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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第226页 > NGTG15N60S1EG
NGTG15N60S1EG
IGBT - 短路额定
这种绝缘栅双极晶体管（ IGBT）具有强大的和
成本有效的非穿通（NPT ）沟道结构，并
提供卓越的性能要求苛刻的开关应用。
同时提供低导通电压和最小的开关损耗，在
IGBT的非常适合的电动机驱动控制及其它硬开关
应用程序。
特点
http://onsemi.com
饱和电压低导致低传导损耗
低开关损耗较高频率的应用
5
ms
短路能力
优良的电流与封装尺寸性能密度
这是一个Pb - Free设备
15 A， 600 V
V
CESAT
= 1.5 V
C
典型应用
白色家电家电电机控制
通用变频器
AC和DC电机控制
绝对最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极电流
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，T
脉冲
受
T
JMAX
极 - 发射极电压
功耗
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
短路承受时间
V
GE
= 15 V, V
CE
= 400 V ，T
J
v
+150°C
工作结温范围
存储温度范围
从无铅焊接温度的， 1/8“
情况下持续5秒
符号
V
CES
I
C
价值
600
30
15
120
$20
117
47
5
55
to
+150
55
to
+150
260
单位
V
A
G
E
C
I
CM
V
GE
P
D
A
V
W
G
C
E
TO220
CASE 221A
方式4
标记图
t
SC
T
J
T
英镑
T
SLD
ms
°C
°C
°C
G15N60S1G
AYWW
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
A
Y
WW
G
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
设备
NGTG15N60S1EG
包
TO220
（无铅）
航运
50单位/铁
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年8月
第2版
1
出版订单号：
NGTG15N60S1E/D
NGTG15N60S1EG
热特性
等级
热阻结到外壳，用于IGBT
热阻结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
价值
1.06
60
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压，
栅极 - 发射极短路
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极截止电流，栅极 - 发射极
短路
栅极漏电流，集电极 - 发射极
短路
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷总量
门极 - 发射极充
门到集充电
开关特性，感性负载
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
*包括使用NGTB15N60S1EG二极管的反向恢复损耗。
T
J
=
150°C
V
CC
= 400 V，I
C
= 15 A
R
g
= 22
W
V
GE
= 0 V / 15 V*
T
J
= 25°C
V
CC
= 400 V，I
C
= 15 A
R
g
= 22
W
V
GE
= 0 V / 15 V*
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
65
28
170
140
0.550
0.350
0.900
65
28
180
260
0.650
0.600
1.250
mJ
ns
mJ
ns
V
CE
= 480 V，I
C
= 15 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 20 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
1950
70
48
88
16
42
nC
pF
V
GE
= 0 V，I
C
= 500
mA
V
GE
= 15 V，I
C
= 15 A
V
GE
= 15 V，I
C
= 15 A，T
J
= 150°C
V
GE
=
V
CE
, I
C
= 250
mA
V
GE
= 0 V, V
CE
= 600 V
V
GE
= 0 V, V
CE
= 600 V ，T
J
= 150°C
V
GE
= 20 V, V
CE
= 0 V
V
CE
= 20 V，I
C
= 15 A
V
（ BR ） CES
V
CESAT
V
GE （日）
I
CES
I
GES
g
fs
600
1.3
1.55
4.5
1.5
1.75
5.5
10
10.1
1.7
1.95
6.5
200
100
V
V
V
mA
nA
S
测试条件
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
NGTG15N60S1EG
典型特征
60
I
C
，集电极电流（ A）
50
40
30
20
10
0
V
GE
= 7 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
60
V
GE
= 11 V
I
C
，集电极电流（ A）
T
J
= 150°C
50
V
GE
= 11 V
40
30
20
10
V
GE
= 7 V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GE
= 9 V
V
GE
= 17 V至13 V
T
J
= 25°C
V
GE
= 17 V至13 V
V
GE
= 9 V
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图1.输出特性
70
I
C
，集电极电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
V
GE
= 9 V
V
GE
= 7 V
6
7
8
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
I
C
，集电极电流（ A）
V
GE
= 17 V至13 V
V
GE
= 11 V
T
J
=
40°C
60
图2.输出特性
T
J
= 25°C
50
40
30
20
10
0
40°C
150°C
0
2
4
6
8
10
12
14
V
GE
，门极 - 发射极电压（ V）
图3.输出特性
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
50
10
I
C
= 30 A
电容（pF）
1000
10,000
图4.典型的传输特性
C
IES
I
C
= 15 A
I
C
= 10 A
I
C
= 5 A
100
C
OES
C
水库
20
10
40
70
100
130
160
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
T
J
，结温（ ° C）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图5. V
CE （ SAT ）
与T
J
图6.典型电容
http://onsemi.com
3
NGTG15N60S1EG
典型特征
20
0.7
0.6
15
V
CES
= 480 V
开关损耗（兆焦耳）
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
0
0
20
40
60
80
100
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A
R
G
= 22
W
120
140
160
EOFF
宙
V
GE
，栅极 - 发射极电压（V）的
10
5
Q
G
，栅极电荷（ NC）
T
J
，结温（ ° C）
图7.典型栅极电荷
1000
t
f
开关损耗（兆焦耳）
切换时间（纳秒）
100
t
D（关闭）
t
D（上）
t
r
10
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A
R
G
= 22
W
0
20
40
60
80
100
120
140 160
T
J
，结温（ ° C）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
8
图8.开关损耗与温度的关系
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
T
J
= 150°C
R
G
= 22
W
宙
EOFF
1
12
16
20
24
28
32
I
C
，集电极电流（ A）
图9.开关时间与温度的关系
1000
t
f
开关损耗（兆焦耳）
切换时间（纳秒）
t
D（关闭）
t
D（上）
t
r
10
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
T
J
= 150°C
R
G
= 22
W
8
12
16
20
24
28
32
0.9
1.2
图10.开关损耗与我
C
宙
100
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A
T
J
= 150°C
EOFF
0.6
0.3
1
0
5
15
25
35
45
55
65
75
85
I
C
，集电极电流（ A）
R
G
，栅极电阻（ W）
图11.开关时间与我
C
图12.开关时间与
G
http://onsemi.com
4
NGTG15N60S1EG
典型特征
1000
t
f
切换时间（纳秒）
t
D（关闭）
100
t
D（上）
t
r
10
V
CE
= 400 V
V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A
T
J
= 150°C
5
15
25
35
45
55
65
75
85
开关损耗（兆焦耳）
0.9
1.2
V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A
R
G
= 22
W
T
J
= 150°C
宙
EOFF
0.6
0.3
1
0
175
225
275
325
375
425
475
525
575
R
G
，栅极电阻（ W）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图13.开关时间与
G
1000
I
C
，集电极电流（ A）
t
f
切换时间（纳秒）
100
t
D- OFF
t
D· ON
t
r
10
V
GE
= 15 V
I
C
= 15 A
R
G
= 22
W
T
J
= 150°C
175 225
275
325
375
425
475
525
575
1000
图14.开关损耗与V
CE
1毫秒
100
10
1
0.1
0.01
100
ms
50
ms
直流操作
单非重复性
脉冲吨
C
= 25°C
曲线必须降低
线性增长
温度
1
10
100
1000
1
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图15.开关时间与V
CE
图16.安全工作区
1000
I
C
，集电极电流（ A）
100
10
1
0.1
0.01
V
GE
= 15 V ，T
C
= 125°C
1
10
100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
1000
图17.反向偏置安全工作区
http://onsemi.com
5
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NX6504SK
NUF6106FCT1_04
NTD110N02R-001
NCE20N65F
NAZU470M25V6.3X6.3NBF
NLX3G16BMX1TCG
NAND128W3A2AZA6T
NFV20D621K
NLU1G04BMX1TCG
N87L58
NC4D-JP-DC110V
NTE5328W
NTE5437
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    NGTG15N60S1EG
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    -
    -
    -
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NGTG15N60S1EG
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24+
3000
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联系人：李
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3769
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原厂
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联系人：销售部
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ON Semiconductor
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22000
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地址：体验愉快问购元件！帮您做大生意！！深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
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3675
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22+
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