NSS20500UW3T2G
20 V ， 7.0 A，低V
CE （ SAT ）
PNP晶体管
安森美半导体的电子商务
2
的PowerEdge系列低V的
CE （ SAT ）
晶体管是微型表面贴装器件具有超低
饱和电压（V
CE （ SAT ）
）和高电流增益的能力。这些
被设计为在低电压，高速开关应用中使用
其中，经济实惠的高效节能控制是非常重要的。
典型的应用是直流 - 直流转换器和电源管理
在便携式及电池供电的产品，例如蜂窝和无绳
电话，PDA，计算机，打印机，数码相机和MP3播放器。
其它的应用是在大容量存储的低电压电机控制
产品，如光盘驱动器和磁带驱动器。在汽车
行业，他们可以在气囊展开，并在乐器上使用
集群。高电流增益允许ê
2
的PowerEdge设备是
直接从PMU的控制输出，线性增益驱动
（测试版） ，使它们非常适合组件的模拟放大器。
这是一个Pb - Free设备
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
集电极电流
PEAK
静电放电
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
ESD
最大
20
20
7.0
5.0
7.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
A
2
1
3
http://onsemi.com
20
伏
7.0安培
PNP低V
CE （ SAT ）
晶体管
等效
DS （ ON）
50毫瓦
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
WDFN3
CASE 506AU
HBM 3B类
MM C级
标记图
VC M
G
1
VC =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
热特性
特征
器件总功耗，T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗，T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
结到铅＃ 1
器件总功耗
（单脉冲< 10秒）
结存储
温度范围
符号
P
D
（注1 ）
R
qJA
（注1 ）
P
D
（注2 ）
R
qJA
（注2 ）
R
qJL
（注2 ）
P
Dsingle
（注2和3 ）
T
J
, T
英镑
最大
875
7.0
143
1.5
11.8
85
23
3.0
55
to
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
W
°C
订购信息
设备
NSS20500UW3T2G
包
WDFN3
（无铅）
航运
3000/
磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR-4 @ 100毫米
2
1盎司纯铜的痕迹。
2. FR-4 @ 500毫米
2
1盎司纯铜的痕迹。
3.热响应。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
2007年3月，
第1版
1
出版订单号：
NSS20500UW3/D
NSS20500UW3T2G
包装尺寸
WDFN3
案例506AU -01
发行
注意事项：
1.尺寸和公差符合ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸b适用于镀终端与
实测0.25 0.30毫米端子。
4.共面性适用于裸露焊盘以及
的端子。
暗淡
A
A1
A3
b
D
D2
E
E2
e
K
L
民
0.70
0.00
0.25
1.40
0.90
0.35
MILLIMETERS
喃
最大
0.75
0.80
0.05
0.20 REF
0.30
0.35
2.00 BSC
1.50
1.60
2.00 BSC
1.00
1.10
1.30 BSC
0.35 REF
0.40
0.45
民
0.028
0.000
0.010
英寸
喃
0.030
最大
0.031
0.002
0.014
0.063
0.043
0.018
D
A
B
销1
参考
E
2X
0.10 C
2X
0.008 REF
0.012
0.079 BSC
0.055
0.059
0.079 BSC
0.035
0.039
0.051 BSC
0.014 REF
0.014
0.016
0.10 C
0.10 C
8X
0.08 C
座位
飞机
A1
2X
L
K
0.400
1.600
E2
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
0.275
D2
e
1
顶视图
焊接足迹*
A
2X
1.300
0.400
0.600
0.250
1.100
SIDE VIEW
(A3)
C
2
e/2
0.300
3
3X
b
0.10 C A B
0.05 C
注3
底部视图
http://onsemi.com
5
NSS20500UW3T2G
20 V ， 7.0 A，低V
CE （ SAT ）
PNP晶体管
安森美半导体的电子商务
2
的PowerEdge系列低V的
CE （ SAT ）
晶体管是微型表面贴装器件具有超低
饱和电压（V
CE （ SAT ）
）和高电流增益的能力。这些
被设计为在低电压，高速开关应用中使用
其中，经济实惠的高效节能控制是非常重要的。
典型的应用是直流 - 直流转换器和电源管理
在便携式及电池供电的产品，例如蜂窝和无绳
电话，PDA，计算机，打印机，数码相机和MP3播放器。
其它的应用是在大容量存储的低电压电机控制
产品，如光盘驱动器和磁带驱动器。在汽车
行业，他们可以在气囊展开，并在乐器上使用
集群。高电流增益允许ê
2
的PowerEdge设备是
直接从PMU的控制输出，线性增益驱动
（测试版） ，使它们非常适合组件的模拟放大器。
这是一个Pb - Free设备
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流 - 峰值
静电放电
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
ESD
最大
20
20
7.0
5.0
7.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
A
2
1
3
http://onsemi.com
-20伏
7.0安培
PNP低V
CE （ SAT ）
晶体管
等效
DS （ ON）
50毫瓦
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
WDFN3
CASE 506AU
HBM 3B类
MM C级
标记图
VC M
G
热特性
特征
器件总功耗，T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗，T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
结到铅＃ 1
器件总功耗
（单脉冲< 10秒）
结存储
温度范围
符号
P
D
（注1 ）
R
qJA
（注1 ）
P
D
（注2 ）
R
qJA
（注2 ）
R
qJL
（注2 ）
P
Dsingle
（注2和3 ）
T
J
, T
英镑
最大
875
7.0
143
1.5
11.8
85
23
3.0
-55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
W
°C
1
VC =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
订购信息
设备
NSS20500UW3T2G
包
WDFN3
（无铅）
航运
3000/
磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR-4 @ 100毫米
2
1盎司纯铜的痕迹。
2. FR-4 @ 500毫米
2
1盎司纯铜的痕迹。
3.热响应。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年7月 - 修订版0
出版订单号：
NSS20500UW3/D
NSS20500UW3T2G
包装尺寸
WDFN3
案例506AU -01
发行
注意事项：
1.尺寸和公差符合ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸b适用于镀终端与
实测0.25 0.30毫米端子。
4.共面性适用于裸露焊盘以及
的端子。
暗淡
A
A1
A3
b
D
D2
E
E2
e
K
L
民
0.70
0.00
0.25
1.40
0.90
MILLIMETERS
喃
最大
0.75
0.80
0.05
0.20 REF
0.30
0.35
2.00 BSC
1.50
1.60
2.00 BSC
1.00
1.10
1.30 BSC
0.35 REF
0.40
0.45
民
0.028
0.000
0.010
英寸
喃
0.030
最大
0.031
0.002
0.014
0.063
0.043
D
A
B
销1
参考
E
2X
0.10 C
2X
0.35
0.008 REF
0.012
0.079 BSC
0.059
0.055
0.079 BSC
0.039
0.035
0.051 BSC
0.014 REF
0.014
0.016
0.10 C
0.10 C
8X
0.08 C
座位
飞机
A1
2X
L
K
0.400
1.600
E2
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
0.275
D2
e
1
0.018
顶视图
焊接足迹*
A
2X
1.300
0.400
0.600
C
0.250
1.100
0.300
SIDE VIEW
(A3)
e/2
2
3
3X
b
0.10 C A B
0.05 C
注3
底部视图
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
