NTD4865N
功率MOSFET
25 V ， 44 A单N沟道， DPAK / IPAK
特点
沟槽技术
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
这些无铅器件
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
25 V
R
DS （ ON）
最大
10.9毫瓦@ 10 V
I
D
最大
44 A
应用
VCORE应用
DC- DC转换器
高/低侧开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
（注1 ）
功耗
R
qJA
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
（注2 ）
功耗
R
qJA
（注2 ）
连续漏极
当前
QJC
（注1 ）
功耗
R
QJC
（注1 ）
脉冲漏
当前
t
p
=10ms
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
,
T
英镑
I
S
dv / dt的
EAS
P
D
I
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
25
±20
10.5
8.1
1.92
8.5
6.6
1.27
44
34
33.3
87
35
-55
+175
28
6
50
W
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
4
漏
YWW
48
65NG
W
A
CASE 369AA
DPAK
（本特铅）
方式2
W
A
1 2
3
4
单位
V
V
A
G
17.2毫瓦@ 4.5 V
D
S
N沟道MOSFET
4
4
1
2 3
1
3
CASE 369AC
CASE 369D
3 IPAK
IPAK
（直引线） （直引线
DPAK ）
2
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
48
65NG
4
漏
YWW
48
65NG
通过封装电流限制
工作结存储
温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（T
J
= 25 ° C，V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 10 A
pk
中，L = 1.0毫亨，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
T
L
260
°C
2
1 2 3
1 3漏
门漏源
门源
1 2 3
门漏源
Y
WW
4865N
G
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
1
2008年4月 - 第1版
出版订单号：
NTD4865N/D
NTD4865N
热阻最大额定值
参数
结至外壳（漏）
结到TAB （漏）
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
1.表面安装上使用1平方式衬垫， 1盎司铜FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
符号
R
QJC
R
QJC -TAB
R
qJA
R
qJA
价值
4.5
3.5
78
118.5
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/
T
J
I
DSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 20 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
25
23
1.0
10
±100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.45
5.0
2.5
V
毫伏/°C的
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 30 A
I
D
= 30 A
8.9
13.9
39
10.9
17.2
mW
S
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
总栅极电荷
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
g
FS
V
DS
= 1.5 V，I
D
= 15 A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0兆赫，V
DS
= 12 V
827
223
111
7.2
0.8
3.0
3.3
14.6
nC
nC
10.8
pF
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
10.3
24.6
11.4
3.5
5.4
19
17.4
2.3
ns
ns
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTD4865N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏源二极管的特性
正向二极管电压
V
SD
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
1.0
0.89
10.6
V
GS
= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 30 A
7.0
3.6
1.7
nC
ns
1.2
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
封装寄生效应值
源极电感
排水电感， DPAK
排水电感， IPAK
门电感
栅极电阻
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
L
S
L
D
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
2.49
0.0164
1.88
3.46
0.75
nH
W
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
3
QQ：2880707522 复制
