薄型，小尺寸封装
安森美半导体提供最新的薄型，小外形封装。
我们使超薄最终用户产品的设计和生产
消费市场，通过制造一些最低的轮廓包装
可以在世界上，在广袤卷。无论您是在设计移动
电话，MP3播放器，数码相机，PDA，游戏机，或其他便携式
家电，我们的包装技术使安森美半导体产品
要使用组合中的设计与最苛刻的空间限制。
我们所有的包都可以用无铅引线，以确保符合
符合RoHS标准。
SOD–723
1.00 mm
1.40 mm
0.52 mm
0.60 mm
0.28 mm
2X
SOT - 553 ， 5 LEAD
1.60 mm
0.55 mm
0.20 mm
5
4
0.08 (0.0032)
X Y
0.12 mm
0.20 mm
1.20 mm
1
2
3
1.60 mm
0.50 mm
BSC
0.20 mm
0.08 (0.003)
5 PL
0.13 mm
X Y
SOD–923
0.80 mm
1.00 mm
0.40 mm
0.60 mm
0.20 mm
2X
5
4
SOT953
1.00 mm
0.45 mm
0.10 mm
0.80 mm
X Y
0.12 mm
0.10 mm
0.35 mm
BSC
1 2
3
1.00 mm
0.08 (0.0032)
0.15 mm
5X
0.08 X Y
0.10 mm
不按比例
PAGE =
便携式解决方案
高效DC -DC转换器
2 SYN
L
15 H
COUT
10 F
3 VO
4 LX
MBRM120
NCP1500
1 SHD
CB0
CB1
GND
VIN
8
7
6
5
CIN
10 F
VIN
典型的降压转换器
VIN
CIN
2 GND
OFF ON
3 EN
L
COUT
R1
FB 4
R2
EFF （ ％ ）
NCP1521
1 VIN
LX 5
VOUT
100
CFF
90
典型的降压转换器
主要特点
PWM降压转换器的工作无论是作为一个LDO或在PFM模式下，当输出电流
降低（ NCP1500 / 01/ 19 / ？ 1 / ?? / ?? / ？ 9 ） ，在两个光提高效率和
满载
较高的开关频率允许使用更小的输出滤波器，电容器和电感器，
同时保持高效率
80
70
60
50
V
OUT
= 3.3 V
V
in
= 4.2 V
T
A
= 25 C
0
100
200
300
I
OUT
（MA ）
400
500
600
NCP1521 - 效率与输出电流
降压转换器
设备
NCP1500
NCP1501
NCP1510A
NCP1519*
NCP151
NCP15
NCP15*
NCP156
NCP159*
NCP150
NCP1550
*计划？ H06
包（ S）
Micro8
Micro8
MicroBump-9
薄型SOT - ？ - 5
薄型SOT - ?? - 5 ，
薄型DFN - 6
薄型SOT - ？ - 5
MicroBump-8
薄型DFN - 10
薄型SOT - ？ - 5
Micro8
SOT--5
拓扑
PWM /线性
PWM /线性
PWM /脉冲
PWM / PFM
PWM / PFM
PWM / PFM
PWM / PFM
双输出
PWM + LDO
PWM / PFM
PWM / PFM
PWM / PFM
频率
外部同步
？ 70-6 ？ 0千赫
外部同步
？ 50-1000千赫
1 MHz或外部同步
？ 50-1000千赫
1.7兆赫
1.5兆赫
- 兆赫
- 兆赫
- 兆赫
1.7兆赫
600 kHz或外部同步
截至1 ？ 00千赫
600千赫
输入
电压
.7 - 5. V
.5 - 5. V
.7 - 5. V
.7 - 5.5 V
.7 - 5.5 V
.7 - 5.5 V
.7 - 5.5 V
.7 - 5.5 V
.7 - 5.5 V
.7 - 5.5 V
.5 - 6.0 V
输出电压
1.0 - 1.8 V可选
1.0 - 1.8 V可选
1.0 - 1.8 V可选
ADJ 0.9 - ？ ？ V通过外部
电阻器， 1 。 ？ ，1.5， 1.8伏
可调0.9 - ？ 。 ？ V
通过外部电阻
可调0.9 - ？ 。 ？ V
通过外部电阻
可调0.9 - ？ 。 ？ V
通过外部电阻
PWM 1 ？ V ; LDO ？ 0.8 V
其它选项
ADJ 0.9 - ？ ？ V通过外部
电阻器， 1 。 ？ ，1.5， 1.8伏
.5 - 5.0 V
1.8 - . V
最大
当前
？ 00毫安
？ 00毫安
？ 00毫安
？ 00毫安
600毫安
600毫安
600毫安
PWM ？ 00毫安
LDO 150毫安
1A
600毫安
？ 000毫安
（外部开关）
典型
效率
91%
9%
95%
96%
96%
9%
9%
95%
96%
9%
90%
特点
变成LDO模式时同步不存在
同步录制，打开进入LDO模式时，同步是
缺席
同步录制，打开进入脉冲模式以节省电源
当SYNC引脚为低电平
同步录音，超低60
mA
I
q
在轻负载
同步录音，超低？ 0
mA
I
q
在轻负载
同步录音，超低60
mA
I
q
在轻负载
同步录音，超低60
mA
I
q
在轻负载
同步录音，超薄DFN 0.55毫米厚度
同步录音，超低60
mA
I
q
在轻负载
可编程软启动
使能引脚
PAGE =
便携式解决方案
高效DC -DC转换器
L1
VIN
C1
10 F
CE
1
OUT
2
NC
3
22 H
NCP1400A
LX
5
特征
D1
VOUT
C2
68 F
输出电压范围
操作电压启动
最大开关频率
感应器
输出纹波电压
GND
4
效率
工作电流@我
OUT
= 0
关断电流
基准电压准确度
NCP1410
1.5 ~ 5.5 V
1.0 ~ 5.5 V
600千赫
15 ??
mH
?? mA的典型值
9 ？ ％典型值
9
mA
典型值
0.05
mA
典型值
1.19 V ± 0.6%
竞争者
.0 ~ 5.5 V
1.1 ~ 5.5 V
500千赫
mH
未指定
91 ％典型值
16
mA
典型值
0.1
mA
典型值
1. V ± .0%
主要特点
高开关频率允许使用
小的电感器和电容器
升压转换器
设备
NCP100A
NCP10
NCP10
NCP106
NCP110
NCP11
NCP1
NCP1
NCP150A
包（ S）
SOT--5
SOT--5
SOT--6
SOT--5
Micro8
Micro8
DFN-10
Micro10
SOT--5
拓扑
PWM
PFM
PFM
PFM
PFM
PFM
PFM
PFM
PWM
频率
180千赫
180千赫
？ 00千赫
1000千赫
600千赫
1 ？ 00千赫
1. ？兆赫
600千赫
180千赫
典型的升压转换器
输入电压
0.8 - 5.5 V
0.8 - 5.5 V
1. - 5.5 V
1. - 5.5 V
1.0 - 5.5 V
1.0 - 5.0 V
1.0 - 5.0 V
0.8 - . V
0.8 - 5.5 V
输出电压
1.8 - 5.0 V
1.8 - 5.0 V
高达15 V
高达5 ·V
1.5 - 5.5 V
1.5 - 5.0 V
1.0 - 5.0 V
1.8 - . V
1.8 - 5.0 V
MAX CURRENT
百毫安
？ 00毫安
50毫安
50毫安
-50毫安
600毫安
800毫安
？ 00毫安
千毫安
（外部开关）
典型效率
88%
85%
8%
85%
9%
9%
9%
9%
88%
特点
使能引脚
使能引脚
使能引脚
使能引脚
同步录像，低电池电量检测
真正的截止，环杀手，低电池电量检测
同步录音，真截止，低电池电量检测
同步录音，真截止，低电池电量检测，
低启动电压（ 0.8 V）
使能引脚
优化图-的，用优异的MOSFET的DC- DC转换器
完整
mCool
投资组合
N沟道& P沟道
单，双，优势互补，
FETKY
8 V, 0 V, 0 V
主要性能特点
低R
DS （ ON）
和栅极电荷交付
低比率数据 - - 优异
（ <110单N沟道）
封装热阻
8°C/W
封装面积小
mm
低调<0.75毫米
mCool
MOSFET的
设备
同步升压
B
VDSS
0 V
0 V
0 V
0 V
极性
N
N
P
N / P
CON组fi guration
双
FETKY
FETKY
补充
R
DS （ ON）
*
<70米
W
<70米
W
<100米
W
100分之<70米
W
包
WDFN ， ？ X ？毫米
WDFN ， ？ X ？毫米
WDFN ， ？ X ？毫米
WDFN ， ？ X ？毫米
NTJD116N
NTLJF156N
NTLJF117P
NTLJD119C
异步升压
其他新的MOSFET
设备
NTHD10C
同步降压
B
VDSS
0 V
0 V
0 V
0 V
0 V
极性
N / P
P
N / P
P
N
CON组fi guration
补充
单身
补充
FETKY
单身
R
DS （ ON）
*
< ？八十五分之五米
W
<110米
W
1分之<80 ？ 5米
W
<80米
W
<85米
W
包
ChipFET ， ？ X ？毫米
TSOP- 6 ， ？ X ？毫米
TSOP- 6 ， ？ X ？毫米
TSOP- 6 ， ？ X ？毫米
SC- 88 ？ X ？毫米
NTGS1P
NTGD1C
NTGF1F
NTJS160N
异步降压
* R
DS （ ON）
.5 V
gs
安森美半导体
第5页
NTJS4160N
功率MOSFET
30 V ， 3.2 A单N沟道， SC- 88
特点
提供了一个低R
DS （ ON）
在SC -88封装的解决方案
薄型（ < 1.1毫米）允许它可轻松放入极薄
环境，如便携式电子产品
工作在标准逻辑电平栅极驱动
低栅电荷
这是一个Pb - Free设备
应用
V
（ BR ） DSS
30 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
典型值
45毫瓦@ 10 V
65毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
3.2 A
DC - DC转换器（降压和升压电路）
优化电池供电便携式设备，如，
手机，PDA ，媒体播放器等。
负荷管理
电池充电和OV IC保护电路
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
≤
1s
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
≤
1s
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
漏电流脉冲
T
A
= 25
°C
稳定
状态
T
A
= 85
°C
T
A
= 25
°C
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
I
D
T
A
= 25
°C
T
A
= 85
°C
T
A
= 25
°C
P
D
T
A
= 25
°C
0.95
1.8
1.3
0.3
10
-55
150
1.3
260
W
A
A
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
2.6
1.9
3.2
0.62
W
单位
V
V
A
标记图
6
1
SC- 88 （ SOT 363 ）
CASE 419B
28风格
T7 MG
G
1
T7
=器件代码
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
SC-88
(SOT-363)
D
1
6
D
D
2
5
D
t
p
= 10
ms
G
3
顶视图
4
S
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
°
C
A
°C
订购信息
设备
NTJS4160NT1G
包
SC-88
（无铅）
航运
3000个/卷
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹） 。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
1
2008年3月 - 第1版
出版订单号：
NTJS4160N/D
NTJS4160N
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 吨
≤
1秒（注3）
结 - 环境 - 稳态（注4 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
200
132
420
单位
° C / W
3.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
4.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
I
D
= 250
毫安，
裁判25℃
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
30
20
1.0
10
100
-200
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
= +20 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= -20 V
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
栅极阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.6 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.2 A
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源二极管的特性
正向二极管电压
V
SD
V
GS
= 0 V,
I
S
= 1.3 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.79
0.67
10.3
V
GS
= 0 V ，二
S
/ DT = 100 A / MS ，
I
S
= 1.3 A
7.2
3.1
4.0
nC
ns
1.2
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 15 V,
I
D
= 1.0 A，R
G
= 6.0
W
8.7
7.2
10.9
1.9
15
13
19
4.0
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 2.6 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 10 V
230
62
39
2.75
0.37
0.87
1.1
nC
pF
g
FS
V
GS
= 5.0 V，I
D
= 3.0 A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
0.8
-5.0
45
65
4.2
60
85
S
2.4
V
毫伏/°C的
mW
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
t
RR
T
a
T
b
Q
RR
5.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTJS4160N
包装尺寸
SC- 88 （ SOT- 363 ）
CASE 419B -02
ISSUE W
D
e
风格28 ：
PIN 1.排放
2.漏
3.门
4.源
5.排水
6.排水
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 419B -01已过时，新标准419B -02 。
MILLIMETERS
民
喃最大
0.80
0.95
1.10
0.00
0.05
0.10
0.20 REF
0.10
0.21
0.30
0.10
0.14
0.25
1.80
2.00
2.20
1.15
1.25
1.35
0.65 BSC
0.10
0.20
0.30
2.00
2.10
2.20
英寸
喃最大
0.037 0.043
0.002 0.004
0.008 REF
0.004 0.008 0.012
0.004 0.005 0.010
0.070 0.078 0.086
0.045 0.049 0.053
0.026 BSC
0.004 0.008 0.012
0.078 0.082 0.086
民
0.031
0.000
6
5
4
H
E
1
2
3
-E-
b
6 PL
0.2 (0.008)
M
E
M
暗淡
A
A1
A3
b
C
D
E
e
L
H
E
A3
C
A
焊接足迹*
0.50
0.0197
A1
L
0.65
0.025
0.65
0.025
0.40
0.0157
1.9
0.0748
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
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这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
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