NTF2955 ， NVF2955 ，
NVF2955P
功率MOSFET
特点
60
V,
2.6
A单P沟道SOT- 223
对于低R设计
DS （ ON）
可承受高能量的雪崩和减刑模式
AEC- Q101标准
NVF2955 ， NVF2955P
这些器件是无铅和符合RoHS标准
电源
PWM电机控制
转换器
电源管理
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
功耗
（注1 ）
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
稳定
状态
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
TP = 10
ms
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
EAS
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
60
±20
2.6
2.0
2.3
1.7
1.3
1.0
17
55
to
175
225
W
A
°C
mJ
1
门
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
60
V
R
DS （ ON）
典型值
145毫瓦@
10
V
P- CHANNEL
D
I
D
最大
2.6
A
应用
G
S
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
单位
V
V
A
标记图和
引脚分配
4漏
W
A
4
12
3
1
门
AYW
2955G
G
2
漏
4漏
3
来源
SOT223
CASE 318E
方式3
工作结温和存储温度
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 25 V, V
G
= 10 V，I
PK
= 6.7 A,
L = 10 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“案件从10秒）
AYW
2955PG
G
2
漏
3
来源
T
L
260
°C
A
=大会地点
Y
=年
W
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
热电阻额定值
参数
结到标签（漏）
稳态（注2 ）
结到环境
稳态（注1 ）
结到环境
稳态（注2 ）
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
最大
14
65
150
° C / W
单位
订购信息
设备
NTF2955T1G
NVF2955T1G
NVF2955PT1G
包
SOT223
（无铅）
SOT223
（无铅）
SOT223
（无铅）
航运
1000 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
1000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.当表面安装用1英寸焊盘尺寸（铜，面积FR4板= 1.127
in
2
[ 1盎司]包括痕迹）
2.表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸（铜，面积= 0.341的
2
)
半导体元件工业有限责任公司， 2013
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NTF2955/D
五月， 2013
启示录6
1
NTF2955 ， NVF2955 ， NVF2955P
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
=
60
V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
=
250
mA
60
66.4
1.0
50
±100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
=
1.0
mA
V
GS
=
10
V，I
D
=
0.75
A
V
GS
=
10
V，I
D
=
1.5
A
V
GS
=
10
V，I
D
=
2.4
A
2.0
145
150
154
1.77
4.0
170
180
185
V
mW
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
g
FS
V
GS
=
15
V，I
D
=
0.75
A
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 25 V
492
165
50
pF
V
GS
= 10 V, V
DS
= 30 V,
I
D
= 1.5 A
14.3
1.2
2.3
5.2
nC
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V, V
DD
= 25 V,
I
D
= 1.5 A，R
G
= 9.1
W
R
L
= 25
W
11
7.6
65
38
ns
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V,
I
S
= 1.5 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
1.10
0.9
36
1.30
V
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V ，二
S
/ DT = 100 A / MS ，
I
S
= 1.5 A
20
16
0.139
ns
nC
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300毫秒，占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
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2
NTF2955 ， NVF2955 ， NVF2955P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
10
I
D,
漏电流（安培）
I
D,
漏电流（安培）
V
GS
=
6
V
8
6
V
GS
=
5
V
4
V
GS
=
4.5
V
2
V
GS
=
3.8
V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
=
10
V到
7
V
T
J
= 25
°C
V
GS
=
5.5
V
10
8
6
4
2
0
V
DS
≥
10 V
T
J
=
55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
2
4
6
8
10
V
DS ，
漏 - 源电压（伏）
V
GS ，
栅 - 源电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
图2.传输特性
0.4
V
GS
=
10
V
0.25
T
J
= 25°C
0.225
0.2
0.3
T
J
= 125°C
0.175
0.15
V
GS
=
10
V
V
GS
=
15
V
0.2
T
J
= 25°C
T
J
=
55°C
0.125
0.1
0.1
0.075
0.05
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
6
8
10
I
D,
漏电流（安培）
I
D,
漏电流（安培）
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（标准化）
图3.导通电阻与漏电流
和温度
1000
I
D
=
1.5
A
V
GS
=
10
V
I
DSS
，漏电（ NA）
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
100
T
J
= 125°C
25
0
25
50
75
100
125
150
10
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
T
J
，结温（ ° C）
V
DS ，
漏 - 源电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
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3
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
NTF2955 ， NVF2955 ， NVF2955P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
1200
1000
C，电容（pF ）
800
600
400
200
0
10
C
OSS
C
RSS
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
12
10
8
6
4
V
DS
2
0
I
D
=
1.5
A
T
J
= 25°C
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
14
10
0
16
Q
T
60
50
V
GS
40
30
20
C
RSS
C
国际空间站
Q
GS
Q
GD
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
1000
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
5
I
S
，源电流（安培）
4
3
2
1
V
DD
=
25
V
I
D
=
1.5
A
V
GS
=
10
V
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
100
10
t
D（上）
t
r
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
E
AS
，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
100
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
250
图10.二极管的正向电压与电流
10
V
GS
=
20
V
单脉冲
T
C
= 25°C
I
PK
=
6.7
A
200
150
100
50
0
10
ms
100
ms
1毫秒
1
dc
0.1
10毫秒
0.01
0.1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1
10
100
25
50
75
100
125
150
175
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
T
J
，起动结温（ ° C）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量对比
开始结温
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4
NTF2955 ， NVF2955 ， NVF2955P
包装尺寸
SOT- 223 （ TO- 261 ）
CASE 318E -04
ISSUE
注意事项：
1.尺寸和公差符合ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
A1
b
b1
c
D
E
e
e1
L
L1
H
E
民
1.50
0.02
0.60
2.90
0.24
6.30
3.30
2.20
0.85
0.20
1.50
6.70
0°
MILLIMETERS
喃
最大
1.63
1.75
0.06
0.10
0.75
0.89
3.06
3.20
0.29
0.35
6.50
6.70
3.50
3.70
2.30
2.40
0.94
1.05
1.75
2.00
7.00
7.30
10°
民
0.060
0.001
0.024
0.115
0.009
0.249
0.130
0.087
0.033
0.008
0.060
0.264
0°
英寸
喃
0.064
0.002
0.030
0.121
0.012
0.256
0.138
0.091
0.037
0.069
0.276
最大
0.068
0.004
0.035
0.126
0.014
0.263
0.145
0.094
0.041
0.078
0.287
10°
D
b1
4
H
E
E
1
2
3
e1
b
e
A
q
L
L1
C
q
0.08 (0003)
A1
方式3 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
焊接足迹*
3.8
0.15
2.0
0.079
2.3
0.091
2.3
0.091
6.3
0.248
2.0
0.079
1.5
0.059
mm
英寸
SCALE 6 ： 1
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
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安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
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