NUP4016
超低电容
二极管TVS阵列高
高速数据线保护
该NUP4016P5瞬态电压抑制器的目的是保护
高速数据线的ESD 。超低电容和高级别
的ESD保护使该器件非常适合于使用在USB 2.0的
应用程序。
特点
1
2
3
4
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5
超低电容（ 0.5 pF的典型I / O线之间
地面）
ESD额定值3B类的（超过8千伏）每人体模型
和C类（超过400 V）每台机器型号
保护以下IEC标准：
IEC 61000-4-2 15千伏（接触）
UL防火等级的94 V- 0
这是一个Pb - Free设备
高速通信线路保护
USB 2.0高速数据线路和电源线路保护
显示器和佛罗里达州的显示器
MP3
千兆以太网
典型应用
SOT953
CASE 527AE
标记图
4M
单位
°C
°C
°C
V
1
4 =具体设备守则
M =日期代码
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
工作结温范围
存储温度范围
无铅焊锡温度
最大（ 10秒）
人体模型（ HBM ）
机器模型（ MM ）
IEC 61000-4-2接触（ ESD ）
符号
T
J
T
英镑
T
L
ESD
价值
40
+125
55
+150
260
16000
400
15000
订购信息
设备
NUP4016P5T5G
包
SOT953
（无铅）
航运
4000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年9月，
第0版
1
出版订单号：
NUP4016P5/D
NUP4016
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
反向工作电压
击穿电压
反向漏电流
结电容
结电容
符号
V
RWM
V
BR
I
R
C
J
C
J
（注1 ）
I
T
= 1毫安， （注2）
V
RWM
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1 I / O引脚与GND之间兆赫
V
R
= 0 V ， F = 1 I / O引脚之间兆赫
0.5
0.3
6.0
1.0
0.8
0.5
条件
民
典型值
最大
5.0
单位
V
V
mA
pF
pF
根据工作峰值反向电压1. TVS器件通常被选定（Ⅴ
RWM
） ，这应该是等于或大于直流
或连续峰值工作电压电平。
2. V
BR
测量在脉冲测试电流I
T
.
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
图1. ESD钳位电压截图
（每IEC610000-4-2 8 kV接触）
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2
NUP4016
包装尺寸
SOT953
CASE 527AE -01
发行
A
X
5
1 2
e
b
5X
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
IS基础材料的最小厚度。
暗淡
A
b
C
D
E
e
L
H
E
MILLIMETERS
民
喃
最大
0.34
0.37
0.40
0.10
0.15
0.20
0.05
0.10
0.15
0.95
1.00
1.05
0.75
0.80
0.85
0.35 BSC
0.05
0.10
0.15
0.95
1.00
1.05
民
0.004
0.002
0.037
0.03
英寸
喃
最大
D
4
3
Y
L
E
H
E
C
0.08 X Y
0.006 0.008
0.004 0.006
0.039 0.041
0.032 0.034
0.014 BSC
0.002 0.004 0.006
0.037 0.039 0.041
焊接足迹*
0.35
0.014
0.35
0.014
0.90
0.0354
0.20
0.08
0.20
0.08
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
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