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NUD3160
工业感性
加载驱动程序
这MicroIntegrationt部分提供了一个单一的组件解决方案
切换感性负载,如继电器,螺线管和小DC
如果电动机没有一个续流二极管的需要。它接受逻辑
电平的输入,从而允许它由大量的各种设备的驱动
包括逻辑门电路,逆变器和微控制器。
特点
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS
3
1
2
SOT23
CASE 318
21风格
JW8 MG
G
提供直流继电器线圈和敏感之间强大的接口
逻辑
能够驱动继电器线圈的额定最高达150 mA的12 V , 24 V
或48 V
替换3或4分立元件的成本更低
内部稳压器无需为续流二极管
会见负载突降和其他汽车规格
无铅包可用
JW8 =具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
典型应用
6
1
汽车和工业环境
驾驶窗,锁,门,继电器天线
好处
SC74
CASE 318F
风格7
JW8 MG
G
JW8 =具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
NUD3160LT1
NUD3160LT1G
NUD3160DMT1
NUD3160DMT1G
SOT23
SOT23
(无铅)
SC74
SC74
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
减少PCB空间
标准化驱动继电器的宽范围
简化电路设计和PCB布局
符合汽车要求
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
漏极(3)
漏(6)
漏极(3)
门(1)
10 k
100 k
门(2)
10 k
100 k
10 k
100 k
门(5)
源(2)
CASE 318
源(1)
资料来源( 4 )
CASE 318F
图1.内部电路图
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年11月 - 第2版
出版订单号:
NUD3160/D
NUD3160
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
E
Z
漏极至源极电压 - 连续
(T
J
= 125°C)
栅极 - 源极电压 - 连续
(T
J
= 125°C)
漏电流 - 连续
(T
J
= 125°C)
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
峰值功耗,漏极 - 源极(注1及2 )
(T
J
初步= 85°C )
抛负载脉冲,漏 - 源极(注3 )
R
来源
= 0.5
W,
T = 300毫秒)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
电感式开关瞬态1 ,漏 - 源
(波形,R
来源
= 10
W,
T为2.0毫秒)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
电感式开关瞬态2 ,漏 - 源
(波形,R
来源
= 4.0
W,
T = 50
女士)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
反向电池, 10分钟(漏 - 源)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更多)
双电压跳开始, 10分钟(漏 - 源)
人体模型( HBM )
根据EIA / JESD22 / A114规格
等级
价值
60
12
150
200
单位
V
V
mA
mJ
P
PK
E
LD1
20
60
W
V
E
LD2
100
V
E
LD3
300
V
REV -BAT
双伏
ESD
14
28
2000
V
V
V
热特性
符号
T
A
T
J
T
英镑
P
D
P
D
R
qJA
1.
2.
3.
4.
工作环境温度
最高结温
存储温度范围
总功率耗散(注4 )
降额25℃以上
总功率耗散(注4 )
降额25℃以上
热阻结到环境(注4 )
SOT23
SC74
SOT23
SC74
等级
价值
-40至125
150
-65到150
225
1.8
380
3.0
556
329
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
° C / W
非重复性电流脉冲方波, 1.0毫秒的时间。
对于不同的方波脉冲持续时间,见图12 。
按照图3非重复性负载突降脉冲。
安装在最小焊盘板。
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2
NUD3160
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
特征
开关特性
漏极至源极耐受电压
(I
D
= 10 mA)的
漏极至源极漏电流
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
(V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
门体漏电流
(V
GS
= 3.0 V, V
DS
= 0 V)
(V
GS
= 3.0 V, V
DS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
(V
GS
= 5.0 V, V
DS
= 0 V)
(V
GS
= 5.0 V, V
DS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
基本特征
栅极阈值电压
(V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0 mA)的
(V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安,T
J
= 125°C)
漏极至源极导通电阻
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 3.0 V)
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 3.0 V,T
J
= 125°C)
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 5.0 V)
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 5.0 V ,T
J
= 125°C)
连续输出电流
(V
DS
= 0.3 V, V
GS
= 5.0 V)
(V
DS
= 0.3 V, V
GS
= 5.0 V ,T
J
= 125°C)
正向跨导
(V
DS
= 12 V,I
D
= 150 mA)的
动态特性
输入电容
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V , F = 10千赫)
输出电容
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V , F = 10千赫)
传输电容
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V , F = 10千赫)
开关特性
传播延迟时间:
高到低传输延迟;图2中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
从低到高传输延迟;图2中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
高到低传输延迟;图2中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
从低到高传输延迟;图2中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
转换时间:
下降时间;图2中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
上升时间;图2中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
下降时间;图2中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
上升时间;图2中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
ns
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
918
798
331
1160
ns
t
f
t
r
t
f
t
r
2290
618
622
600
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
30
14
6.0
pf
pf
pf
V
GS ( TH)
1.3
1.3
R
DS ( ON)
I
DS ( ON)
150
100
g
FS
200
400
mmho
2.4
3.7
1.8
2.9
mA
1.8
2.0
2.0
W
V
V
BRDSS
I
DSS
I
GSS
60
80
90
110
0.5
1.0
50
80
mA
61
66
70
V
mA
符号
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
3
NUD3160
典型波形
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
V
IH
V
in
50%
0V
t
PHL
90%
V
OUT
50%
10%
V
OL
t
r
t
PLH
V
OH
t
f
图2的开关波形
t
r
抛负载脉冲不抑制:
V
r
= 13.5 V额定
±10%
V
S
= 60 V额定
±10%
T = 300 ms的名义
±10%
t
r
= 1 - 10毫秒
±10%
90%
峰值的10%;
参考= V
r
, I
r
10%
V
r
, I
r
V
S
T
图3.抛负载波形定义
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4
NUD3160
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
80
I
DSS
,漏极漏电流(毫安)
70
60
50
40
30
20
10
0
50
25
0
25
50
75
100
125
V
DS
= 60 V
I
GSS
栅极漏电流(毫安)
70
60
V
GS
= 5 V
50
40
V
GS
= 3 V
30
20
50
80
25
0
25
50
75
100
125
T
J
,结温( ° C)
T
J
,结温( ° C)
图4.漏 - 源与漏
结温
66.4
BV
DSS
击穿电压( V)
I
D
漏极电流(mA )
66.2
66.0
65.8
65.6
65.4
65.2
65.0
64.8
50
25
0
25
50
75
100
125
I
D
= 10毫安
1E+03
图5.门 - 源与漏
结温
V
GS
= 5 V
1E+02
1E+01
1E+00
1E01
1E02
1E03
0.0
V
GS
= 1.5 V
V
GS
= 3 V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 2 V
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
T
J
,结温( ° C)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
R
DS ( ON)
,漏源电阻(MW )
图6.击穿电压 -
结温
1
V
DS
= 0.8 V
I
D
漏极电流(mA )
0.1
0.01
0.001
125
°C
图7.输出特性
3200
I
D
= 0.15 A
2800
2400
2000
1600
1200
800
50
V
GS
= 3.0 V
1E04
1E05
1E06
1E07
1.0
85
°C
25
°C
40
°C
V
GS
= 5.0 V
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
25
0
25
50
75
100
125
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
J
,结温( ° C)
图8.传递函数
图9.导通电阻变化VS
结温
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NUD3160DMT1G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
NUD3160DMT1G
ON/安森美
2418+
4500
SOT23-6
正规报关原装现货系列订货技术支持
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电话:15899765957 19573525995
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华航社区海外装饰大厦B座539
NUD3160DMT1G
ON(安森美)
24+
7450
SC-74
原装正品热卖
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电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
NUD3160DMT1G
ON
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原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
NUD3160DMT1G
ON
21+
36000
SOT23-6
只做原装实单申请
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电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
NUD3160DMT1G
ON
75000
21+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ:2480898381 复制

电话:0755-23915992/23140719
联系人:李
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
NUD3160DMT1G
ON
24+
68500
SC74
一级代理/放心采购
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:247773782 复制

电话:755-83252273
联系人:郑
地址:中航路新亚洲二期N3D039
NUD3160DMT1G
PTIF
23+
16800
绝对全新原装/自己库存现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2891128682 复制

电话:18820154873
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NUD3160DMT1G
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电话:0755-23991909
联系人:林裕忠
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NUD3160DMT1G
ONSEMI/安森美
17+20+
17000
SOT23-6
原装进口低价实单必成
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NUD3160DMT1G
ON/安森美
21+
10000
SOT23-6
全新原装正品/质量有保证
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