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初步
数据表
NP82N10PUF
MOS场效应
描述
R07DS0444EJ0100
Rev.1.00
2011年8月26日
该NP82N10PUF是N沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。
特点
超低导通电阻
R
DS （ ON）
= 15 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 41 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 2900 pF的典型。 （V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V)
专为汽车应用和AEC- Q101标准
订购信息
产品型号
NP82N10PUF-E1-AY
1
NP82N10PUF-E2-AY
1
铅电镀
纯Sn （锡）
填料
带800的P /卷
大坪（ E1型）
大坪（ E2型）
包
TO- 263 （ MP- 25ZP ）
注意：
1.无Pb （此产品不包含铅，在外部电极）。
R07DS0444EJ0100 Rev.1.00
2011年8月26日
第1页7
NP82N10PUF
章标题
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
项
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
1
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
2
单雪崩能量
2
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AS
E
AS
评级
100
±20
±82
±164
150
1.8
175
-55到+175
34
117
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
热阻
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
2
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
1.00
83.3
° C / W
° C / W
注意事项：
1. T
C
= 25 ° C， PW
≤
10
μ
S，占空比
≤
1%
2. T
通道（开始）
= 25 ° C，V
DD
= 50 V ，R
G
= 25
Ω,
L = 100
μ
H，V
GS
= 20 V
→
0 V
R07DS0444EJ0100 Rev.1.00
2011年8月26日
第2 7
NP82N10PUF
章标题
电气特性（T
A
= 25°C)
项
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门源阈值电压
正向转移导纳
1
漏极至源极导通状态
1
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
1
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意：
1.脉冲测试
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
Ω
PG 。
V
GS
= 20
→
0 V
50
Ω
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
马克斯。
典型值。
1.7
30
2.5
60
12
13
2900
340
140
16
16
60
8
64
12
22
0.95
62
135
马克斯。
1
±100
3.3
15
22
4350
510
250
35
40
120
20
96
1.5
单位
μ
A
nA
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试条件
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
DS
= 5.0 V，I
D
= 41 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 41 A
V
GS
= 5.8 V，I
D
= 18 A
V
DS
= 25 V,
V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
= 50V， ID = 41 A，
V
GS
= 10 V
R
G
= 0Ω
V
DD
= 80 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 82 A
I
F
= 82 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 82 A，V
GS
= 0 V,
的di / dt = 100 A /
μ
s
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
V
GS
R
L
V
DD
V
DS
90%
90%
10%
10%
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
τ
τ
= 1
μ
s
占空比
≤
1%
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
Ω
R
L
V
DD
R07DS0444EJ0100 Rev.1.00
2011年8月26日
第3页7
NP82N10PUF
章标题
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
120
总功耗对比
外壳温度
160
P
T
- 总功耗 - W
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度 -
°C
正向偏置安全工作区
T
C
- 外壳温度 -
°C
1000
I
D（脉冲）
= 164 A
R
DS （ ON）
有限
(V
GS
= 10 V)
PW = 100微秒
I
D
- 漏电流 - 一个
100
10
1毫秒
功耗有限公司
二次Brakedown有限公司
T
C
= 25°C
单脉冲
1
10毫秒
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
100
R
第（章-a）的
= 83.3C / W
10
R
TH（ CH-C ）
= 1.00 ° C / W
1
0.1
单脉冲
0.01
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
R07DS0444EJ0100 Rev.1.00
2011年8月26日
第4 7
NP82N10PUF
漏电流与
漏源极电压
章标题
正向传递特性
180
160
I
D
- 漏电流 - 一个
1000
V
GS
= 10 V
5.8 V
I
D
- 漏电流 - 一个
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
脉冲
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
T
ch
=
55°C
25°C
25°C
75°C
100°C
125°C
150°C
175°C
V
DS
= 10 V
脉冲
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
门源阈值电压
与通道温度
V
GS （ TH）
- 门源阈值电压 - V
远期转移导纳主场迎战漏
当前
4
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μA
3
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
100
2
10
75°C
25°C
25°C
55°C
1
T
½
= 175°C
½
150°C
125°C
100°C
V
DS
= 5 V
脉冲
0
-100
-50
0
50
100
150
200
1
0.1
1
10
100
T
ch
- 通道温度 -
°C
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
漏电流
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
100
1000
脉冲
V
GS
= 10 V
5.8 V
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
I
D
= 18 A
41 A
82 A
脉冲
15
20
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R07DS0444EJ0100 Rev.1.00
2011年8月26日
第5页第7
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