NUF4211MN
低电容
4线EMI滤波器
ESD保护
这个装置是一个4线EMI滤波器阵列，用于无线应用。
从频率得到大于-20 dB的衰减
800兆赫至3.0千兆赫。它还提供ESD保护，钳位
瞬变静电放电。 ESD保护所有提供
电容器。
特点
http://onsemi.com
1
Cd
Cd
8
EMI滤波和ESD保护
20个分立元件集成
符合IEC61000-4-2 （4级）
>8千伏（联系）
DFN封装， 2 ×2mm的
湿度敏感度等级1
ESD额定值：机器型号= C
人体模型= 3B
这是一个Pb - Free设备*
2
Cd
Cd
7
3
Cd
Cd
6
4
Cd
Cd
5
（ TOP VIEW ）
好处
滤波器响应
综合解决方案提高系统可靠性
应用
1
1
U5 =具体设备守则
M =日期代码
1
2
3
4
U5 M
4
5
航运
降低EMI / RFI Emmisions上数据线
集成解决方案提供成本和节省空间
降低寄生电感它们提供一个更“理想”低通
记号
图
DFN8
CASE 506AA
塑料
EMI滤波和ESD保护数据线
无线电话
手持式产品
笔记本电脑
LCD显示器
GND
8
7
6
（底视图）
订购信息
设备
NUF4211MNT1G
包
DFN8
（无铅）
3000 /磁带&卷轴
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年2月 - 修订版0
出版订单号：
NUF4211MN/D
NUF4211MN
最大额定值
参数
ESD放电IEC61000-4-2
接触放电
机器型号
人体模型
工作温度范围
存储温度范围
最大的铅焊接温度的目的（从1.8的情况下为10秒）
T
OP
T
英镑
T
L
符号
V
PP
8.0
0.4
8.0
-40到85
-55到150
260
°C
°C
°C
价值
单位
kV
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大反向工作电压
击穿电压
漏电流
阻力
电容（注1及2 ）
截止频率（注3 ）
符号
V
RWM
V
BR
I
R
R
A
Cd
f
3dB
I
R
= 1.0毫安
V
RWM
= 3.3 V
I
R
= 10毫安
V
R
= 2.5 V ， F = 1.0 MHz的
上面的这个频率，
明显的衰减发生
85
100
8.5
250
6.0
7.0
测试条件
民
典型值
最大
5.0
8.0
100
115
11
单位
V
V
nA
W
pF
兆赫
1，测量温度为25 ℃。
2.总线电容是2倍的二极管电容（镉） 。
3. 50
W
源和50
W
负载端接。
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2
NUF4211MN
包装尺寸
DFN8
CASE 506AA -01
版本C
D
A
B
销1
参考
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸b适用于PLATED
终端和测量之间
0.25和0.30毫米端子。
4的共面适用于暴露
PAD以及端子。
MILLIMETERS
民
最大
0.80
1.00
0.00
0.05
0.20 REF
0.20
0.30
2.00 BSC
1.10
1.30
2.00 BSC
0.70
0.90
0.50 BSC
0.20
0.25
0.35
E
2X
0.10 C
2X
0.10 C
顶视图
暗淡
A
A1
A3
b
D
D2
E
E2
e
K
L
0.10 C
8X
0.08 C
座位
飞机
A1
e/2
1
8X
4
L
K
安森美半导体
和
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8
A
SIDE VIEW
D2
(A3)
C
e
E2
5
8X
b
0.10 C A B
0.05 C
注3
底部视图
NUF4211MN/D
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
