NCP5050
为4.5 W闪光灯白光LED
升压驱动器
该NCP5050是一款高功率的固定频率PWM升压
转换器，用于恒定电流的应用，如驾驶优化
高功率白光LED 。此设备的设计与
高效率的用于在便携式应用中使用，并且能够
驱动多达5个高功率LED串联的相机闪光灯或
手电筒（手电筒）的应用程序。支持驱动的需要
在高电流脉冲模式闪光，以及一个连续发光二极管
模式的重点还是火炬，控制引脚和支持电路
并入其允许用户设置两个LED的电流。该
两个输出电流都是通过使用2个外部的完全可配置
电阻器和该平均电流可通过施加的PWM减小
信号CTRL引脚高达50 kHz的。
在PWM工作在1.7兆赫，这允许使用小
电感和陶瓷电容。此外，该补偿
内部至其简化了设计并降低了印刷电路板的设备
元件数量。保护装置的逐周期的电流
限流和热关断电路已被纳入为
以及输出过压和超时保护。最大
电源开关的峰值电流电平是可调的，以进一步允许
系统优化。该NCP5050是装在一个低调的空间
高效率的3x3毫米散热增强型WDFN 。
特点
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记号
图
5050
ALYWG
G
WDFN10 ， 3×3 ， 0.5P
CASE 522AA -01
发出
A
=大会地点
L
=晶圆地段
Y
=年
W
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
效率高达88 ％，持续2个LED （V
F
=由LED 3.5 V） ，在200毫安
高频PWM调光控制
最大V
OUT
20 V
1.7 MHz的PWM DC / DC转换器
关闭控制设施与真截止
LED开路（输出过压）保护
1.2 s定时器OUT功能
软启动限制浪涌电流
小3x3x0.8 mm的WDFN封装
这些无铅器件
引脚连接
保护地1
VS 2
CTRL 3
CM 4
PCA 5
10 SW
9 PVIN
8 LCS
7 FB
6 HCS
（ TOP VIEW ）
典型应用
白光LED闪光灯（可拍照手机，数码相机，
个人媒体播放器）
便携式闪光灯
中等尺寸LCD背光源（参见应用笔记AND8294 / D的
详细信息）
2.7至5.5 V
C1
4.7
mF
L1
2.2
mH
2至5个LED
9
5
R1
2.8 k
PVIN
PCA
保护地
SW
VS
FB
6
8 HCS
LCS
10
2
7
D1
D2
C2
1
mF
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第13页上。
L1 ： TDK VLF5012T - 2R2
D6
D1 ：ON MBR130LSF
C1: 4.7
mF
6.3 V 0603
TDK C1608X5R0J475M
C2: 1
mF
25V 0805
3
CTRL
4
HCM
NCP5050
启用
闪存/
TORCH
1
2.0
R2
R
HCS
R3
R
LCS
10.0
TDK C2012X5R1E105M
图1.典型应用电路
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年10月 - 修订版0
出版订单号：
NCP5050/D
NCP5050
引脚功能说明
针
1
针
名字
保护地
TYPE
动力
描述
电源接地：
此引脚为电源地，并进行了高开关电流。高品质
必须提供理由，以避免任何噪声尖峰/不受控制的操作。关爱必须遵守
避免高密度电流在有限的PCB铜迹。
电压检测：
为了检测V
OUT
特别是对过电压保护，该输入必须是
连接到输出旁路电容器C
OUT
.
控制和启用：
该引脚上的高电平有效逻辑电平使能器件。内置的下拉
电阻器禁用器件在管脚悬空。另外，在禁止状态的装置提供了一个真正的
截止感谢对FB输入端高阻抗。该引脚也可以被用来控制平均
中，负载电流通过施加低频率的PWM信号。如果PWM信号被施加，所述
频率应当足够高，以避免光的闪烁，但不超过50千赫以上。
电流模式：
在此输入高电平有效逻辑可以对用于闪存的高电流检测和
禁止LCS电阻。该引脚具有低电压阈值，因此可以直接驱动1.8 V
逻辑信号。如果这个功能是不需要的，该引脚应接地。只有当CM引脚为高电平时，一个
安全功能关闭输出，如果CTRL引脚为高电平时间超过1.2 s
峰值电流调整：
这个输入端与地之间的电阻器控制的最大峰值电流
在电感器允许的。对于该电阻的最小值是2.8千瓦和增加该值
减小峰值电流。这允许用户根据应用的需要来调整电流
和扩展电感器的尺寸相应。请参阅“开关电流限制”应用指南
部分。
高电流检测：
该引脚用于闪光模式。如果用户希望两个级别的LED电流
那么电阻应在此引脚与地相连。这个功能是由CM输入控制。
反馈：
参考为250毫伏。这个引脚通过的意识，就是提供反馈电压
电阻固定LCS或HCS引脚。当该装置是使和CM低，因此LCS电阻是
连接到这个引脚，从而使LCS设定LED电流。 LED电流的容许值是
取决于此感测电阻器和一个的精度
$1%
金属薄膜电阻器，或更好，是
建议最佳的输出精度。
低电流检测：
该引脚用于手电筒模式。为了解决当前时CM逻辑引脚
低，电阻应在此引脚与地相连。
电源：
外部电源连接到该引脚。 4.7
mF
/ 6.3 V高品质
电容必须跨接在该引脚和电源接地，以达到规定的输出
电源参数。该X5R低
DC / C
与直流偏置陶瓷类型强烈推荐。
切换：
对电感器的电源开关连接。典型的应用程序将使用一个线圈，从2.2
mH
- 4.7
mH
并且必须能够处理的峰值电流。
2
3
VS
CTRL
输入
输入
4
CM
输入
5
PCA
输入
6
7
HCS
FB
输入
输入
8
9
LCS
PVIN
输入
动力
10
SW
输入
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3
NCP5050
最大额定值
（注1 ）
等级
电源电压（注2 ）
过电压保护
人体模型（ HBM ） ESD额定值（注3 ）
HCS和FB引脚
机器模型（ MM ） ESD额定值（注3 ）
HCS和FB引脚
数字输入电压
数字输入电流
WDFN 3x3的包
功率耗散@ T
A
= +85°C
热阻，结到外壳
热阻，结到空气
工作环境温度范围
工作结温范围
最高结温
存储温度范围
潮湿敏感度等级（注7 ）
符号
P
VIN
V
S
ESD HBM
ESD MM
CTRL ， CM
价值
7.0
25
2000
1000
200
150
-0.3 < V
in
＆ LT ; V
BAT
+ 0.3
1.0
（注5 ）
10
（注6 ）
-10至+85
-10到+125
+150
-65到+150
1
单位
V
V
V
V
V
mA
W
° C / W
°C
°C
°C
°C
P
D
R
QJC
R
qJA
T
A
T
J
T
JMAX
T
英镑
MSL
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.最大电气额定值被定义为超出该设备损坏可能会出现在T的值
A
= 25°C.
2.根据JEDEC标准JESD22- A108B 。
3.该设备系列包含ESD保护和通过下列测试：
人体模型（ HBM ）根据JEDEC标准： JESD22- A114的所有引脚。
机器模型（ MM ）根据JEDEC标准： JESD22- A115的所有引脚。
4.闩锁电流的最大额定值：
$100
毫安根据JEDEC标准： JESD78 。
5.设定为160℃ （典型值），热关断避免了由于功耗的设备上不可逆转的损害。
6.对于10引脚3×3 WDFN封装，则R
qJA
高度依赖于PCB的散热面积。例如，R
qJA
可以是2层61 ° C / W
有51毫米板
2
散热面积上的电路侧和电路板尺寸的地平面上的另一面。
7.根据IPC / JEDEC标准： J- STD- 020A 。
8.最大封装功耗限值不得超过。
P
d
+
125
*
T
A
R
qJA
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4
NCP5050
电气特性
最小和最大限制对于T
A
在-10 °C到+ 85° C和V
IN
2.7 V之间
到5.5V（除非另有说明） 。典型值被引用至T
A
= + 25 ° C和V
in
= 3.6伏特（除非另有说明）
特征
工作电源
最大电感电流（注9和图11 ）（参见图24）
请参阅开关电流限制部分@ 25°C
电源开关电阻
T
A
= 25 ° C（ I = 100 mA时）
高电流感应导通电阻（I = 100 mA和25 ° C）
低电流检测导通电阻（I = 100 mA和25 ° C）
PWM振荡器频率
最大占空比
效率（注9和10）
过压钳位电压
过电压钳位迟滞
输出功率（注9和图12 ）
@ V
in
= 3.3 V
@ V
in
= 2.7 V
反馈电压纹波抑制@我
OUT
= 20毫安
从DC到300赫兹（ 0.2 V
PP
） （注9 ）
反馈电压的稳态。 @ T
A
= 25°C
输入反馈电流（ CM =低）
V
in
欠压锁定
V
in
减少
欠压闭锁滞后
待机电流，I
OUT
= 0 mA时， CTRL =低，V
in
= 4.2 V @ T
A
= 25°C
静态电流，I
OUT
= 0 mA时，不切换@ T
A
= 25°C
启动时间（注9 ）
从CTRL = 1.2 V开始切换
浪涌峰值电流限制（注9 ）
时间常数
的PWM调光频率上限（注9 ）
超时保护（注9 ）
热关断保护（注9 ）
热关断保护迟滞（注9 ）
电压输入逻辑低电平（引脚CM ， CTRL ）
电压输入逻辑高电平（引脚CM ， CTRL ）
CTRL和CM引脚下拉电阻
符号
V
in
I
peak_max
SWR
DSON
HCSSR
DSON
LCSSR
DSON
F
OSC
M
税
E
FF
OVP
ON
OVP
H
P
OUT
4.5
2.8
L
REG
F
BV
I
FB
U
VLO
2.0
U
VLOH
I
STDB
IQ
NOSW
S
TRT
I
的PCl
D
IM
T
OUT
T
SD
T
SDH
V
IL
V
IH
R
PLD
-
-
-
-
-
-
-15%
-
-
-
1.2
175
100
-
-
50
1
-
1.2
160
20
-
-
250
2.7
-
2.0
2.0
200
-
50
+15%
-
-
0.4
-
375
mV
mA
mA
ms
ms
千赫
s
°C
°C
V
V
kW
5.0
215
-
-
-
2.5
250
-
285
0.15
-
-
mV
mV
mA
V
民
2.7
1.0
-
200
-
-
1.48
91.5
85
20
-
250
750
1.7
94
90
-
1.0
-
-
-
-
-
1.95
-
mW
mW
兆赫
%
%
V
V
W
典型值
-
-
最大
5.5
3.0
单位
V
A
mW
9，保证设计和特点
10.效率是100 *定义（P
OUT
/ P
in
）在25℃下
V
in
= 4.2 V，L = TDK VLF5014A ， 2R7M1R5
负载= 80 mA时， 4个LED （V
F
= 3.5 V每个LED ，C
OUT
= 1
mF
X5R
11.总容差取决于外部电阻的精度。 A 1 ％容差的金属膜电阻，建议实现
I
peak_max
$20
％的准确性。
12.肖特基二极管MBR130LSF和TDK VLF5014A - 2R7M1R5电感。
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
