NTZD3155C
小信号MOSFET
补充20 V 540毫安/ -430毫安，
具有ESD保护， SOT- 563封装。
特点
http://onsemi.com
I
D
最大
（注1 ）
领先的沟槽技术的低R
DS （ ON）
性能
高效的系统性能
低阈值电压
ESD保护门
小尺寸1.6× 1.6毫米
这些无铅器件
V
（ BR ） DSS
N沟道
20 V
R
DS （ ON）
典型值
0.4
W
@ 4.5 V
0.5
W
@ 2.5 V
0.7
W
@ 1.8 V
0.5
W
@ -4.5 V
540毫安
应用
P沟道
-20 V
0.6
W
@ -2.5 V
1.0
W
@ -1.8 V
-430毫安
的DC-DC转换电路
负载/电源开关与电平转换
单节或两节锂离子电池供电系统
高速电路
手机， MP3音乐，数码相机和PDA
引脚： SOT- 563
S
1
1
6
D
1
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
N沟道
连续漏极
电流（注1 ）
P沟道
连续漏极
电流（注1 ）
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
v
5s
稳定
状态
t
v
5s
稳定
状态
t
v
5s
漏电流脉冲
N沟道
P沟道
t
p
= 10
ms
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
280
1500
-750
-55
150
350
260
mA
°C
mA
°C
I
D
符号
V
DSS
V
GS
价值
20
±6
540
390
570
-430
-310
-455
250
mW
mA
单位
V
V
G
1
2
5
G
2
D
2
3
顶视图
4
S
2
6
1
SOT-563-6
CASE 463A
TW
M
G
记号
图
TW M
G
G
=具体设备守则
=日期代码
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
订购信息
设备
NTZD3155CT1G
包
SOT-563
（无铅）
SOT-563
（无铅）
SOT-563
（无铅）
航运
4000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板
（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ） 。
NTZD3155CT2G
4000 /磁带&卷轴
NTZD3155CT5G
8000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年5月 - 第2版
出版订单号：
NTZD3155C/D
NTZD3155C
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
结 - 环境 - T = 5秒（注2 ）
符号
R
qJA
最大
500
447
单位
° C / W
2.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 1盎司]包括痕迹） 。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
N
P
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V(
BR ） DSS
/T
J
I
DSS
N
P
N
P
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
P
N
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
N
P
栅极阈值
温度COEF网络cient
漏极至源极导通电阻
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
N
P
N
P
N
P
正向跨导
g
FS
N
P
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
P
F = 1MHz时， V
GS
= 0 V
V
DS
= -16 V
N
F = 1MHz时， V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V
80
13
10
105
15
10
150
25
20
175
30
20
pF
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 540毫安
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -430毫安
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 500毫安
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -300毫安
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 350毫安
V
GS
= -1.8V ，我
D
= -150毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 540毫安
V
DS
= -10 V，I
D
= -430毫安
V
GS
= V
DS
I
D
= 250
mA
I
D
= -250
mA
0.45
-0.45
-1.9
0.4
0.5
0.5
0.6
0.7
1.0
1.0
1.0
S
0.55
0.9
0.7
1.2
0.9
2.0
W
1.0
-1.0
-MV /
°C
V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 16 V
V
GS
= 0 V, V
DS
= -16 V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 16 V
V
GS
= 0 V, V
DS
= - 16V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±4.5
V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
I
D
= 250
mA
I
D
= -250
mA
20
-20
18
1.0
-1.0
2.0
-5.0
$2.0
$5.0
mA
mA
毫伏/°C的
mA
V
符号
N / P
测试条件
民
典型值
最大
单位
3.脉冲测试：脉冲宽度
v300
女士，
占空比
v2%
http://onsemi.com
2
QQ：2881677436 复制
