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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第78页 > NTD5803NT4G
NTD5803N
功率MOSFET
特点
40 V ， 76 A单N沟道， DPAK
低R
DS （ ON）
高电流能力
较高的雪崩能量
这些无铅器件
CCFL背光源
直流电机控制
D类放大器
电源二次侧同步整流
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续
栅极 - 源极电压
不重复（T
p
＆ LT ; 10
女士）
连续漏极
电流（R
QJC
)
（注1 ）
功耗
(R
QJC
） （注1 ）
漏电流脉冲
T
C
= 25°C
稳定
状态
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
E
AS
符号
V
DSS
V
GS
V
GS
I
D
价值
40
"20
"30
76
54
83
228
55
to
175
76
240
W
A
°C
A
mJ
1 2
3
1
2
单位
V
V
V
A
S
N沟道MOSFET
4
4
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
40 V
R
DS （ ON）
最大
10.1毫瓦@ 5.0 V
7.2毫瓦@ 10 V
D
I
D
最大
54 A
76 A
应用
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
G
t
p
= 10
ms
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V ，R
G
= 25
W,
I
L（ PK）
= 40 A，L = 0.3 MH）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
DPAK
CASE 369C
（表面贴装）
方式2
3
DPAK
CASE 369D
（直引线）
方式2
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
58
03NG
4
漏
YWW
58
03NG
1 2 3
门漏源
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
出版订单号：
NTD5803N/D
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
热阻最大额定值
参数
结至外壳（漏）
结到环境
稳态（注1 ）
符号
R
QJC
R
qJA
价值
1.8
64
单位
° C / W
2
1 3漏
门源
1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板
（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 。
Y
WW
5803N
G
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年12月，
第0版
1
NTD5803N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
V
GS
= 5.0 V，I
D
= 30 A
正向跨导
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
RR
ta
tb
Q
RR
V
GS
= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
V
GS
= 10 V, V
DD
= 32 V,
I
D
= 50 A，R
G
= 2.0
W
12.6
21.4
28.3
6.6
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 10 V, V
DS
= 20 V,
I
D
= 50 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 25 V
3220
390
270
51
3.8
12.7
12.7
nC
pF
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 40 V
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
40
40
1.0
100
±100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.5
7.4
4.9
6.7
13.6
3.5
V
毫伏/°C的
7.2
10.1
mW
S
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
0.88
0.73
27.2
14
13.2
17
nC
ns
1.2
V
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
订购信息
订单号
NTD5803NG
NTD5803NT4G
包
DPAK （直引线）
（无铅）
DPAK
（无铅）
航运
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
NTD5803N
典型特征
160
140
I
D
，漏电流（ A）
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
4.2 V
4.0 V
3.8 V
3.4 V
6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
4.5 V
10 V
T
J
= 25°C
V
GS
= 5 V
I
D
，漏电流（ A）
150
V
DS
≥
10 V
125
100
75
T
J
= 25°C
50
25
0
T
J
= 150°C
T
J
=
55°C
2
3
4
5
6
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.012
V
GS
= 10 V
0.010
0.008
0.006
T
J
= 25°C
0.004
0.002
0.015
0.014
0.013
0.012
0.011
0.010
0.009
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
0.002
图2.传输特性
T
J
= 25°C
V
GS
= 5 V
V
GS
= 10 V
10
20
30
40
50
60
70
30
50
70
90
110
130
150
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（标准化）
图3.导通电阻与漏电流
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
55 35 15
1
I
D
= 50 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
10,000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
100
10
T
J
= 25°C
5
25
45
65
85 105 125 145 165
2
6
10
14
18
22
26
30
34
38
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTD5803N
典型特征
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
8000
7000
C，电容（pF ）
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
15
12
QT
9
6
3
0
V
DS
Q
gs
Q
gd
V
GS
I
D
= 50 A
T
J
= 25°C
30
24
18
12
6
0
55
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
10 5
VGS
0
5
10
VDS
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
1000
I
S
，源电流（ A）
V
DD
= 32 V
I
D
= 50 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
50
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
V
GS
= 0 V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
40
T
J
= 25°C
30
20
10
0
100
t
f
10
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与电流
http://onsemi.com
4
NTD5803N
包装尺寸
DPAK
CASE 369C -01
发行
T
B
V
R
4
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
英寸
民
最大
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.027 0.035
0.018 0.023
0.037 0.045
0.180 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.102 0.114
0.090 BSC
0.180 0.215
0.025 0.040
0.020
0.035 0.050
0.155
MILLIMETERS
民
最大
5.97
6.22
6.35
6.73
2.19
2.38
0.69
0.88
0.46
0.58
0.94
1.14
4.58 BSC
0.87
1.01
0.46
0.58
2.60
2.89
2.29 BSC
4.57
5.45
0.63
1.01
0.51
0.89
1.27
3.93
C
E
S
A
1
2
3
Z
U
K
F
L
D
G
2 PL
J
H
0.13 (0.005)
T
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
M
焊接足迹*
6.20
0.244
2.58
0.101
5.80
0.228
1.6
0.063
6.172
0.243
3.0
0.118
方式2 ：
PIN 1. GATE
2.漏
3.源
4.漏
尺度3:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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NCP5050MTTXG
NKE1205SC
NDL7564P
NCV8702MX30TCG
NRA106M35
NTE1620
NJM2218D
NTTD1P02R2_06
NTE6356
NSP151M2.5D6ZTRF
NX8570SC433-BA
NJG1709KC1-C5
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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