【NTMFS4C13N功率MOSFET特点30 V ， 38 A单N沟道， SO- 8 FL低RDS 】,IC型号NTMFS4C13NT1G,NTMFS4C13NT1G PDF资料,NTMFS4C13NT1G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTMFS4C13N

功率MOSFET

特点

30 V ， 38 A单N沟道， SO- 8 FL

低R

DS （ ON）

为最大限度地减少传导损耗

低电容，以最大限度地减少驱动器损耗

优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗

这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS

柔顺

http://onsemi.com

（ BR ） DSS

30 V

DS （ ON）

最大

9.1毫瓦@ 10 V

13.8毫瓦@ 4.5 V

D (58)

最大

38 A

应用

CPU电源交付

DC-DC转换器

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

当前

qJA

（注1 ）

功耗

qJA

（注1 ）

连续漏极

当前

qJA

≤

10 s

（注1 ）

功耗

qJA

≤

10秒（注1 ）

连续漏极

当前

qJA

（注2 ）

功耗

qJA

（注2 ）

连续漏极

当前

QJC

（注1 ）

功耗

QJC

（注1 ）

漏电流脉冲

通过封装电流限制

工作结存储

温度

源电流（体二极管）

漏极到源极的dV / dt

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源（T

= 25 ° C，V

= 10 V，I

= 21 A

L = 0.1 mH的，R

= 25

（注3）

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

稳定

状态

= 25°C

= 80°C

= 25°C

= 80°C

= 25°C

= 80°C

= 25°C

=80°C

= 25°C

= 25 ° C，T

= 10

= 25°C

DMAX

英镑

的dV / D

符号

DSS

价值

±20

13.0

9.7

2.46

19.1

14.3

5.32

7.2

5.4

0.75

21.6

106

+150

7.0

°C

V / ns的

单位

G (4)

S (1,2,3)

N沟道MOSFET

记号

图

SO- 8扁平引脚

CASE 488AA

风格1

4C13N

AYWZZ

=大会地点

=年

=工作周

=地段Traceabililty

订购信息

设备

NTMFS4C13NT1G

NTMFS4C13NT3G

包

SO- 8 FL

（无铅）

SO- 8 FL

（无铅）

航运

1500 /

磁带&卷轴

5000 /

磁带&卷轴

260

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1，表面安装用1平方式衬垫， 1盎司铜FR4板。

2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

3.这是绝对最大额定值。部分100 ％在T测试

= 25°C,

= 10 V，I

= 15 APK ，E

= 11兆焦耳。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2013

十一月， 2013

第2版

出版订单号：

NTMFS4C13N/D

NTMFS4C13N

热阻最大额定值

参数

结至外壳（漏）

结 - 环境 - 稳态（注4 ）

结 - 环境 - 稳态（注5 ）

结至环境 - （叔

≤

10秒）（注4 ）

4.表面装上用1平方项垫， 1盎司铜FR4板。

5.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

符号

QJC

qJA

价值

5.8

50.8

166.6

23.5

° C / W

单位

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

（瞬态）

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

（ BR ） DSS

（ BR ） DSST

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

国际空间站

G（ TOT ）

G（ TH ）

G（ TOT ）

D（上）

D（关闭）

= 4.5 V, V

= 15 V,

= 15 A，R

= 3.0

= 10 V, V

= 15 V ;我

= 30 A

= 4.5 V, V

= 15 V ;我

= 30 A

= 0 V, V

= 15 V ， F = 1兆赫

= 0 V ， F = 1兆赫，V

= 15 V

= 10 V

= 4.5 V

正向跨导

栅极电阻

收费和电容

输入电容

输出电容

反向传输电容

电容比

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

栅极电压平台

总栅极电荷

开关特性

（注7 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

9.0

5.0

770

443

127

0.165

7.8

1.4

2.9

3.7

3.6

15.2

= 25°C

= 30 A

= 12 A

0.3

= 0 V,

= 24 V

= 25°C

= 125°C

= 0 V，I

= 250

= 0 V，I

D（ AVAL ）

= 6.1 A,

例

= 25 ° C，T

短暂

= 100纳秒

14.9

1.0

±100

毫伏/°C的

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注6 ）

栅极阈值电压

负阈值温度系数

漏极至源极导通电阻

= 0 V, V

±20

= V

, I

= 250

1.3

4.8

7.3

11.4

1.0

2.1

毫伏/°C的

9.1

13.8

= 1.5 V，I

= 15 A

2.0

6.脉冲测试：脉冲宽度

300

女士，

占空比

2%.

7.开关特性是独立的工作结点温度。

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NTMFS4C13N

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

开关特性

（注7 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

漏源二极管特性

正向二极管电压

= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，

= 30 A

= 0 V,

= 10 A

= 25°C

= 125°C

0.82

0.69

23.4

12.1

11.3

9.7

1.1

D（上）

D（关闭）

= 10 V, V

= 15 V,

= 15 A，R

= 3.0

6.0

3.0

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

6.脉冲测试：脉冲宽度

300

女士，

占空比

2%.

7.开关特性是独立的工作结点温度。

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NTMFS4C13N

典型特征

，漏电流（ A）

= 25°C

4.5 V

4.2 V

4.0 V

3.8 V

3.6 V

3.4 V

3.2 V

3.0 V

2.8 V

，漏极至源极电压（ V）

，漏电流（ A）

0.5

1.0

= 125°C

= 25°C

10 V

6.5 V

= 5 V

55°C

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5 5.0

1.5

2.0

，栅 - 源极电压（ V）

图1.区域特征

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.015

0.014

0.013

0.012

0.011

0.010

0.009

0.008

0.007

0.006

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

= 30 A

0.022

0.020

0.018

0.016

0.014

0.012

0.010

0.008

0.006

图2.传输特性

= 25°C

= 4.5 V

= 10 V

，栅 - 源极电压（ V）

，漏电流（ A）

图3.导通电阻与V

1.7

DS （ ON）

，漏 - 源

电阻（标准化）

1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

100

125

150

= 30 A

= 10 V

DSS

，漏电（ NA）

1000

10000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

= 0 V

= 150°C

= 125°C

100

= 85°C

，结温（ ° C）

，漏极至源极电压（ V）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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NTMFS4C13N

典型特征

1000

900

C，电容（pF ）

800

700

600

500

400

300

200

100

RSS

OSS

国际空间站

= 25°C

= 15 V

= 10 V

= 30 A

，栅 - 源极电压（ V）

= 0 V

= 25°C

，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

1000

，源电流（ A）

= 15 V

= 15 A

= 10 V

T， TIME （ NS ）

100

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

= 0 V

= 125°C

= 25°C

D（关闭）

D（上）

，栅极电阻（ W）

100

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

，源极到漏极电压（V ）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

，单脉冲漏 -

源雪崩能量（兆焦耳）

100

，漏电流（ A）

100

1毫秒

0 V＆ LT ; V

＆ LT ; 10 V

单脉冲

= 25°C

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.01

0.1

10毫秒

图10.二极管的正向电压与电流

= 15 A

100

125

150

0.1

0.01

100

，漏极至源极电压（ V）

，起动结温（ ° C）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量 -

开始结温

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