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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第226页 > NTD4906NT4G
NTD4906N
功率MOSFET
特点
30 V ， 54 A单N沟道， DPAK / IPAK
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
这些无铅器件
V
（ BR ） DSS
30 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
最大
5.5毫瓦@ 10 V
8.0毫瓦@ 4.5 V
D
I
D
最大
54 A
应用
CPU电源交付
DC-DC转换器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（R
qJA
)
（注1 ）
功耗
(R
qJA
） （注1 ）
连续漏极
电流（R
qJA
）（注
2)
功耗
(R
qJA
） （注2 ）
连续漏极
电流（R
QJC
)
（注1 ）
功耗
(R
QJC
） （注1 ）
漏电流脉冲
t
p
=10ms
通过封装电流限制
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
, T
英镑
I
S
dv / dt的
E
AS
P
D
I
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
"20
14
9.9
2.6
10.3
7.3
1.38
54
38
37.5
223
90
55
to
175
32
6.5
48
W
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
W
A
W
A
单位
V
V
A
G
S
4
4
1 2
N沟道
4
3
1
CASE 369AA
DPAK
（本特铅）
方式2
3
CASE 369AD
CASE 369D
IPAK
IPAK
（直引线） （直引线
DPAK ）
2 3
1
2
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
49
06NG
4
漏
YWW
49
06NG
4
漏
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（T
J
= 25 ° C，V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V,
L = 0.1 mH的，我
L（ PK）
= 31 A，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
T
L
260
°C
2
1 2 3
排水3
1
门漏源
门源
1 2 3
门漏源
Y
WW
4906N
G
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年6月
第1版
1
出版订单号：
NTD4906N/D
YWW
49
06NG
NTD4906N
热阻最大额定值
参数
结至外壳（漏）
结到标签（漏）
结到环境
稳态（注1 ）
结到环境
稳态（注2 ）
1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板， 1盎司铜。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
符号
R
QJC
R
QJC -TAB
R
qJA
R
qJA
价值
4.0
4.3
58
109
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
13
21
20
3.7
7.7
19
22
2.3
ns
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A
1932
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 15 V
642
19
11
3.0
5.9
1.8
24
nC
nC
pF
政府飞行服务队
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
V
DS
= 1.5 V，I
D
= 30 A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.0
1.6
4.0
4.6
4.6
6.5
6.5
52
S
8.0
5.5
2.2
V
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
30
15
1.0
10
"100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTD4906N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
t
RR
ta
tb
Q
RR
L
S
L
D
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
V
GS
= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 30 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.87
0.76
33
17
16
25
nC
ns
1.1
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复时间
封装寄生效应值
源极电感（注5 ）
排水电感， DPAK
排水电感， IPAK （注5 ）
栅极电感（注5 ）
栅极电阻
5.假设的110密耳端的长度。
2.85
0.0164
1.88
4.9
1.0
2.0
nH
W
http://onsemi.com
3
NTD4906N
典型性能曲线
125
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
100
4V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
3.8 V
3.6 V
75
50
25
0
3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.8 V
2.6 V
2.4 V
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
80
T
J
= 125°C
60
40
T
J
= 25°C
V
DS
≥
10 V
10 V
7V
4.5 V
4.2 V
100
20
0
T
J
=
55°C
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.010
0.009
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.010
图2.传输特性
T
J
= 25°C
0.009
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
15
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
3
4
5
6
7
8
9
10
25
35
45
55
65
75
85
95 105 115 125
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50 25
10
0
25
50
75
100
125
150
175
5
10,000
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
100
T
J
= 85°C
10
15
20
25
30
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与漏极电压
http://onsemi.com
4
NTD4906N
典型性能曲线
2500
2000
C
国际空间站
1500
1000
500
0
C
RSS
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
15
12
9
6
Q
GS
3
0
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
VGS ，栅极至源极电压（伏）
C，电容（pF ）
Q
T
V
GS
Q
GD
V
DD
= 15 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
5
10
15
20
25
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
30
C
OSS
0
图7.电容变化
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
30
IS ，源电流（安培）
V
GS
= 0 V
25
20
15
T
J
= 125°C
10
5
0
0
T
J
= 25°C
0.4
0.8
0.2
0.6
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
1.0
1000
V
DD
= 15 V
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
t
D（关闭）
t
f
t
r
T， TIME （ NS ）
100
10
t
D（上）
1
1
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
100
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
EAS ，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
1000
I D ，漏极电流（ AMPS ）
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
25
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
= 31 A
100
10
ms
10
100
ms
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1毫秒
10毫秒
dc
1
0.1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
100
50
75
100
125
150
T
J
，结温（ ° C）
175
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
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NT5DS32M8CS-5T
NEV0.15M25
NX8571SC602-BA
NB7L72M
NJM324
NTE1758
NM93C46ATLMT8
NCP694DSAN12T1G
NITAI100V3.3UF
NTJS4160N
NCV33204
NAND01GR3A2BV1T
NM24W04LEM8
NCP45521IMNTWG-H
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数量
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单价/备注
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    联系人：杨小姐
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    NTD4906NT4G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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联系人：朱经理、张小姐
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