4.2毫瓦， 120 A单N通道
小尺寸（ 5×6毫米）的紧凑型设计
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低Q
G
和电容，以最大限度地减少驱动器损耗
AEC- Q101标准
这些无铅器件
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
40 V
价值
40
±
20
120
84
单位
V
V
A
D (5,6)
R
DS （ ON）
最大
4.2毫瓦@ 10 V
6.5毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
120 A
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流
租金
YJ- MB
（注1 ，
2, 3, 4)
功耗
R
YJ- MB
（注1 ，2，3 ）
连续漏电流
租金
qJA
（注1 ， 3 ，
4)
功耗
R
qJA
（注1 & 3 ）
漏电流脉冲
T
mb
= 25°C
稳定
状态
T
mb
= 100°C
T
mb
= 25°C
T
mb
= 100°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25 ° C，T
p
= 10
ms
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
E
AS
P
D
I
D
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
127
64
21
15
3.7
1.9
557
55
to
+ 175
120
134
W
A
G (4)
S (1,2,3)
N沟道MOSFET
W
A
°C
A
mJ
1
记号
图
D
S
S
S
G
V5832L
AYWZZ
D
D
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（T
J
= 25 ° C，V
GS
= 10 V，I
L（ PK）
= 52 A,
L = 0.1 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
SO- 8扁平引脚
CASE 488AA
风格1
A
Y
W
ZZ
D
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
=大会地点
=年
=工作周
=批次追踪
热阻最大额定值
参数
结到安装板（上）
稳定
状态（注2,3）
结到环境
稳态（注3 ）
符号
R
YJ- MB
R
qJA
价值
1.2
40
单位
° C / W
订购信息
设备
NVMFS5832NLT1G
NVMFS5832NLT3G
包
SO8FL
（无铅）
SO8FL
（无铅）
航运
1500 /
磁带&卷轴
5000 /
磁带&卷轴
1.整个应用程序环境的影响示出的热阻值，
它们不是常数，并且仅用于特定条件指出有效的。
2. PSI（ Y）用于每个JESD51-12要求包在其中
大致的热量低于100％流动到单个壳体表面。
3.表面安装在FR4板上用650毫米的
2
， 2盎司Cu焊盘。
4.一种用于脉冲的最大电流，只要1秒较高，但取决于
关于脉冲宽度和占空比。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年6月，
第1版
1
出版订单号：
NVMFS5832NL/D
NVMFS5832NL
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GP
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 10 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 20 V,
I
D
= 10 A，R
G
= 1.0
W
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 20V;我
D
= 20 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 20V;我
D
= 20 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 20V;我
D
= 20 A
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫，V
DS
= 25 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
收费，电容&栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
高原电压
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= 5 A
0.73
0.57
28.6
14
14.5
23.4
nC
ns
1.2
V
13
24
27
8.0
ns
2700
360
250
25
51
2.0
8.0
12.7
3.2
V
nC
pF
I
D
= 20 A
I
D
= 20 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 40 V
T
J
= 25
°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
40
34.2
1
100
±100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.4
6.4
3.1
5.0
21
2.4
V
毫伏/°C的
4.2
6.5
mW
S
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
5.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
QQ：2880707522 复制
