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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第78页 > NTTD1P02R2_06
NTTD1P02R2
功率MOSFET
-1.45安培，伏特-20
P沟道增强模式
双Micro8t套餐
http://onsemi.com
特点
超低低R
DS （ ON）
更高的效率延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器
微型双Micro8表面贴装封装
二极管具有高转速，软恢复
Micro8安装信息提供
无铅包装是否可用
1.45
安培
20
伏
160毫瓦@ V
GS
=
4.5
双P沟道
D
应用
在便携式和电池供电产品的电源管理，
如：电脑，打印机， PCMCIA卡，手机和无绳
电话
G
S
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续
热阻
结到环境（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注3 ）
热阻
结到环境（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注3 ）
工作和存储
温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
=
20
VDC ，V
GS
=
4.5
VDC ，
峰值I
L
=
3.5
APK ， L = 5.6 mH的，
R
G
= 25
W)
最大无铅焊接温度的
宗旨为10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
T
J
, T
英镑
EAS
价值
20
"8.0
250
0.50
1.45
1.15
10
125
1.0
2.04
1.64
16
55
to
+150
35
单位
V
V
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
°C
mJ
8
1
Micro8
CASE 846A
方式2
标记图&
引脚分配
D1 D1 D2 D2
8
WW
BCG
G
1
S1 G1 S2 G2
=具体设备守则
=工作周
= Pb-Free包装
BC
WW
G
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
包
Micro8
Micro8
（无铅）
航运
4000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
T
L
260
°C
NTTD1P02R2
NTTD1P02R2G
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.最小的FR- 4或G - 10 PCB ，稳态。
2.安装在一个2 “方形FR- 4板
（ 1平方， 2盎司铜0.06 “厚单面） ，稳态。
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％ 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
第2版
1
出版订单号：
NTTD1P02R2/D
NTTD1P02R2
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明） （注4 ）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
=
250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
GS
= 0伏，V
DS
=
20
VDC ，T
J
= 25°C)
(V
GS
= 0伏，V
DS
=
20
VDC ，T
J
= 125°C)
门体漏电流
(V
GS
=
8
VDC ，V
DS
= 0伏）
门体漏电流
(V
GS
= 8伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
MADC ）
温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
(V
GS
=
4.5
VDC ，我
D
=
1.45
ADC）
(V
GS
=
2.7
VDC ，我
D
=
0.7
ADC）
(V
GS
=
2.5
VDC ，我
D
=
0.7
ADC）
正向跨导（V
DS
=
10
VDC ，我
D
=
0.7
ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
体漏二极管额定值
（注5 ）
二极管正向导通电压
(I
S
=
1.45
ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
=
1.45
ADC ，V
GS
= 0伏，
T
J
= 125°C)
(I
S
=
1.45
ADC ，V
GS
= 0伏，
dI
S
/ DT = 100 A / MS）
反向恢复电荷存储
4.处理措施以防止静电放电是强制性的。
5.指示脉冲测试：脉冲宽度= 300
ms
最大值，占空比= 2 ％ 。
6.开关特性是独立的工作结温。
V
SD
0.91
0.72
25
13
12
0.015
1.1
mC
VDC
(V
DS
=
16
VDC ，
V
GS
=
4.5
VDC ，
I
D
=
1.45
ADC）
(V
DD
=
16
VDC ，我
D
=
0.7
ADC ，
V
GS
=
4.5
VDC ，R
G
= 6.0
W)
(V
DD
=
16
VDC ，我
D
=
1.45
ADC ，
V
GS
=
4.5
VDC ，R
G
= 6.0
W)
(V
DS
=
16
VDC ，V
GS
= 0伏，
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
合计
Q
gs
Q
gd
265
100
60
10
25
30
25
10
20
30
20
5.0
1.5
2.0
10
nC
ns
ns
pF
V
GS （ TH）
0.7
0.95
2.3
0.130
0.175
0.190
2.5
1.4
0.160
0.250
VDC
V
（ BR ） DSS
20
12
1.0
10
100
100
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
I
DSS
I
GSS
I
GSS
NADC
NADC
R
DS （ ON）
W
g
FS
姆欧
开关特性
（注5 & 6 ）
反向恢复时间
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
ns
http://onsemi.com
2
NTTD1P02R2
3
2.7
V
2.9
V
3.1
V
3.3
V
3.7
V
4.5
V
2
8
V
1.9
V
1
1.7
V
V
GS
=
1.5
V
0
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2.5
V
3
T
J
= 25°C
I
D,
漏电流（安培）
2.3
V
V
DS
≥
10
V
I
D,
漏电流（安培）
2.1
V
2
1
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
T
J
=
55°C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
图2.传输特性
0.4
0.3
T
J
= 25°C
V
GS
=
2.5
V
V
GS
=
2.7
V
0.1
V
GS
=
4.5
V
0.3
I
D
=
1.45
A
T
J
= 25°C
0.2
0.2
0.1
0
0
2
4
6
8
10
12
V
GS ，
栅 - 源电压（伏）
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
I
D,
漏电流（安培）
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
1.6
R
DS （ON ） ，
漏极 - 源极
电阻（标准化）
1.4
1.2
1
0.8
0.6
50
I
D
=
1.45
A
V
GS
=
4.5
V
100
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
I
DSS ，
泄漏（ NA）
10
T
J
= 100°C
25
0
25
75
50
100
125
T
J,
结温（ ° C）
150
1
4
8
12
16
V
DS ，
漏 - 源电压（伏）
20
图5.导通电阻变化与
温度
http://onsemi.com
3
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
NTTD1P02R2
V
GS ，
栅 - 源电压（伏）
800
C
国际空间站
C，电容（pF ）
600
C
RSS
5
20
18
16
V
GS
Q1
2
1
0
V
DS
I
D
=
1.45
A
T
J
= 25°C
3
4
5
6
Q2
14
12
10
8
6
4
2
0
V
DS ，
漏 - 源电压（伏）
1
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
QT
4
3
400
C
国际空间站
200
C
OSS
0
C
RSS
10
5
0
V
GS
V
DS
栅极 - 源极或漏极至源极
电压（伏）
5
10
15
20
0
1
2
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
图7.电容变化
100
I
S,
源电流（安培）
V
DD
=
16
V
I
D
=
1.45
A
V
GS
=
4.5
V
T， TIME （ NS ）
1.6
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1.2
10
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
0.8
0.4
0
1
1
10
R
G,
栅极电阻（欧姆）
100
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
V
SD ，
源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
100
ID ，漏极电流（ AMPS ）
图10.二极管的正向电压
与当前
10
V
GS
= 8 V
单脉冲
T
C
= 25°C
100
ms
1毫秒
的di / dt
I
S
t
rr
t
a
t
b
时间
t
p
0.25 I
S
I
S
dc
10
100
1
10毫秒
0.1
0.01
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图12.二极管的反向恢复波形
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
http://onsemi.com
4
NTTD1P02R2
典型电气特性
1000
Rthja （t）的有效瞬态
热阻（ ° C / W）
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
100
10
P
（ PK）
1
单脉冲
0.1
1.0E05
1.0E04
1.0E03
1.0E02
1.0E01
T，时间（S ）
t
2
占空比D = T
1
/t
2
1.0E+00
t
1
R
QJC
（吨）= R（T ）R
QJC
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
QJC
(t)
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
图13.热响应
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5
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NTE6356
NSP151M2.5D6ZTRF
NX8570SC433-BA
NJG1709KC1-C5
NT805-701
NTE2586
NRT475K25
NZG150-1M
NB100LVEP222FA
NM93CS66LVMT8
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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