NCP629
高性能CMOS
LDO稳压器启用
和增强型ESD
保护芯片级
封装（CSP ）
该NCP629提供可输出150 mA电流的固定电压
选项。它是专为便携式电池供电应用及
提供高性能的特性，如低功耗，速度快
使响应时间和低压差。
该装置被设计成与低成本陶瓷电容器使用。
特点
http://onsemi.com
记号
图
XXXG
AYWW
5 PIN FLIP - CHIP
CASE 499AY
XXX
A
Y
WW
G
输出电压选项：
1.5 V, 1.8 V, 2.8 V, 3.0 V, 3.3 V, 3.5 V, 5.0 V
150毫伏在150mA超低压差电压
快速启用打开，在15时
ms
宽电源电压工作范围
支持低于1 V启用阈值
出色的线路和负载调节
精度高到超过所有的2 ％的输出电压容差
工作条件
50个典型噪声电压
mV
RMS
无需旁路电容
超小型CSP足迹与身高： 1.028 X 1.19毫米，
最大高度0.6毫米
增强的ESD保护（ HBM 3.5 kV时， MM 400 V ）
这些无铅器件
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
引脚连接
A3
C3
典型应用
个人电子产品（ MP3播放器）
便携式设备（蜂窝电话）
噪声敏感电路 - 压控振荡器， RF级等
摄像机和照相机
订购信息
V
in
V
in
V
OUT
NCP629
启用
GND
C
OUT
V
OUT
看到详细的订购和发货信息
包装尺寸本数据手册的第10页上的一节。
C
in
图1.典型应用电路
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
1
2008年2月 - 第1版
A1
A3
C3
C1
B2
A1
B2
C1
（ TOP VIEW ）
=启用
= V
in
= V
OUT
= NC
= GND （基体）
出版订单号：
NCP629/D
NCP629
V
in
V
OUT
驱动程序
电流限制
+
-
热
关闭
启用
V
REF
GND
图2.简化框图
引脚功能说明
PIN号
C3
A1
A3
B2
C1
引脚名称
V
in
GND
启用
NC
V
OUT
正电源输入
电源接地;装置基板
使能输入使器件进入低功耗待机时被拉至逻辑低（ < 0.4 V） 。
连接到V
in
如果该函数不被使用。
无连接
稳压输出电压
描述
绝对最大额定值
等级
输入电压范围（注1 ）
输出电压范围
使能输入范围
最高结温
存储温度范围
ESD能力，人体模型（注2 ）
ESD能力，机器模型（注2 ）
湿度敏感度等级
符号
V
in
V
OUT
启用
T
J（下最大）
T
英镑
ESD
HBM
ESD
MM
MSL
价值
-0.3 6.5
-0.3 6.5 （或V
in
+ 0.3)
以较低者为准
-0.3 6.5 （或V
in
+ 0.3)
以较低者为准
150
-65到150
3500
400
MSL1/260
单位
V
V
V
°C
°C
V
V
-
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.参考电气特性和应用信息的安全工作区。
2.该装置系列采用ESD保护，并通过以下方法进行测试：
每AEC - Q100-002 （ EIA / JESD22- A114 ）ESD人体模型测试
每AEC - Q100-003 （ EIA / JESD22- A115 ）ESD机模型测试
闭锁电流最大额定值：
≤150
毫安根据JEDEC标准： JESD78 。
热特性
等级
热特性（注3 ）
热阻，结到空气（注4 ）
符号
R
qJA
价值
277
单位
° C / W
3.请参阅电气特性和应用信息的安全工作区。
基于645 mm铜区域4的值
2
1盎司纯铜厚度。
工作范围
（注5 ）
等级
工作输入电压（注6 ）
输出电流
环境温度
符号
V
in
I
OUT
T
A
民
1.5
0
-40
最大
6
150
125
单位
V
mA
°C
5.请参阅电气特性和应用信息的安全工作区。
6.最小V
in
= 1.5 V或（Ⅴ
OUT
+ V
DO
） ，以较高者为准。
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2
NCP629
电气特性
(V
in
= V
OUT
+ 0.5 V ，C
in
= C
OUT
=1.0
MF，
典型值T
A
= 25 ℃，最小/最大值T
A
= -40 ° C至125°C ;除非另有说明）。
（注7 ）
参数
稳压器输出
输出电压
1.5 V
1.8 V
2.8 V
3.0 V
3.3 V
3.5 V
5.0 V
电源纹波抑制比（注8）
(V
in
= V
OUT
+ 1.0 V + 0.5 V
p-p
)
I
OUT
= 1.0 mA至150毫安
V
in
= (V
OUT
+ 0.5 V）至6.0 V
VOUT
V
1.470
1.764
2.744
2.940
3.234
3.430
4.900
(-2%)
-
-
-
Regline
Regload
-
62
55
38
1.0
1.530
1.836
2.856
3.060
3.366
3.570
5.100
(+2%)
dB
-
-
-
10
mV
mV
-
-
-
-
300
-
-
-
2.0
2.0
2.0
50
550
150
125
75
20
25
30
-
800
225
175
125
mA
mA
-
-
-
-
-
135
140
145
175
10
170
175
180
-
-
°C
°C
mV
RMS
mA
mV
测试条件
符号
民
典型值
最大
单位
I
OUT
= 1.0 mA至150毫安
F = 120赫兹
F = 1.0千赫
F = 10千赫
V
in
= (V
OUT
+ 0.5 V）至6.0 V，
I
OUT
= 1.0毫安
I
OUT
= 1.0 mA至150毫安
PSRR
线路调整
负载调整率
1.5 V
1.8 V
2.8 V至5.0 V
输出噪声电压（注8）
输出短路电流
输入输出电压差
1.5 V
1.8 V
2.8 V至5.0 V
一般
禁用当前
地电流
1.5 V
1.8 V至3.0 V
3.3 V至5.0 V
热关断温度（注8）
热关断迟滞（注8）
芯片使能
使能输入阈值电压
升压，逻辑高电平
电压下降，逻辑低
使能输入偏置电流（注8 ）
定时
输出导通时间
1.5 V至3.5 V
5.0 V
V
OUT
= 1.5 V,
F = 10赫兹至100千赫兹
VOUT = 0 V
V ：在测
OUT
– 2.0%
IOUT = 150毫安
Vn
ISC
V
DO
ENABLE = 0 V ， VIN = 6 V
-40°C
≤
T
A
≤
85°C
ENABLE = 0.9 V，
I
OUT
= 1.0 mA至150毫安
IDIS
IGND
-
0.01
1.0
TSD
tSH的
VTH （EN ）
0.9
-
IEN
ENABLE = 0 V到V
in
t
on
-
-
15
30
25
50
-
-
-
3.0
-
0.4
100
V
nA
ms
7.性能保证在指定的工作温度范围内由设计和/或特性，在生产测试
T
J
= T
A
= 25
°C.
测试，以保持结点温度为接近环境尽可能过程中使用低占空比脉冲技术。
根据设计和/或特性8.价值。
http://onsemi.com
3
QQ：2880707522 复制
