NCV8405
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
漏极至源极电压内部钳位
漏极至栅极电压内部钳位
栅极 - 源极电压
连续漏电流
功耗
@ T
A
= 25 ° C(注1 )
@ T
A
= 25 ° C(注2 )
@ T
T
= 25 ° C(注1 )
结至环境稳态(注1 )
结至环境稳态(注2 )
结到标签稳态(注1 )
(R
G
= 1.0毫瓦)
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
P
D
价值
42
42
"14
单位
V
V
V
内部限制
1.0
1.7
11.4
130
72
11
275
53
40
150
55
150
W
热阻
R
qJA
R
qJA
R
QJT
E
AS
V
LD
T
J
T
英镑
° C / W
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
(V
DD
= 40 V, V
G
= 5.0 V,I
PK
= 2.8 , L = 80 mH的,R
G( EXT )
= 25
W,
TJ = 25 ° C)
抛负载电压
V
LD
= V
A
+ V
S
(V
GS
= 0和10 V,R 1
I
= 2.0
W,
R
L
= 6.0
W,
t
d
= 400毫秒)
mJ
V
°C
°C
工作结温
储存温度
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1.表面安装到分垫的FR4印刷电路板, ( 2盎司的Cu, 0.06 “厚) 。
2.表面安装到2“平方FR4电路板(1”平方, 1盎司的Cu, 0.06 “厚) 。
+
I
D
漏
I
G
+
门
VDS
VGS
来源
图1.电压和电流公约
http://onsemi.com
2
NCV8405
典型性能曲线
300
250
R
DS ( ON)
( mW)的
200
150
100
150℃下,我
D
= 1.4 A
210
190
170
R
DS ( ON)
( mW)的
150℃下,我
D
= 0.5 A
150
130
110
90
70
10
50
0.5
1
40°C,
V
GS
= 5 V
40°C,
V
GS
= 10 V
1.5
2
2.5
3
I
D
(A)
150℃ ,V
GS
= 10 V
100℃ ,V
GS
= 10 V
100℃ ,V
GS
= 5 V
25 ° C,V
GS
= 5 V
25 ° C,V
GS
= 10 V
150℃ ,V
GS
= 10 V
100℃下,我
D
= 1.4 A
100℃下,我
D
= 0.5 A
40°C,
I
D
= 1.4 A
25℃下,我
D
= 1.4 A
25℃下,我
D
= 0.5 A
8
9
50
40°C,
I
D
= 0.5 A
3
4
5
6
7
V
GS
(V)
3.5
4
4.5
5
图8以下。R
DS ( ON)
与栅源电压
R
DS ( ON)
( VGS = 5V , TJ = 25 ° C) (标准化)
2.0
I
D
= 1.4 A
15
图9.
DS ( ON)
与漏电流
V
DS
= 10 V
13
V
GS
= 5 V
I
LIM
(A)
11
9
7
150°C
5
3
40°C
25°C
1.75
1.5
1.25
1.0
V
GS
= 10 V
100°C
0.75
0.5
40
20
0
20
40
60
T( ℃)
80
100 120
140
5
6
7
V
GS
(V)
8
9
10
图10.归
DS ( ON)
与温度的关系
图11.电流限制与门源
电压
10
14
1
12
10
8
V
GS
= 5 V
6
V
DS
= 10 V
4
40 20
0
0.001
10
0.01
V
GS
= 10 V
I
DSS
(MA )
I
LIM
(A)
0.1
V
GS
= 0 V
150°C
100°C
40°C
25°C
20
40
60
T
J
(°C)
80
100 120 140 160
15
20
25
V
DS
(V)
30
35
40
图12.电流限制与结
温度
图13.漏极 - 源极漏电流
http://onsemi.com
5
NCV8405 , NCV8405A
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
漏极至源极电压内部钳位
漏极至栅极电压内部钳位
栅极 - 源极电压
连续漏电流
功耗
SOT- 223版本
@ T
A
= 25 ° C(注1 )
@ T
A
= 25 ° C(注2 )
@ T
T
= 25 ° C(注1 )
@ T
A
= 25 ° C(注1 )
@ T
A
= 25 ° C(注2 )
@ T
C
= 25 ° C(注1 )
结至环境稳态(注1 )
结至环境稳态(注2 )
结到标签稳态(注1 )
结至环境稳态(注1 )
结至环境稳态(注2 )
结至外壳稳态(注1 )
R
qJA
R
qJA
R
QJT
R
qJA
R
qJA
R
QJT
E
AS
V
LD
T
J
T
英镑
(R
G
= 1.0毫瓦)
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
P
D
价值
42
42
"14
单位
V
V
V
内部限制
1.0
1.7
11.4
2.0
2.5
40
130
72
11
60
50
3.0
275
53
40
150
55
150
mJ
V
°C
°C
° C / W
W
功耗
DPAK版本
热阻
SOT- 223版本
热阻
DPAK版本
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
(V
DD
= 40 V, V
G
= 5.0 V,I
PK
= 2.8 , L = 80 mH的,R
G( EXT )
= 25
W,
TJ = 25 ° C)
抛负载电压
V
LD
= V
A
+ V
S
(V
GS
= 0和10 V,R 1
I
= 2.0
W,
R
L
= 6.0
W,
t
d
= 400毫秒)
工作结温
储存温度
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1.表面安装到分垫的FR4印刷电路板, ( 2盎司的Cu, 0.06 “厚) 。
2.表面安装到2“平方FR4电路板(1”平方, 1盎司的Cu, 0.06 “厚) 。
+
I
D
漏
I
G
+
门
VDS
VGS
来源
图1.电压和电流公约
http://onsemi.com
2
NCV8405 , NCV8405A
典型性能曲线
300
250
R
DS ( ON)
( mW)的
200
150
100
150℃下,我
D
= 1.4 A
210
190
170
R
DS ( ON)
( mW)的
150℃下,我
D
= 0.5 A
150
130
110
90
70
10
50
0.5
1
40°C,
V
GS
= 5 V
40°C,
V
GS
= 10 V
1.5
2
2.5
3
I
D
(A)
150℃ ,V
GS
= 10 V
100℃ ,V
GS
= 10 V
100℃ ,V
GS
= 5 V
25 ° C,V
GS
= 5 V
25 ° C,V
GS
= 10 V
150℃ ,V
GS
= 10 V
100℃下,我
D
= 1.4 A
100℃下,我
D
= 0.5 A
40°C,
I
D
= 1.4 A
25℃下,我
D
= 1.4 A
25℃下,我
D
= 0.5 A
8
9
50
40°C,
I
D
= 0.5 A
3
4
5
6
7
V
GS
(V)
3.5
4
4.5
5
图8以下。R
DS ( ON)
与栅源电压
R
DS ( ON)
( VGS = 5V , TJ = 25 ° C) (标准化)
2.0
I
D
= 1.4 A
15
图9.
DS ( ON)
与漏电流
V
DS
= 10 V
13
V
GS
= 5 V
I
LIM
(A)
11
9
7
150°C
5
3
40°C
25°C
1.75
1.5
1.25
1.0
V
GS
= 10 V
100°C
0.75
0.5
40
20
0
20
40
60
T( ℃)
80
100 120
140
5
6
7
V
GS
(V)
8
9
10
图10.归
DS ( ON)
与温度的关系
图11.电流限制与门源
电压
10
14
1
12
10
8
V
GS
= 5 V
6
V
DS
= 10 V
4
40 20
0
0.001
10
0.01
V
GS
= 10 V
I
DSS
(MA )
I
LIM
(A)
0.1
V
GS
= 0 V
150°C
100°C
40°C
25°C
20
40
60
T
J
(°C)
80
100 120 140 160
15
20
25
V
DS
(V)
30
35
40
图12.电流限制与结
温度
图13.漏极 - 源极漏电流
http://onsemi.com
5