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NTMFS4925NE
功率MOSFET
特点
30 V , 48 A单N沟道, SO- 8 FL
低R
DS ( ON)
为最大限度地减少传导损耗
低电容,以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷,以最大限度地降低开关损耗
双面冷却能力
优化5 V , 12 V闸驱动器
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
30 V
R
DS ( ON)
最大
6.0毫瓦@ 10 V
10毫瓦@ 4.5 V
D (5,6)
I
D
最大
48 A
应用
CPU电源交付
DC-DC转换器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
(注1 )
功耗
R
qJA
(注1 )
连续漏极
当前
qJA
10 s
(注1 )
功耗
R
qJA
10秒(注1 )
连续漏极
当前
qJA
(注2 )
功耗
R
qJA
(注2 )
连续漏极
当前
QJC
(注1 )
功耗
R
QJC
(注1 )
脉冲漏
当前
稳定
状态
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
16.7
10.5
P
D
I
D
2.70
25.2
15.9
P
D
I
D
6.16
9.7
6.2
P
D
I
D
0.92
48
30
P
D
I
DM
I
DMAX
T
J
,
T
英镑
I
S
的dV / D
t
E
AS
T
L
23.2
195
100
55
to
+150
21
6.0
34
W
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
W
A
W
A
1
单位
V
V
A
G (4)
S (1,2,3)
W
A
N沟道MOSFET
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
=100°C
T
C
= 25°C
记号
D
SO- 8扁平引脚
CASE 488AA
风格1
S
S
S
G
4925NE
AYWWG
G
D
D
D
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
T
A
= 25 ° C,T
p
= 10
ms
T
A
= 25°C
通过封装电流限制
工作结存储
温度
订购信息
设备
NTMFS4925NET1G
NTMFS4925NET3G
SO- 8 FL
(无铅)
SO- 8 FL
(无铅)
航运
1500 /
磁带&卷轴
5000 /
磁带&卷轴
源电流(体二极管)
漏极到源极的dV / dt
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源(T
J
= 25 ° C,V
DD
= 24 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 26 A
pk
中,L = 0.1毫亨,R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1,表面安装用1平方式衬垫, 1盎司铜FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2011
2011年9月
第0版
1
出版订单号:
NTMFS4925NE/D
NTMFS4925NE
热阻最大额定值
参数
结至外壳(漏)
结 - 环境 - 稳态(注3 )
结 - 环境 - 稳态(注4 )
结至环境 - (叔
10秒) (注3)
结到顶部
3.表面装上用1平方项垫, 1盎司铜FR4板。
4.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
R
qJA
R
QJT
价值
5.4
46.3
136.2
20.3
10.2
° C / W
单位
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
R
DS ( ON)
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
Q
G( TOT )
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A,R
G
= 3.0
W
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V ;我
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V ;我
D
= 30 A
V
GS
= 0 V , F = 1兆赫,V
DS
= 15 V
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
V
DS
= 1.5 V,I
D
= 15 A
收费,电容&栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
开关特性
(注6 )
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
9.5
32.7
16.4
6.2
ns
1264
483
143
10.8
2.0
3.8
4.2
21.5
nC
nC
pF
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
mA
30
21
1.0
10
±100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
(注5 )
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.2
1.7
3.9
4.0
4.0
6.4
6.3
52
2.2
V
毫伏/°C的
6.0
mW
10
S
5.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTMFS4925NE
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
开关特性
(注6 )
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
L
S
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
V
GS
= 0 V , DIS / DT = 100 A / MS ,
I
S
= 30 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.86
0.75
25.8
12.4
13.4
13.6
nC
ns
1.1
V
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A,R
G
= 3.0
W
7.4
27.5
20.3
4.1
ns
符号
测试条件
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
封装寄生效应值
源极电感
排水电感
门电感
栅极电阻
1.00
0.005
1.84
0.8
2.2
nH
nH
nH
W
5.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
3
NTMFS4925NE
典型特征
120
10 V
110
I
D
,漏电流( A)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V
GS
= 2.5 V
0
1
2
3
4
5
3.5 V
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V
DS
= 10 V
4.5 V
T
J
= 25°C
4.0 V
I
D
,漏电流( A)
T
J
=
55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
3.0 V
1
2
3
4
5
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图1.区域特征
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
0.020
0.018
0.016
0.014
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0
I
D
= 30 A
0.011
0.010
0.009
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
10 20
图2.传输特性
中T = 25℃
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
3
4
5
6
V
GS
(V)
7
8
9
10
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120
I
D
,漏电流( A)
图3.导通电阻与V
GS
1.7
R
DS ( ON)
,漏 - 源
电阻(标准化)
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
50
10
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
,漏电( NA)
1,000
10,000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
100
T
J
= 85°C
V
GS
= 0 V
5
10
15
20
25
30
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
,结温( ° C)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
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4
NTMFS4925NE
典型特征
1600
1400
C,电容(pF )
1200
1000
800
600
400
200
0
0
5
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
QGS
QGD
T
J
= 25°C
V
GS
= 10 V
V
DD
= 15 V
I
D
= 30 A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
QG ,总栅极电荷( NC)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
QT
10
15
20
25
30
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.电容变化
1000
V
GS
= 10 V
V
DD
= 15 V
I
D
= 15 A
I
S
,源电流( A)
30
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
V
GS
= 0 V
25
20
15
10
T
J
= 125°C
5
0
T
J
= 25°C
t
D(关闭)
t
f
t
r
T, TIME ( NS )
100
10
t
D(上)
1
1
10
R
G
,栅极电阻( W)
100
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
SD
,源极到漏极电压(V )
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
0 V& LT ; V
GS
& LT ; 10 V
单脉冲
T
C
= 25°C
10
ms
10
1
0.1
0.01
R
DS ( ON)
极限
热限制
套餐限制
0.01
0.1
1
10
100
ms
1毫秒
10毫秒
dc
E
AS
,单脉冲漏 -
源雪崩能量(兆焦耳)
1000
100
40
36
32
28
24
20
16
12
8
4
0
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
= 26 A
I
D
,漏电流( A)
100
25
50
75
100
125
150
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T
J
,起动结温( ° C)
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:800888908 复制
    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    NTMFS4925NET1G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NTMFS4925NET1G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
NTMFS4925NET1G
ON
2025+
26820
5-DFN
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
NTMFS4925NET1G
onsemi
24+
10000
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
NTMFS4925NET1G
ON/安森美
2443+
23000
DFN-8
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
NTMFS4925NET1G
onsemi
24+
19000
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
NTMFS4925NET1G
ON
25+23+
13500
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316406779 复制
电话:075584505750
联系人:刘生
地址:龙岗区横岗街道华侨新村社区荣德时代广场A2301
NTMFS4925NET1G
原厂
22+
18260
SMD
原装代理现货,价格最优
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1469670340 复制

电话:18674491576
联系人:刘
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园四栋中7a01
NTMFS4925NET1G
ON
24+
6000
SO-8FL / DFN-5
原装现货特价
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
NTMFS4925NET1G
ON/安森美
24+
21000
DFN-8
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:800118233 复制
电话:0755-83051566
联系人:李小姐
地址:深圳市宝安区河东工业区A栋313-318
NTMFS4925NET1G
ON/安森美
22+
32570
DFN-8
进口原装公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1521075626 复制 点击这里给我发消息 QQ:2295958699 复制

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道上航大厦西座410
NTMFS4925NET1G
ON/安森美
24+
32000
DFN-8
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
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